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公开(公告)号：CN116203370A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310013311.0
申请日：2023-01-05
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备。该测试方法中，在老化阶段，向所述MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加驱动信号，所述驱动信号为矩形波，所述矩形波的上升沿斜率可调，且可调范围在50V/μs至1200V/μs的范围内，所述矩形波的下降沿斜率可调，且可调范围在100V/μs至1200V/μs的范围内。
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公开(公告)号：CN113834527A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111110073.2
申请日：2021-09-18
Applicant: 重庆大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体结构及其内部压力在线测量方法，属于功率半导体器件领域。该结构包括外壳和多个并列子单元；子单元包括顶板、柔性组件、银片、钼片、芯片和基板；柔性组件包括碟簧组和导电铜片，导电铜片的中间设有薄铜片；薄铜片的侧表面开设有沟槽，沟槽内安装有光纤应变计和光纤温度计，其中光纤温度计用于光纤应变计的温度补偿。本发明实现了压接型功率半导体模块内部压力的实时测量，测量灵敏度高。
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公开(公告)号：CN112531694A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011360850.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 重庆大学
Inventor： 周敬森 , 魏金萧 , 谢刚文 , 冉立 , 张友强 , 蒋华平 , 朱小军 , 胡嘉渝 , 方辉 , 朱晟毅 , 肖强 , 余亚南 , 向红吉 , 董光德 , 马兴 , 付昂 , 杨爽 , 王瑞妙 , 赵小娟
Abstract: 本发明公开了一种基于数字孪生技术的交直流混合电网全域实时模拟方法，首先对于电网原始数据进行采集，采用时间序列的数据清洗方法对电网原始数据进行预处理，接着基于高斯分布函数和一元线性函数的组合分段函数模拟和预测风电出力特性、基于正态分布函数模拟光伏电站出力特性，再通过将子模块电力电子开关等效为其导通电阻的方式建立交直流混合电网孪生模型。本发明在不降低模型计算准确性的前提下，通过将子模块电力电子开关等效为其导通电阻的方式，提升交直流混合电网的微秒级建模分析的效率；建立了一套高适应性的新能源建模方法，适用于不同领域及地理环境，提升了新能源出力预测的便捷性，提升模型运行效率。
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公开(公告)号：CN115600423B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202211354138.2
申请日：2022-10-31
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/18 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种电机控制器寿命评估方法，其包括如下步骤：S1，估算IGBT功率模块的结温；S2，将估算得到的结温上传新能源汽车大数据平台；S3，分类统计处理得到功率循环次数；S4，代入Arrhenius寿命模型公式得到失效功率循环次数；S5，基于Miner疲劳损伤累计法计算得到电机控制器的当前寿命D；S6，判断电机控制器的当前寿命D与上一个计算周期寿命D’的差值是否大于更新频次D0，若D－D’≥D0，对结温值进行更新修正，并返回S1进行新一轮的电机控制器寿命评估；若D－D’＜D0，以S5得到的电机控制器的当前寿命作为电机控制器寿命评估值。通过引入寿命衰减因子，能够更准确的估算IGBT结温，与寿命评估相互迭代，更好的对新能源汽车实施故障预警和安全监控。
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公开(公告)号：CN118671541A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410761741.5
申请日：2024-06-13
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本申请提供一种用于阈值电压稳定性评估的测试电路及其工作方法，测试电路包括：直流电源；第一电路单元，第一电路单元包括第一功率器件和第二功率器件，第一功率器件的源极和漏极分别与第二功率器件的源极和漏极并联连接；第二电路单元，第二电路单元包括第三功率器件，由第二电路单元与第一电路单元并联或串联在一起的电路、与直流电源连接；第一电路单元和第二电路单元用于配置为：第三功率器件配置为恒定打开状态且第二功率器件配置为恒定关断状态；通过对第一功率器件的关断和打开将第一功率器件的漏源电压和漏源电流解耦为第二功率器件的漏源电压和第三功率器件的漏源电流。对阈值电压稳定性的评估的准确性得到提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116366044B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310311223.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种通过调节栅极电压提高功率器件过载的栅极驱动电路，它包括电流传感器、控制器、继电器、驱动芯片、脉冲发生器、开通栅极电压源VGSon1和VGSon2、两个栅极电阻以及被控器件；脉冲发生器与驱动芯片连接，驱动芯片通过两个栅极电阻与被控器件的栅极连接，被控器件的漏极与电流传感器连接，电流传感器与控制器连接，驱动芯片和继电器公共触点连接，继电器动断常闭触点与开通栅极电压源VGSon1连接，继电器动合常开触点与开通栅极电压源VGSon2连接，控制器控制继电器状态。本发明通过分阶段调控或者连续调控两种方式来抬升被控器件栅极电压，降低导通电阻RDS和被控器件的导通损耗，提高被控器件短时过载能力。
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公开(公告)号：CN116743134B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310699398.1
申请日：2023-06-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本公开提供了一种绝缘栅型半导体器件的阈值电压恢复方法及相关产品。该方法包括：在加热过程，利用所述绝缘栅型半导体器件的导通电流对所述绝缘栅型半导体器件进行自加热，以使所述绝缘栅型半导体器件的温度上升至阈值恢复温度，其中，在所述加热过程的至少部分时段导通电流大于额定电流；在冷却过程，关断所述绝缘栅型半导体器件，以使所述绝缘栅型半导体器件的温度降低至常温。本公开提供的方法中，半导体器件的阈值电压恢复所需的时间短，也不需要将半导体器件放入专用设备进行阈值
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公开(公告)号：CN117316799A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311358731.9
申请日：2023-10-19
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种抑制并联器件阈值分散性增加的匹配方法，属于半导体器件技术领域包括：分别测量器件施加短期栅极应力前后在常温和高温的参数，以及短期栅极应力导致的参数漂移量；将测量的短期栅极应力后常温和/或高温的参数作为筛选变量对不满足要求的器件进行筛除；对短期栅极应力导致的常温和/或高温下的参数漂移量，以等步长的方式对满足要求的器件进行分档，选择同档的器件进行并联。本发明缓解了并联器件在使用过程中因阈值分散性增加导致器件间的分流不均问题，提高了系统的可靠性，只需测量参数的初始值和短期应力后的参数值以及参数漂移量，随后即可进行匹配，操作步骤简单可实现性强，且对器件几乎没有额外副作用。
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公开(公告)号：CN116224003B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202211678667.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试电路。其包括：驱动脉冲发生器、可调直流电压源、第一电阻、第二电阻和开关电路，第二电阻的第一端连接公共电压端，第二电阻的第二端连接第一电阻的第一端，驱动脉冲发生器的第一输出端连接公共电压端，第二电阻的第二端用于连接待测MOS型半导体器件的栅极，公共电压端还用于连接待测MOS型半导体器件的第一极，开关电路具有至少2种开关状态，在开关电路的第一种开关状态，第一电阻的第二端连接驱动脉冲发生器的第二输出端，待测MOS型半导体器件的第二端连接公共电压端，在开关电路的第二种开关状态，第一电阻的第二端和待测MOS型半导体器件的第二端均连接可调直流电压源。
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公开(公告)号：CN116743138A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310700735.4
申请日：2023-06-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/28 , H03K17/51 , H03K17/567 , H03K17/13
Abstract: 本公开提供了一种多工作模式电路的控制装置及其控制方法，其中，控制装置包括：控制电路、驱动芯片、驱动回路和功率半导体器件；驱动芯片的输出端与驱动回路的输入端连接，驱动回路的输出端与功率半导体器件的输入端连接，驱动回路包括驱动电阻；控制电路用于接收包含工作模式的切换指令，响应于切换指令生成相应工作模式下的第一信号和第二信号，根据第一信号控制驱动芯片运行，以及根据第二信号调节驱动回路的驱动电阻的阻值，以控制功率半导体器件的开关持续时间满足相应的工作模式；工作模式包括第一工作模式或第二工作模式。本公开提升了测量的可靠性，并能够快速退出测量模式，使得功率半导体器件进入正常模式，提高工作效率。
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