一种确定网状反射面天线无源互调量的方法

    公开(公告)号:CN104852154B

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201510205187.3

    申请日:2015-04-27

    Abstract: 本发明涉及一种确定网状反射面天线无源互调量的方法,属于星载微波部件空间特殊效应技术领域。本发明通过建立实际网状反射面天线的等效网孔模型简化计算,将电大尺寸网状反射面天线的时域计算变为可能,同时保证了计算准确度,结合非线性电路模型的无源互调分析方法,通过一次仿真得到不同频率输入时产生每一阶的无源互调输出量,通过理想电路模型消除由于输入大信号对无源互调量小信号的湮没效应,消除时域分析中积累误差对无源互调量小信号的湮没效应,成功解决了电大尺寸网状反射面天线准确的电磁场分布计算与无源互调分析难题,填补了网状反射面天线无源互调分析技术空白,具有广阔的技术市场与应用前景。

    测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置

    公开(公告)号:CN104569014B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201410583366.6

    申请日:2014-10-27

    Abstract: 一种测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置,涉及物理电子学领域;方法包括:步骤1,将待测样品放入真空腔体内的样品台;收集部分为四分之一球壳的电子收集装置位于上半空间;步骤2,旋转样品台,使待测样品倾斜所需测试角度θ,测试电子收集装置上流过的电流I1;步骤3,旋转样品台,使待测样品沿相反的方向倾斜角度θ,测试电流I2;步骤4,保持待测样品不动,将电子收集装置旋转至下半空间,测试电流I3;步骤5,测试入射电子电流Ip;得出入射角度θ下的二次电子发射系数δ;本发明具有测试结果精确,操作简单易行的优势,以克服现有技术中全球型收集极操作困难、半球型收集极一部分电子无法收集,施加偏压法对测试结果产生影响等问题。

    一种用于校准无源互调测试系统相位的方法

    公开(公告)号:CN106019192A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610326248.6

    申请日:2016-05-16

    CPC classification number: G01R35/005

    Abstract: 本发明公开了一种用于校准无源互调测试系统相位的方法。在无源互调测试系统中,使用磁性材料垫片作为校准件进行测量,用两路相干信号源通过注入端口输入到磁性材料垫片中产生无源互调信号,通过测试电路或测试仪器测量注入端口获得一系列合成源互调信号的幅度和相位;使用获得带有校准件的相位信息对待测器件的相位信息进行校准,测量出待测器件基于扫频间隔相对于注入端口的相位信息。本发明方法可准确测量出待测器件基于扫频间隔相对于注入端口的相位信息,以便应用于无源互调性质,无源互调定位等方面的研究。

    一种利用互调分量检测微波部件微放电的方法

    公开(公告)号:CN104062565B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410288806.5

    申请日:2014-06-24

    Abstract: 一种利用互调分量检测微波部件微放电的方法,这一方法的核心是利用多个信号输入被测系统或部件,由于微放电的非线性特性,使得输出产生输入的多个信号之间的互调信号,利用微放电发生前后互调信号幅度的变化来检测微放电现象。该方法主要包括以下几个步骤:对于单载波和脉冲工作条件下选择符合规则的连续波作为测试的辅助载波,对于多载波情况下不需要增加辅助载波;按照测试原理框图连接微放电检测系统;通过观测多个信号之间互调分量幅度变化来检测微放电现象。该方法与现有的微放电检测方法相比,都能灵敏可靠地检测微放电现象,但该方法检测设备更加简单,同时检测微放电的思想新颖。

    一种W波段高功率集成化合成倍频源

    公开(公告)号:CN105207623A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510633214.7

    申请日:2015-09-29

    Abstract: 一种W波段高功率集成化合成倍频源,输入信号为Ku波段,经过有源二倍频,产生Ka波段信号,然后经过一个Ka波段巴伦实现等幅反相功率分配,分配后的两路信号分别经过Ka波段功率放大,驱动各自支路的W波段无源三倍频器,所产生的W波段信号分别放大后进行功率合成输出。本发明采用功率合成倍频的方式提高输出功率,并通过在W波段功率合成部分增加机械调节机构实现功率合成的幅相平衡性调节,减小两合成支路间不平衡性对输出功率的影响,提高合成效率。同时在Ka巴伦部分采用电磁EBG结构实现腔体谐振抑制,增加腔体间隔离。最终实现覆盖75~110GHz全W波段的稳定集成化高功率输出倍频源。

    一种确定微波部件多载波微放电最坏状态的方法

    公开(公告)号:CN105072076A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510519286.9

    申请日:2015-08-21

    CPC classification number: H04L27/2601

    Abstract: 一种确定微波部件多载波微放电最坏状态的方法,首先通过在待分析微波部件容易放电的敏感部位放置电子,将电子等效为等离子体,通过等离子体频率确定其等效介电常数,通过电磁仿真或者解析计算获得端口反射系数可检测变化量对应的电子密度;其次采用全局优化算法,以初始相位组合的向量为优化变量,获得不同相位组合多载波信号时电子数目随时间的变化曲线,采用相邻两个包络周期电子数目的相对值和单个包络周期内微放电电子密度为判据,获得每种相位的微放电阈值,通过全局优化算法的种群调整获得能够以最小单路功率激励微放电的相位组合,即多载波微放电最坏状态。

    一种确定同轴结构微放电阈值的方法

    公开(公告)号:CN102880783B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201210264416.5

    申请日:2012-07-27

    Abstract: 一种确定同轴结构微放电阈值的方法,确定同轴结构中的电子运动轨迹及电子运动速度;将出射速度满足的麦克斯韦分布的概率转化为渡越时间的联合概率密度函数;分别对四类概率密度函数进行最大值和单调性处理,得到处理后的联合概率密度函数;将电子的碰撞动能作为材料的二次电子发射特性的入射电子能量,获得该渡越时间下电子碰撞时产生的二次电子倍增函数;构建微放电时电子数目满足的稳态方程;通过求解稳态方程中有效二次电子倍增率,判断该电压是否会发生微放电;采用二分法逐步计算下一电压的有效倍增率,该有效倍增率为1时对应的电压即为微放电阈值。本发明能够获得准确的微放电阈值,同时获得阈值的速度快。

    一种微波部件二次电子倍增仿真中粒子合并方法

    公开(公告)号:CN102930102B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201210433605.0

    申请日:2012-10-31

    Abstract: 本发明涉及一种微波部件二次电子倍增仿真中粒子合并方法,首先建立微波部件的三维几何模型并建立粒子模拟区域进行二次电子倍增效应数值模拟,然后设置粒子合并阈值并在粒子模拟区域的总粒子数目大于粒子合并阈值后进行粒子合并,通过将粒子按照速度相空间进行分类并按能量大小每四个粒子分为一个集合,在每个集合中将四个粒子合并为两个,并对剩余粒子进行补偿实现粒子模拟区域所有粒子的合并。本发明方法保证了合并前后粒子能量守恒与相空间分布一致,可在微波部件二次电子倍增仿真中多次应用,实现计算效率的成倍提高,非常适用于在一定硬件条件下大幅度提高大功率微波部件微放电、低气压放电数值分析效率。

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