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公开(公告)号：CN116718884B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310457863.0
申请日：2023-04-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本公开提供一种绝缘栅型半导体器件的导通压降检测电路、设备和电力变换装置。导通压降检测电路，包括：测量电路，具有串联连接的可变电阻器和采样电阻，所述可变电阻器与所述采样电阻所在串联支路的两端分别连接被测器件的第一极和第二极；其中，所述被测器件为绝缘栅型半导体器件；其中，在所述被测器件的第一极与第二极之间的电压差为其工作电压差的情况下，并且所述可变电阻器的电流值与所述可变电阻器两端的电压值正相关，并且所述可变电阻器的电阻值与所述可变电阻器两端的电压值正相关，并且所述采样电阻两端电压绝对值与所述被测器件的第一极和第二极之间的电压绝对值正相关。
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公开(公告)号：CN116436450B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202310317854.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/14 , H02M1/08 , H03K17/687
Abstract: 本公开提供一种MOS型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置。栅极驱动电路，包括：第一驱动电路，用于在切换控制节点的电压处于有效电平状态时，根据驱动信号输入端提供的有效驱动电压向被驱动器件的栅极提供有效电压，根据驱动信号输入端提供的无效驱动电压向被驱动器件的栅极提供无效电压；第二驱动电路，用于在切换控制节点的电压处于无效电平状态且驱动信号输入端提供无效驱动电压时，根据辅助电压端的电压向被驱动器件的栅极提供中间电压，其中，中间电压介于无效电压与被驱动器件的阈值电压之间，且不含两端端点；切换控制电路，用于对驱动信号输入端的电压进行低通滤波后提供给切换控制节点。
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公开(公告)号：CN116743138B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310700735.4
申请日：2023-06-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/28 , H03K17/51 , H03K17/567 , H03K17/13
Abstract: 本公开提供了一种多工作模式电路的控制装置及其控制方法，其中，控制装置包括：控制电路、驱动芯片、驱动回路和功率半导体器件；驱动芯片的输出端与驱动回路的输入端连接，驱动回路的输出端与功率半导体器件的输入端连接，驱动回路包括驱动电阻；控制电路用于接收包含工作模式的切换指令，响应于切换指令生成相应工作模式下的第一信号和第二信号，根据第一信号控制驱动芯片运行，以及根据第二信号调节驱动回路的驱动电阻的阻值，以控制功率半导体器件的开关持续时间满足相应的工作模式；工作模式包括第一工作模式或第二工作模式。本公开提升了测量的可靠性，并能够快速退出测量模式，使得功率半导体器件进入正常模式，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN116366044B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310311223.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种通过调节栅极电压提高功率器件过载的栅极驱动电路，它包括电流传感器、控制器、继电器、驱动芯片、脉冲发生器、开通栅极电压源VGSon1和VGSon2、两个栅极电阻以及被控器件；脉冲发生器与驱动芯片连接，驱动芯片通过两个栅极电阻与被控器件的栅极连接，被控器件的漏极与电流传感器连接，电流传感器与控制器连接，驱动芯片和继电器公共触点连接，继电器动断常闭触点与开通栅极电压源VGSon1连接，继电器动合常开触点与开通栅极电压源VGSon2连接，控制器控制继电器状态。本发明通过分阶段调控或者连续调控两种方式来抬升被控器件栅极电压，降低导通电阻RDS和被控器件的导通损耗，提高被控器件短时过载能力。
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公开(公告)号：CN116743134B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310699398.1
申请日：2023-06-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本公开提供了一种绝缘栅型半导体器件的阈值电压恢复方法及相关产品。该方法包括：在加热过程，利用所述绝缘栅型半导体器件的导通电流对所述绝缘栅型半导体器件进行自加热，以使所述绝缘栅型半导体器件的温度上升至阈值恢复温度，其中，在所述加热过程的至少部分时段导通电流大于额定电流；在冷却过程，关断所述绝缘栅型半导体器件，以使所述绝缘栅型半导体器件的温度降低至常温。本公开提供的方法中，半导体器件的阈值电压恢复所需的时间短，也不需要将半导体器件放入专用设备进行阈值
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116743138A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310700735.4
申请日：2023-06-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/28 , H03K17/51 , H03K17/567 , H03K17/13
Abstract: 本公开提供了一种多工作模式电路的控制装置及其控制方法，其中，控制装置包括：控制电路、驱动芯片、驱动回路和功率半导体器件；驱动芯片的输出端与驱动回路的输入端连接，驱动回路的输出端与功率半导体器件的输入端连接，驱动回路包括驱动电阻；控制电路用于接收包含工作模式的切换指令，响应于切换指令生成相应工作模式下的第一信号和第二信号，根据第一信号控制驱动芯片运行，以及根据第二信号调节驱动回路的驱动电阻的阻值，以控制功率半导体器件的开关持续时间满足相应的工作模式；工作模式包括第一工作模式或第二工作模式。本公开提升了测量的可靠性，并能够快速退出测量模式，使得功率半导体器件进入正常模式，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN116366044A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310311223.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种通过调节栅极电压提高功率器件过载的栅极驱动电路，它包括电流传感器、控制器、继电器、驱动芯片、脉冲发生器、开通栅极电压源VGSon1和VGSon2、两个栅极电阻以及被控器件；脉冲发生器与驱动芯片连接，驱动芯片通过两个栅极电阻与被控器件的栅极连接，被控器件的漏极与电流传感器连接，电流传感器与控制器连接，驱动芯片和继电器公共触点连接，继电器动断常闭触点与开通栅极电压源VGSon1连接，继电器动合常开触点与开通栅极电压源VGSon2连接，控制器控制继电器状态。本发明通过分阶段调控或者连续调控两种方式来抬升被控器件栅极电压，降低导通电阻RDS和被控器件的导通损耗，提高被控器件短时过载能力。
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公开(公告)号：CN117200770A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311221531.9
申请日：2023-09-21
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/041 , H03K17/14 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种防止温漂的MOS器件栅极驱动方法及驱动电路，包括：当电路中的开关器件需要开通时，向开关器件的栅极输入开通栅极电压；当电路中的开关器件需要关断时，输入开关器件栅极的电压变为第一关断栅极电压，以保证开关器件的快速关断，在开关器件关断稳态后，将输入开关器件栅极的电压变为第二关断栅极电压，以抑制开关器件的阈值漂移，在开关器件存在动态扰动时，输入开关器件栅极的电压变为第一关断栅极电压，以增强开关器件的抗串扰能力。本发明通过采用开通栅极电压、关断栅极电压一和关断栅极电压二共三个栅极驱动电压的方式，不仅可抑制碳化硅器件的阈值漂移，还能保留各种工况下负关断电压的抗串扰能力强、关断速度快等优势。
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公开(公告)号：CN116436450A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310317854.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/14 , H02M1/08 , H03K17/687
Abstract: 本公开提供一种MOS型半导体器件的栅极驱动电路和电力变换装置。栅极驱动电路，包括：第一驱动电路，用于在切换控制节点的电压处于有效电平状态时，根据驱动信号输入端提供的有效驱动电压向被驱动器件的栅极提供有效电压，根据驱动信号输入端提供的无效驱动电压向被驱动器件的栅极提供无效电压；第二驱动电路，用于在切换控制节点的电压处于无效电平状态且驱动信号输入端提供无效驱动电压时，根据辅助电压端的电压向被驱动器件的栅极提供中间电压，其中，中间电压介于无效电压与被驱动器件的阈值电压之间，且不含两端端点；切换控制电路，用于对驱动信号输入端的电压进行低通滤波后提供给切换控制节点。
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公开(公告)号：CN116743134A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310699398.1
申请日：2023-06-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本公开提供了一种绝缘栅型半导体器件的阈值电压恢复方法及相关产品。该方法包括：在加热过程，利用所述绝缘栅型半导体器件的导通电流对所述绝缘栅型半导体器件进行自加热，以使所述绝缘栅型半导体器件的温度上升至阈值恢复温度，其中，在所述加热过程的至少部分时段导通电流大于额定电流；在冷却过程，关断所述绝缘栅型半导体器件，以使所述绝缘栅型半导体器件的温度降低至常温。本公开提供的方法中，半导体器件的阈值电压恢复所需的时间短，也不需要将半导体器件放入专用设备进行阈值电压的恢复处理，节省了半导体器件从其应用设备上拆卸和安装的时间，大大提高了工作效率。
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