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公开(公告)号：CN118246231A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410394175.9
申请日：2024-04-02
申请人： 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国网重庆市电力公司 , 国家电网有限公司 , 重庆大学
发明人： 赵小娟 , 陈咏涛 , 董光德 , 陈涛 , 孙鹏菊 , 刘伟 , 马兴 , 杨爽 , 付昂 , 王瑞妙 , 张友强 , 乐昕怡 , 邱九皓 , 恭秀芬 , 崔洪博 , 张林 , 朱晟毅 , 方辉 , 曾治强
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明公开了电磁暂态仿真数据检验方法、装置、设备及介质，属于电磁暂态仿真软件开发技术领域，将PSCAD曲线文件数据转换成电磁暂态仿真中特定格式的数据文件，再将该数据文件与待校验的电磁暂态仿真软件的计算结果进行比对，判断待校验电磁暂态仿真数据的可靠性。本发明提供了一种将成熟的电磁暂态仿真软件的数据转换为通用比对文件的方法，能够快速判断待验证的电磁暂态仿真软件的正确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117521578A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311542782.7
申请日：2023-11-17
申请人： 河海大学 , 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/08 , G06F119/04
摘要： 本发明公开了一种功率器件的热管理优化设计方法及系统，该方法包括以下步骤：S1、建立热管理体系，所述热管理体系包括逆变器、功率器件；S2、获取热管理前功率器件的寿命消耗；S3、基于所述寿命消耗确定所述温度控制目标的类型；S4、在所述类型下设定温度控制目标的幅值，进行热管理，计算热管理后的寿命提升率；S5、重复步骤S4，直至得到最大寿命提升率，将最大寿命提升率对应的温度控制目标设为该类型下的最终目标。本发明一种功率器件的热管理优化设计方法及系统具有温度合理控制、延长寿命的特点。
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公开(公告)号：CN116626464A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310578346.9
申请日：2023-05-22
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法，所述电路包括峰值检测电路、模数转换电路和控制运算单元；峰值检测电路包括第一峰值检测电路和第二峰值检测电路；第一峰值检测电路获取器件外部KS端子和S端子之间的电压VKS‑S，第二峰值检测电路获取器件电路中杂散电感上的电压VCIR；模数转换电路用于对峰值检测电路获取的电压值进行转换，并传给控制运算单元；控制运算单元发出指令，并对模数转换电路获取的数据进行计算，将VKS‑S和VCIR的比值作为SiC MOSFET器件键合线疲劳老化的特征量指标。具有构思巧妙，设计合理，结构简单等特点，能够在器件开通瞬态过程中提取出老化特征量并进行键合线老化监测。
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公开(公告)号：CN109245167A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811268060.6
申请日：2018-10-29
申请人： 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 重庆大学
IPC分类号： H02J3/38
摘要： 本发明公开了一种提高弱电网下LCL型并网逆变器并网电流质量的控制方法，它包括：建立LCL型并网逆变器系统的数学模型；利用公共连接点PCC点电压与电网电压以及电网阻抗关系，将电网阻抗的影响用PCC电压表示；根据给定并网电流is的参考值和LCL型并网逆变器侧电流iL的参考值，采用间接方法计算电容电压uc的参考值ucref，然后利用电容电压uc与公共连接点PCC点电压upcc的关系式计算得到upccref；求解最优H∞控制律参数；利用得到的参考值以及控制律参数，计算占空比的数值，得到控制量的值。本发明能够使得并网逆变器的输出电流在电网阻抗大范围变化时，依然能够保持并网逆变器稳定抑制LCL滤波器的谐振并且保证并网电流质量最优。
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公开(公告)号：CN117436390A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311547553.4
申请日：2023-11-20
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 发明公开一种基于物理特性的SiC MOSFET器件静态模型，包括漏极电流Id模型、沟道电压降Vds模型、栅源极有效电压Vgs模型以及反型层沟道载流子迁移率μ的模型。所述漏极电流Id模型在标准长沟道器件模型的基础上进行改良，通过对沟道调制效应、耗尽层体电荷效应等物理过程的表征；所述栅源极有效电压模型引入了栅源极有效电压Vgs，并通过渐进函数来表征界面态陷阱随外部栅源极电压VGS的升高而逐渐被载流子完全占据的过程。本模型通用性强，对不同类型的SiC MOSFET器件均有较好的表征效果；模型具有较高的准确度，且模型参数均具有一定的物理意义，有利于在本模型的基础上做更深入的研究；同时模型紧凑，仿真速度较快，适用于电路的仿真。
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公开(公告)号：CN116859205A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310888313.4
申请日：2023-07-19
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种沟槽栅型SiC MOSFET器件栅极退化监测方法和监测电路。该方法利用SiC MOSFET器件第三象限零栅压、不同结温下的输出特性曲线交点处的体二极管压降作为特征量。在双脉冲电路中，下管待测SiC MOSFET器件的栅压始终保持零栅压；在电感电流通过下管待测SiC MOSFET器件续流时，侦测交点电流下待测SiC MOSFET器件的体二极管压降值，通过与全新器件在该交点电流下的体二极管压降值作对比以判断待测SiC MOSFET器件是否发生了栅极退化。本发明能够忽略结温的影响实现SiC MOSFET器件栅极退化的准确监测，且是一个很好的在线监测的候选方法，可以避免因停机检测造成的经济损失。
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公开(公告)号：CN116846211A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310888542.6
申请日：2023-07-19
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H02M1/32 , H02M1/38 , H02M1/088 , H02M1/00 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开一种提升逆变器中SiC MOSFET器件运行寿命的方法，在包括主桥臂A、B、C的三相逆变器中，设有用于分时导通的冗余桥臂D和用于换相的双向可控硅TA、TB和TC；由控制器发出控制指令，根据三相主桥臂A、B、C各相输出电流的相位，来决定是否需要进行分时导通控制；当判断某相电流进入较大区间时，由控制器开通与该相连接的双向可控硅并且把该相桥臂的驱动信号给予冗余桥臂，并把该相桥臂上的SiC MOSFET关断，从而使该相桥臂暂时“休息”，实现降低该桥臂结温峰值和结温波动幅值的目的，进而实现三相主桥臂A、B、C和冗余桥臂D及双向可控硅TA、TB和TC的分时导通与换相，以提升三相逆变器中SiC MOSFET运行寿命。
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公开(公告)号：CN118246236A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410446052.5
申请日：2024-04-15
申请人： 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国网重庆市电力公司 , 国家电网有限公司 , 重庆大学
发明人： 陈咏涛 , 董光德 , 赵小娟 , 陈涛 , 孙鹏菊 , 马兴 , 杨爽 , 付昂 , 王瑞妙 , 张友强 , 刘伟 , 乐昕怡 , 邱九皓 , 恭秀芬 , 崔洪博 , 张林 , 朱晟毅 , 曾治强
IPC分类号： G06F30/20 , G06F17/14 , G06F119/02
摘要： 本发明公开了一种分析次同步振荡的方法与系统，该方法包括：根据输入的参数对从电力系统获取的原始曲线数据进行快速傅里叶变换，从快速傅里叶变换得到的数据中提取满足阈值的频率及与其对应的幅值数据并将存储到频率与幅值数据数组中；统计频率与幅值数据数组中的不同频率数据，将不同频率数据对应的幅值数据放到二维矩阵中；统计二维矩阵中每行幅值数据中非零数据连续出现的最大次数，并将最大次数与预设阈值比较，最终得出电力系统是否出现次同步振荡。本发明能够帮助电磁暂态仿真应用人员有效判断其仿真环境是否出现了次同步振荡现象，为电磁暂态仿真应用人员消除次同步现象提供可靠的依据。
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公开(公告)号：CN117638981A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311618463.X
申请日：2023-11-29
申请人： 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国网重庆市电力公司 , 国家电网有限公司 , 重庆大学
发明人： 董光德 , 陈咏涛 , 朱小军 , 陈涛 , 孙鹏菊 , 马兴 , 付昂 , 杨爽 , 王瑞妙 , 邱九皓 , 赵小娟 , 乐昕怡 , 朱晟毅 , 方辉 , 张林 , 恭秀芬 , 刘伟 , 陈爽
摘要： 本发明公开了一种电网频率调节的控制方法、装置、电子设备及介质，涉及新能源并网系统控制技术领域，通过光伏发电系统的当前频率确定出DC/DC变换器的滑模面额外调整项，进而根据当前第一输出电压及当前第一输出电流确定出第一占空比，并根据确定出的第一占空比对DC/DC变换器进行驱动，以根据驱动后的DC/DC变换器的当前第二输出电压、DC/AC变换器的当前第二输出电流及当前第三电压确定出第二占空比，并根据确定出的第二占空比对DC/AC变换器进行了驱动，以调整DC/AC变换器输出至电网的电能的频率，本方案无需在光伏发电系统中安装额外的储能模块就能对电网频率进行准确的控制，降低了成本。
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公开(公告)号：CN116599508A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310578297.9
申请日：2023-05-22
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种提升Sic MOSFET器件短路耐受时间的电路及方法，包括Sic MOSFET器件及其栅极驱动电路，还包括漏压分压模块和栅压钳位模块，其中，所述漏压分压模块设于Sic MOSFET器件的漏极和源级之间，所述栅压钳位模块设于Sic MOSFET器件的栅极和源级之间；所述栅压钳位模块包括MOS管T1，所述漏压分压模块与栅压钳位模块的MOS管T1的栅极相连，当Sic MOSFET器件的漏极与源级之间的电压超过阈值时，漏压分压模块能够触发栅压钳位模块工作；当栅压钳位模块工作时，能迅速将Sic MOSFET器件的驱动电压钳位在安全电压范围内，使Sic MOSFET器件的短路电流减小。本发明将SiC MOSFET的短路耐受时间延长到与IGBT相同的水平，并缩减了电路成本，便于推广应用。
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