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公开(公告)号：CN106711762A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710045602.2
申请日：2017-01-20
Applicant: 西北工业大学
CPC classification number: H01S5/183 , H01S5/0206 , H01S5/187
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，并且更特别地，涉及一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。针对现有技术中可调谐垂直腔面发射激光器制造工艺成品率低，价格高昂的技术问题，本发明提出了一种新型的可调谐垂直腔面发射激光器的制备方法。通过利用黑蜡作为支撑层结合ELO工艺剥离外延层；避免了等离子体刻蚀的操作步骤，显著降低了可调谐垂直腔面发射激光器的制造成本，提高了制造成品率。
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公开(公告)号：CN119581441A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411577083.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L23/373 , H10D8/00
Abstract: 本发明涉及具有金刚石‑石墨烯复合散热结构的耿氏二极管及其制备方法，该耿氏二极管包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层的上表面；沟道层，位于缓冲层的上表面；第一帽层，位于沟道层的上表面的一侧；钝化层，位于沟道层的上表面，且钝化层的一侧紧靠第一帽层；金刚石散热层，位于钝化层的上表面；第二帽层，位于钝化层的远离第一帽层的一侧；阴极和阳极，分别位于第一帽层和第二帽层的上表面；石墨烯层，覆盖金刚石散热层、阳极和沟道层的上表面。该方法可以大幅降低耿氏二极管内部的热积累，显著提高散热性能，降低工作期间产生的温度，有效降低热效应造成的工作效率下降的概率，延长耿氏二极管的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119336700A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411319260.5
申请日：2024-12-17
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于DSP芯片的动态局部可重构方法，在DSP运行过程中，通过外设接口接收外部命令及数据，将应用程序中拟重构函数的相关数据更新，以完成局部重构功能，无需断电重启，且不影响程序中的其余模块。该方法以应用程序中调用的函数为局部重构的元素，以TI TMS320C6678多核DSP芯片为硬件载体，验证了该方法的有效性，国产飞腾FT‑M6678亦适用。
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公开(公告)号：CN118646436A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410861512.0
申请日：2024-06-28
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本申请的实施例涉及反向散射通信技术领域，公开了一种基于整流负载调制的极化可调反向散射无源终端，包括：共口径的正交双极化天线、正交耦合电路、改进整流电路、电源管理电路、传感器和MCU；共口径的正交双极化天线的水平极化端与垂直极化端分别和正交耦合电路的输入端与隔离端连接，正交耦合电路和改进整流电路连接，改进整流电路和电源管理电路连接，第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极可选择地和MCU连接；本申请的实施例提供的一种基于整流负载调制的极化可调反向散射无源终端，通过引入以晶体管为负载的整流器，根据晶体管不同的连接方式，可以在无电源且电路较为简单的条件下实现多传感器信号的采集以及高隔离传输。
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公开(公告)号：CN115513050A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211012216.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种新型氮化镓外延材料的刻蚀方法，具体操作包括生长掩膜层；刻蚀掩膜图形；等离子体刻蚀；湿法溶液处理；重复干湿法刻蚀；去除掩膜层；清洗烘干。本发明采用基于等离子体和湿法溶液共同处理的新型刻蚀方法，通过交替循环执行干湿法刻蚀，达到刻蚀速率可控、刻蚀深度可控和表面形态可控的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111463273A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010218097.9
申请日：2020-03-25
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体提供了一种基于氮化镓异质结外延的长关型HEMT器件，包括最底层的高阻Si衬底以及依次从下到上堆叠的AlGaN\AlN缓冲层、GaN外延层、AlN插入层、AlInGaN势垒层、GaN帽层和顶层的栅电极、源漏电极，其具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零反向恢复电荷、体积小和能耗低、抗辐射等优势。本发明还提供了一种基于氮化镓异质结外延的长关型HEMT器件的制备方法，其成本低廉，工艺简单，可进行工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN110993503A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911166674.8
申请日：2019-11-25
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/267 , H01L29/778 , H01L31/0336 , H01L31/111 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种基于氧化镓/钙钛矿传输层异质结的n型晶体管的制备方法，晶体管包括n型β-Ga2O3衬底、生长在所述n型β-Ga2O3衬底表面两端的源电极和漏电极、生长在n型β-Ga2O3衬底表面位于源电极和漏电极中间的电子传输层、生长在所述电子传输层表面的钙钛矿光吸收层、生长在所述钙钛矿光吸收层表面/背面的栅介质绝缘层以及生长在栅介质绝缘层表面的栅电极，制备方法公开了具体的制备步骤，以上制备方法以及制备的晶体管提高了现有技术中的Ga2O3晶体管器件的迁移率、开关比等重要参数。
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公开(公告)号：CN110649092A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910881440.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/267 , H01L29/47 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种二维材料异质结背栅负电容隧穿晶体管，包括：半导体衬底(1)、第一高k介质层(2)、铁电材料层(3)、第二高k介质层(4)、第一二维材料层(5)、第二二维材料层(6)、金属源电极(7)、金属漏电极(8)，其充分发挥了负电容和二维材料的优势，提高了隧穿场效应晶体管的开态电流，降低了隧穿场效应晶体管的关态电流；还公开了一种二维材料异质结背栅负电容隧穿晶体管的制备方法，包括各材料层的生长方法，由于采用背栅结构，该器件制备工艺简单，与传统的半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN106784042B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201611090967.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及电池制造技术领域，提供了一种制备杂化太阳能电池的方法，通过插指电极刷图法、电池导电薄膜喷涂法，实现在低温环境下制备杂化太阳能电池，并且不影响电池其它方面的性能，从而有效提高了杂化太阳能电池制造的自动化水平，避免了在插指电极制造过程中由于高温工艺而对有机薄膜造成损伤，提高了电池的使用效率，简化了杂化太阳能电池的制备方法。
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公开(公告)号：CN119855224A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510009814.X
申请日：2025-01-03
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及基于InP衬底的SRD与耿氏二极管集成器件及其制备方法，器件包括：InP衬底、缓冲层、阴极接触层、N夹层、阳极接触层、器件隔离槽、电极凹槽、阳极和阴极，其中，InP衬底、缓冲层、阴极接触层、N夹层和阳极接触层自下而上依次设置；N夹层的掺杂浓度自下而上逐渐增大；器件隔离槽由阳极接触层的上表面贯穿至缓冲层的下表面；器件隔离槽的一侧为SRD区，另一侧为耿氏二极管区。本发明在同一个衬底上制备SRD和耿氏二级管，并通过N夹层渐变的掺杂浓度，减小SRD的阶跃时间，增大耿氏二极管的振荡频率，避免了器件分离设计带来的体积大、损耗高、组装复杂等问题，实现紧凑高效的脉冲生成与高频振荡功能。
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