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公开(公告)号：CN115809525A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211611189.9
申请日：2022-12-14
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G06F30/17 , G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/126 , G06N3/08 , G06F111/06 , G06F119/14 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种碳化硅双面散热功率模块优化设计方法、系统、设备及介质，包括：获取碳化硅双面散热功率模块的原始尺寸参数；根据碳化硅双面散热功率模块的尺寸参数与碳化硅双面散热功率模块各性能指标的对应关系，再以碳化硅双面散热功率模块的原始尺寸参数为输入参量，以碳化硅双面散热功率模块的各性能指标为优化变量，采用遗传算法确定若干组碳化硅双面散热功率模块的最优尺寸参数，该方法、系统、设备及介质能够实现对碳化硅双面散热功率模块的优化。
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公开(公告)号：CN115130052A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210893855.6
申请日：2022-07-27
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种用于无线充电系统的DD平面线圈优化方法及系统，为了消除磁芯对自感，互感计算和交流电阻的影响，采用了多重镜像法，将带磁芯DD平面线圈转为无磁芯DD线圈；将无磁芯DD线圈分为多个直线段，分别计算各段的自感值，同时计算每两段之间的互感值；根据电磁场叠加理论，通过累加各线段的贡献来计算总互感值与自感值。为了计算无磁芯DD线圈交流电阻，采用毕奥‑萨伐尔定律计算磁场分布。由于矩形无磁芯DD线圈结构复杂，无磁芯DD线圈的直线段被划分为多个微小单元，然后分别求解单个微小单元的电阻值，最后通过对微元直线段电阻值数值积分可以计算出无磁芯DD线圈的总交流电阻，相比于有限元仿真可以大大节省时间。
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公开(公告)号：CN114664810A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210270867.3
申请日：2022-03-18
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L25/065
摘要： 本发明公开了一种基于旁路铜柱散热的宽禁带功率半导体模块，若干串联或并联的宽禁带功率半导体芯片排布在功率基板上表面的导电金属基板上；顶部以及底部功率衬底由旁路铜柱、辅助铜柱进行支撑连接；旁路铜柱的布局设计使得功率模块中并联芯片散热环境相似、热耦合一致，达到芯片均温的效果；旁路铜柱的热量传递能力提供芯片向顶部功率衬底传导热量的通道，大幅提高芯片散热能力，适用于多个宽禁带半导体功率芯片并联的大电流等级功率模块。
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公开(公告)号：CN114553018A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210197783.1
申请日：2022-03-01
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明提供一种基于SiC模块的高功率密度通用电力电子模块，能够减小设计成本、保证系统整体可靠性、简化系统结构、提升整个系统的可操作性，可应用于大功率的电力电子变换器中。检测电路和控制电路集成在PCB上形成检测控制板，直流侧母排和直流滤波电容设置在检测控制板上，直流侧母排采用双层叠层母排，直流滤波电容分别与直流侧母排的DC+铜排和DC‑铜排连接，检测控制板上集成有通讯接口；SiC模块置于散热系统上，其源极与DC+铜排连接，漏极与DC‑铜排连接，SiC模块半桥与交流侧端子连接，SiC模块GS端通过对应引脚与驱动电路连接，解耦电容置于SiC模块的漏源极之间。
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公开(公告)号：CN112710940B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011541017.X
申请日：2020-12-23
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法，包括以下步骤：栅极驱动器输出的高电平电压Vgg、下桥臂SiC MOSFET的漏极外接引线端子G与母线电源的负极性端子S’之间的电压uGS’、外加驱动电阻Rg_de、栅极驱动器内部驱动电阻Rg_dr、下桥臂SiC MOSFET的栅漏极PCB布线产生的杂散电容Cdg’、SiC MOSFET漏源极电容两端的电压uDS及SiC MOSFET漏栅极电容两端的电压uDG，得SiC MOSFET的反向转移电容Cdg，该方法能够较为准确测量SiC MOSFET的反向转移电容，且测量较为简单。
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公开(公告)号：CN114417767A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210048189.6
申请日：2022-01-17
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G06F30/373 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种基于电感电流特征值的DAB电感损耗计算方法，针对双有源桥DAB电路电感损耗与温升，通过计算电感电流特征值，对传统计算磁芯损耗的iGSE方法进行了优化，提出了基于电流的iGSE磁芯损耗计算方法，并给出了基于电流的绕组损耗表达式。本发明最终提出了通过电感电流特征值对DAB电感总损耗进行计算的方法，解决了电感损耗计算耗费时间较长、计算较为复杂的问题，同时针对DAB电路给出了计算准确度较高的电感损耗计算方法，便于设计人员在设计过程中实现对电感温升的准确估计，保证DAB实际装置运行的可靠性。
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公开(公告)号：CN114400210A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210039284.X
申请日：2022-01-13
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/31
摘要： 本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
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公开(公告)号：CN113725209A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110865497.3
申请日：2021-07-29
申请人： 西安交通大学 , 国网安徽省电力有限公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/488 , H01L23/48 , H05K1/18
摘要： 本发明公开了一种SiC/Si Cascode器件用多芯片并联结构，包括低压Si MOSFET和SiC JFET，多个低压Si MOSFET和多个SiC JFET以共栅共源的方式连接构成一个SiC/Si Cascode器件；多个SiC JFET的源极之间通过桥接支路连接。本发明极大的抑制多个SiC/Si Cascode器件并联时开关过程中电流的不均衡，进而抑制并联芯片之间的开关损耗和结温差异，避免了局部热应力集中的情况，提高了并联整体的可靠性。
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