钼核燃料包壳管组合焊接装置

    公开(公告)号:CN111515561A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN202010272857.4

    申请日:2020-04-09

    Abstract: 本发明公开一种钼核燃料包壳管组合焊接装置,涉及焊接装置领域,包括:密封舱;旋转摩擦焊机,其设置于密封舱内,待焊接工件夹持于旋转摩擦焊机上;激光焊接机器人,其设置于密封舱内;用于储存惰性气体的气瓶;压力调节系统,其包括空气压缩机、真空泵、压力传感器以及第一电磁继电器,压力传感器用于检测密封舱内压力,压力传感器、空气压缩机以及真空泵均与第一电磁继电器电连接。该钼核燃料包壳管组合焊接装置即可进行负压环境激光焊接,又可进行高压环境旋转摩擦焊接。

    通过固体渗碳方式提高钼及钼合金熔焊焊缝强度的方法

    公开(公告)号:CN109943802A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201910324395.3

    申请日:2019-04-22

    Abstract: 本发明公开了一种通过固体渗碳方式提高钼及钼合金熔焊焊缝强度的方法,包括以下步骤:1)对熔焊焊缝进行表面预处理,其中,熔焊焊缝的材质为钼或钼合金;2)将熔焊焊缝埋入盛有石墨粉的坩埚中,并将石墨粉压实;3)将盛有熔焊焊缝的坩埚放置到惰性气体保护的加热炉中进行加热并保温,再随炉冷却至室温,完成熔焊焊缝的渗碳过程,然后打磨熔焊焊缝的表面,完成通过固体渗碳方式提高钼及钼合金熔焊焊缝的强度,该方法能够有效的减少杂质氧元素对晶界结合强度的弱化作用,并能提高已脆化熔焊焊缝的强度。

    一种应变垂直MOS器件的制造方法

    公开(公告)号:CN103887178B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201410119735.6

    申请日:2014-03-27

    Abstract: 一种应变垂直MOS器件的制造方法,在衬底上完成图形转移,再形成金属掩膜,通过进行刻蚀形成硅柱,减小硅柱直径,制备硅纳米线,并生长栅氧化层;淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子,形成环状栅极;在栅极外淀积应力氮化硅薄膜,形成应力衬垫层;进行离子注入,形成漏端n-掺杂区;对衬底的外围环状区域进行离子注入,形成漏端n+掺杂区;对硅纳米线上部进行P+离子注入,形成Halo掺杂结构,进行n型离子注入形成源端;淀积金属和合金。本发明提高纳米结点集成电路中器件的栅控能力,抑制短沟道效应和热载流子效应,提高载流子迁移率,增强电流驱动能力,在不降低器件性能的前提下缩小器件尺寸,以实现器件微型化的要求。

    一种三维力传感器切向力加载标定装置及方法

    公开(公告)号:CN114279631A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202210045531.7

    申请日:2022-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种三维力传感器切向力加载及标定装置及方法,利用传感器压板将三维力传感器沿法向压在力加载杆上,通过两个直线轴承与轴向定位板限制力加载杆只能沿竖直方向移动;通过在力加载杆上方不同重量的砝码实现不同大小切向力的加载,通过调整传感器与竖直方向的夹角,实现不同方向切向力的加载,从而实现三维力传感器的切向力加载与标定,本发明采用简单的砝码,不需要精确地位移控制与力的测量即可实现切向力的加载与标定,使用简单方便,测试成本低,三维力传感器的安装角度可以与重力方向呈任意角度θ,从而实现任意角度切向力的施加。

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