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公开(公告)号：CN116366044B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310311223.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种通过调节栅极电压提高功率器件过载的栅极驱动电路，它包括电流传感器、控制器、继电器、驱动芯片、脉冲发生器、开通栅极电压源VGSon1和VGSon2、两个栅极电阻以及被控器件；脉冲发生器与驱动芯片连接，驱动芯片通过两个栅极电阻与被控器件的栅极连接，被控器件的漏极与电流传感器连接，电流传感器与控制器连接，驱动芯片和继电器公共触点连接，继电器动断常闭触点与开通栅极电压源VGSon1连接，继电器动合常开触点与开通栅极电压源VGSon2连接，控制器控制继电器状态。本发明通过分阶段调控或者连续调控两种方式来抬升被控器件栅极电压，降低导通电阻RDS和被控器件的导通损耗，提高被控器件短时过载能力。
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公开(公告)号：CN116366044A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310311223.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种通过调节栅极电压提高功率器件过载的栅极驱动电路，它包括电流传感器、控制器、继电器、驱动芯片、脉冲发生器、开通栅极电压源VGSon1和VGSon2、两个栅极电阻以及被控器件；脉冲发生器与驱动芯片连接，驱动芯片通过两个栅极电阻与被控器件的栅极连接，被控器件的漏极与电流传感器连接，电流传感器与控制器连接，驱动芯片和继电器公共触点连接，继电器动断常闭触点与开通栅极电压源VGSon1连接，继电器动合常开触点与开通栅极电压源VGSon2连接，控制器控制继电器状态。本发明通过分阶段调控或者连续调控两种方式来抬升被控器件栅极电压，降低导通电阻RDS和被控器件的导通损耗，提高被控器件短时过载能力。
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公开(公告)号：CN116840648A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310938248.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于功率器件的dv/dt耐受能力测试电路及方法，它包括栅极大电流驱动电路和主电路；主电路包括MOS3、被测器件、驱动脉冲发生器VGS、电容C2、电阻RG和R4，以及高压直流电压源V2；栅极大电流驱动电路与MOS3的栅极连接，用于控制MOS3快速开通和关断，并将MOS3的栅极电压钳制在安全值，以及调节主电路dv/dt的大小；在MOS3开通的瞬间，电容C2的一端被强制接地，使得电容C2两端电压被迅速施加到被测器件两端，进而产生大的dv/dt脉冲电压。本发明可靠性更高，dv/dt脉冲电压大小可调节，间接测量的观测方式对测试设备的精度要求不高，可以大幅降低测试设备成本，可实现性高。
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公开(公告)号：CN116317480A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310311219.2
申请日：2023-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M1/08 , H03K17/687 , G05B19/04 , H02M1/00 , H02M1/32
Abstract: 本发明涉及一种通过降低栅极电阻提高功率器件过载的栅极驱动电路，它包括电流传感器、控制器、继电器、驱动芯片、脉冲发生器、可调栅极电阻RG以及被控器件；脉冲发生器与驱动芯片连接，驱动芯片的开通端口和关断端口与可调栅极电阻RG连接；被控器件的漏极与电流传感器连接，电流传感器与控制器连接，栅极与继电器的公共触点K连接，继电器的动断常闭触点和动合常开触点与可调栅极电阻RG连接，所述控制器与继电器电磁铁线圈连接，控制继电器工作状态。本发明通过分阶段调控或者连续调控两种方式来降低被控器件栅极的电阻，以提高被控器件的开关速率，降低被控器件的开关损耗，提高被控器件短时过载能力。
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