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公开(公告)号：CN116535238B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310467185.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明涉及一种一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法，实现了一维微纳米硅基陶瓷基底表面均匀定向生长辐射状SiC纳米线。本发明采用无催化剂辅助低压化学气相沉积工艺，以三氯甲基硅烷(MTS)为原料，在一维微纳米硅基陶瓷基底表面制备辐射状SiC纳米线。本发明所提供的技术方案制备工艺简单，SiC纳米线纯度高，工艺普适性强，适合于不同尺寸的一维微纳米硅基陶瓷基底，工艺具有良好的可重复性。另外，辐射状SiC纳米线的生长无需催化剂的辅助，一方面简化了制备工艺，另一方面避免了催化剂的污染。所制备的SiC纳米线与一维微纳米硅基陶瓷基底之间结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化方面中将具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116120097B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310061814.5
申请日：2023-01-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构增韧SiC涂层及制备方法，采用三步法，首先在利用CVD技术在C/C复合材料表面制备SiC纳米线，然后利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法以甲烷为碳源获得SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构，最后利用LPCVD技术获得SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构增韧SiC涂层。本技术方法在SiC涂层内部引入SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构，可有效缓解涂层与C/C基体之间由于热膨胀系数而造成的界面应力，对SiC涂层具有显著的增韧效果，并提升涂层的力学性能。本发明所提供的技术方案，制备方法简单，可重复性强，可控性高，为涂层多尺度增韧设计提供了新思路，具有大规模工业生产的潜力。
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公开(公告)号：CN116590690A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310467184.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种定向SiC纳米线阵列表面二次生长超细SiC纳米线、制备方法及应用，首先采用催化剂辅助化学气相沉积工艺在碳纤维布表面制备定向SiC纳米线阵列，随后以定向SiC纳米线顶端催化剂颗粒为二次生长SiC纳米线的催化剂，采用负压化学气相沉积工艺在定向SiC纳米线顶端二次原位生长超细SiC纳米线，得到类似洋葱花形状的多级结构SiC纳米线。所制备的多级结构SiC纳米线在多个领域具有可观的发展前景。超细SiC纳米线生长方向随机分布，纳米线间弯曲缠绕形成三维网络结构，增大了基底的比表面积，可在超级电容器电极方面具有广泛应用潜力；此外，超细SiC纳米线与定向SiC纳米线阵列的结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化领域应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN116535238A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310467185.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明涉及一种一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法，实现了一维微纳米硅基陶瓷基底表面均匀定向生长辐射状SiC纳米线。本发明采用无催化剂辅助低压化学气相沉积工艺，以三氯甲基硅烷(MTS)为原料，在一维微纳米硅基陶瓷基底表面制备辐射状SiC纳米线。本发明所提供的技术方案制备工艺简单，SiC纳米线纯度高，工艺普适性强，适合于不同尺寸的一维微纳米硅基陶瓷基底，工艺具有良好的可重复性。另外，辐射状SiC纳米线的生长无需催化剂的辅助，一方面简化了制备工艺，另一方面避免了催化剂的污染。所制备的SiC纳米线与一维微纳米硅基陶瓷基底之间结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化方面中将具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116102017A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310062237.1
申请日：2023-01-14
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01B32/977
Abstract: 本发明涉及一种石墨纸表面海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇及制备方法，通过改变聚碳硅烷与氮源的质量比，氮源种类和热处理温度等工艺参数，在石墨纸表面制备出海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇。本发明所制备的SiC纳米线，具有波动直径的锥形形状和锋利而清晰的尖端，并在石墨纸表面原位生长形成了海胆状SiC纳米线团簇，同时实现了大面积、可重复地原位生长海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇的效果。该方法操作简单，工艺可控，可重复性强，所制备的氮掺杂SiC纳米线长径比高，产量高，纯度高，为海胆状SiC纳米线团簇的原位生长提供了一种新的技术和方法，有望在能量存储和转换、场发射器、复合材料、纳米增强体和光电探测器等领域得到广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113048924B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202110266784.2
申请日：2021-03-12
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供一种利用外形测量数据校准CT测量数据的方法，属于工业CT无损检测技术领域。针对工业CT测量误差来源复杂、溯源困难的问题，本方法根据外形测量器具种类较多且容易获得的实际情况，利用外形测量数据高精度、高可靠性的特点，通过测量零件相同部位几何尺寸获取CT的测量偏差，然后采用先测量再校准或先校准再测量的方式实现CT测量精度的提升。该方法不需要研制专用的标准件，不受零件材料、结构、尺寸等因素影响，适用性广，可有效提高CT测量结果的精度和可靠性。
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公开(公告)号：CN115687889A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211401895.0
申请日：2022-11-08
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F18/00 , G06F18/241 , G06N20/00
Abstract: 本发明公开了一种基于改进后WOA‑ELM的情绪识别的新方法。通过引入改进后的鲸鱼优化算法(WOA)达到自动优化识别系统与特征集合的目的，解决了人之间脑电信号存在较大差异、各类情绪识别算法的三类特征信息中部分缺失等问题。具体通过引入自适应tanh函数对传统WOA算法的策略执行方面所存在的缺点进行改进，改进后的WOA算法具备更快的收敛速度与更强的全局搜索能力，并采用改进后WOA算法代替人工同时完成脑电情绪识别方法中参数调节与特征集合优化的两个关键步骤获得对单个被试脑电情绪分类的最优处理方法来训练最佳模型得到最佳情绪识别准确率。本发明意义在于提出了一种可以自动化寻优迭代的脑电情绪识别新方法，有效补偿了现有技术的不足，启发式算法与人工智能相结合，实现对单个被试的情绪识别最完备特征优化并对该特征组合使用最佳ELM分类模型进行识别。
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公开(公告)号：CN119504281A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411729066.4
申请日：2024-11-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/83 , C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于碳纤维增强碳基复合材料制备技术领域，公开了一种钨改性C/C复合材料及其制备方法，将C/C复合材料放置在滤膜上，对钨粉的悬浊液进行抽滤，得到钨粉与C/C复合材料复合的第一复合结构，将第一复合结构烘干；对干燥的第一复合结构进行沉碳致密化，得到钨改性C/C复合材料。本发明涂层与基体界面处，钨呈锯齿状分布，显著增强了涂层与基体之间的结合力。在烧蚀初期，涂层钨将复合材料表面的热量传递至基体，基体钨再将热量传递至材料内部，降低材料表面集中的热应力。随着温度的逐渐升高，基体钨先与C发生化学反应而强烈吸热以及表面氧化形成的WO3蒸发吸热，降低了复合材料表面的加热速率和烧蚀温度，能够有力地提高材料抗烧蚀性。
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公开(公告)号：CN119274542A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411529131.9
申请日：2024-10-30
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于图论的Transformer自动语音识别模型的性能分析方法，属于人工智能与语音识别领域。包括：获取Transformer自动语音识别模型，获取音频数据；将音频数据输入Transformer自动语音识别模型，通过前向传播获取模型中各层的多个注意力头的权重矩阵，提取模型输出的单词文本；对每个注意力头的权重矩阵在给定时间内进行求平均处理，得到该注意力头的人工神经活动；使用皮尔逊相关系数对所述注意力头的人工神经活动进行相关性计算得到相关系数，基于相关系数构建功能连接矩阵；计算功能连接矩阵的图论参数；计算输出的单词文本的单词错误率；基于图论参数和单词错误率，分析Transformer自动语音识别模型的性能。本发明方法对Transformer自动语音识别模型的性能分析提供依据。
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