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公开(公告)号：CN101540279A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910022011.9
申请日：2009-04-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/316 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N+离子到外延层中后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层SiO2，并在Ar气环境中退火；通过光刻版真空溅射Al作电极，并在Ar气环境中退火，完成电容器件制作。本发明具有精确控制N+剂量，SiC/SiO2界面陷阱密度低，工艺简单的优点，可用于提高N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性。
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公开(公告)号：CN109559346B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201811320330.3
申请日：2018-11-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于3D点云测量技术领域，公开了一种3D点云测量中的待测部位的定位及分割方法、扫描仪；首先用3D扫描仪对待测工件整体进行扫描，然后手动选取待测部位，测量该部位的参数；将其作为整体模板，选取的各个待测部位作为待测部位模板；将待测工件与整体模板进行匹配进行总体定位；最后通过待测部位模板将待测部位分割出来。本发明整个流程不到一分钟，大大减少了测量时间，且选取待测模板之后，无需人工操作，对工件的批量自动化检测具有很大的意义。本发明使用配准技术定位，使得工件不需要精确固定，使用更加灵活；采用邻近分割的方法使待测点云不局限于平面模型，而且不受工件的复杂度的影响，使得使用场景更广。
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公开(公告)号：CN109088664B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201811034323.7
申请日：2018-09-06
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司
IPC: H04B7/0452 , H04B7/0456 , H04J11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于块对角化和三角分解的自干扰抑制方法，其实现步骤是：首先利用最小二乘公式，得到每个用户的信道矩阵，利用块对角化算法得到每个用户的第一层预编码矩阵，将每个用户的第一层预编码矩阵乘以对应用户的信道矩阵，得到每个用户的等效信道矩阵，对每个用户的等效信道矩阵依次进行三角分解和奇异值分解，得到每个用户的第二层预编码矩阵，最后将每个用户的下三角矩阵的左酉矩阵的共轭转置矩阵，作为每个用户的接收译码矩阵。本发明能够消除用户间干扰，抑制用户自身多天线干扰，提高了系统用户传输速率，改善了系统下行链路的传输性能。
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公开(公告)号：CN109361438A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811246285.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司
IPC: H04B7/0452 , H04B7/0456 , H04L27/26
CPC classification number: H04B7/0456 , H04B7/0452 , H04L27/2691
Abstract: 一种连续优化匹配泄漏加权的信漏噪比预编码方法，其实现步骤是：得到每个用户的信道矩阵，利用信漏噪比预编码方法得到每个用户的初始预编码向量，再利用奇异值分解得到的每个用户的有效信道矩阵，连续优化每个用户的干扰泄漏矩阵，得到每个用户的有效干扰泄漏矩阵，对每个用户的有效干扰泄漏矩阵进行匹配加权，得到每个用户优化后的预编码向量，最后将每个用户的信道矩阵与预编码向量相乘得到的矩阵共轭转置，作为每个用户的接收译码矩阵。本发明用于多用户系统中消除用户间干扰，增强较差信道增益用户的性能，提升用户接收信号的质量与系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN109088664A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201811034323.7
申请日：2018-09-06
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司
IPC: H04B7/0452 , H04B7/0456 , H04J11/00
CPC classification number: H04B7/0452 , H04B7/0456 , H04J11/0026
Abstract: 本发明公开了一种基于块对角化和三角分解的自干扰抑制方法，其实现步骤是：首先利用最小二乘公式，得到每个用户的信道矩阵，利用块对角化算法得到每个用户的第一层预编码矩阵，将每个用户的第一层预编码矩阵乘以对应用户的信道矩阵，得到每个用户的等效信道矩阵，对每个用户的等效信道矩阵依次进行三角分解和奇异值分解，得到每个用户的第二层预编码矩阵，最后将每个用户的下三角矩阵的左酉矩阵的共轭转置矩阵，作为每个用户的接收译码矩阵。本发明能够消除用户间干扰，抑制用户自身多天线干扰，提高了系统用户传输速率，改善了系统下行链路的传输性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115565034A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211388623.1
申请日：2022-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06V20/70
Abstract: 本发明公开了一种基于双流增强网络的红外小目标检测方法，主要解决现有方法检测准确率较低的问题，实现步骤为：构建训练样本集和测试样本集；构建基于双流增强网络的目标检测网络模型：包括并行排布第一分支和第二分支双流增强网络，以及与该网络级联的融合模块的红外小目标检测网络O，第一分支网络根据低级特征从行和列两个方向提取目标的特征信息以获得更精细、完整的高级特征，有助于准确定位目标，第二分支中网络能够通过多尺度特征融合细化小红外目标的特征，从而抑制背景信息并保留小目标信息；通过对红外小目标检测网络模型O进行迭代训练，本发明能够提高红外小目标检测的准确率。
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公开(公告)号：CN108494442B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810228830.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司
IPC: H04B7/026 , H04B7/0413 , H04B15/00 , H04B17/391
Abstract: 本发明公开了一种异步协作通信系统的自适应均衡算法，该算法结合了粒子群优化算法，对传统LMS算法进行了改进，实现步骤为：建立异步协作通信系统模型；获取接收信号；利用粒子群算法和LMS算法对均衡器抽头系数进行训练；重复第二步和第三步直到达到规定的训练次数。本发明和传统LMS算法相比，在训练阶段有着更好的收敛性能；在检测阶段信噪比足够高时有着更好的误比特率性能。用于无线通信领域。
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公开(公告)号：CN105915231A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610213925.3
申请日：2016-04-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M13/11
CPC classification number: H03M13/1154
Abstract: 本发明公开了一种基于一种乘性重复叠加的长约束卷积码构造方法，主要解决现有技术因引入交织与解交织操作而造成的复杂度过高问题，其技术方案是：首先采用多元LDPC码作为基本码，并对发送的信息序列进行编码，得到多元LDPC码码字；然后将多元LDPC码码字与乘性因子序列进行乘性重复，得到乘性重复结果；再将所有的乘性重复结果进行叠加，得到乘性重复叠加结果；最后将原始多元LDPC码码字和乘性叠加结果一起传输。本发明与现有的分组马尔科夫叠加传输相比，其构造的长约束卷积码用乘性因子序列替换了交织器，避免了编译码过程中的交织解交织操作，适应于实际应用，可用于无线蜂窝通信系统。
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公开(公告)号：CN103297957B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310192030.2
申请日：2013-05-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无线自组网路由查询泛洪攻击的防御方法，包括以下步骤：(1)节点根据优先级缓存路由查询报文；(2)路由查询缓存区满时，根据报文丢弃方法丢弃路由查询报文；(3)节点按照优先级顺序，从路由查询缓存区取出路由查询报文进行处理；(4)每隔设定时间，节点计算邻居节点的优先级；(5)节点更新优先级监测表。该方法在网络中每个节点上进行邻居节点监视和缓存区管理，可以有效的防范多节点联合低速率路由查询泛洪攻击；并且能很好的适应无线自组网的分布特性，易于部署。
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公开(公告)号：CN101552192A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910022014.2
申请日：2009-04-14
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层25nm～85nm厚的SiO2；在SiO2层上，离子注入N+到SiC/SiO2界面，并在Ar气环境中退火；通过光刻版真空溅射Al作电极，并在Ar气环境中退火，完成电容器件的制作。本发明具有控制N+的剂量精确，SiC/SiO2界面陷阱密度低，且与现有工艺兼容的优点，可用于对N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性的改善。
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