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公开(公告)号：CN111384940B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201911290130.2
申请日：2019-12-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器，当输入电压低至0V时，所有MOS管都能够充分工作在饱和区，因而能够保证电压跟随器能够正常工作；随着输入电压增高，PMOS管P9漏端电压会迫近电源电压VDD，此时PMOS管P9进入线性区，导致PMOS管P9的栅极电压急剧下降，但是只要没有下降到迫使NMOS管N3进入线性区，电压跟随器仍能正常工作。因此PMOS管P9栅极电压可以低至小于2Vdsat，PMOS管P9的栅极电压允许摆幅得到较大的扩展。
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公开(公告)号：CN110011627B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201910344477.4
申请日：2019-04-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种宽输入范围高共模抑制比运算跨导放大器，包括偏置电路和运算跨导放大器主体电路，所述偏置电路为运算跨导放大器主体电路提供偏置电流；本发明的优点在于，能够在输入共模电压较大变化范围内实现较好CMRR性能的同时，维持输入差分对跨导值的稳定，且输入级尾电流源在较低压降时仍然能够提供较为恒定的偏置电流。
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公开(公告)号：CN109546975B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910086766.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种适应于深亚微米CMOS工艺的电源电压较低特点的运算跨导放大器，包括带有差分输入级和共源输出级的基本结构，以及给差分输入级提供偏置电流的自适应偏置镜像电流源电路。在深亚微米CMOS工艺下(标称电源电压为1～1.2V)，本发明运算跨导放大器的输入偏置电压仍然能够设置成与输出共模电压VOCM相等的值，即电源电压的一半，虽然此时尾电流源的压降很小，但是仍能维持恒定电流，因而本发明的运算跨导放大器仍然可以获得较高的共模抑制比。基于本发明的运算跨导放大器的反相比例放大器不但在维持最大输入输出摆幅的同时规避了建立问题，而且不再需要额外的输入共模反馈电路。与传统结构相比，额外增加的NMOS管和偏置恒定电流源仅对运算跨导放大器贡献共模噪声，不会带来闭环带宽减小、噪声恶化等问题。
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公开(公告)号：CN109283965B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811469369.1
申请日：2018-11-28
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种低压降镜像电流源电路,包括镜像对称的第一PMOS管P1和第二PMOS管P2、以及第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2；第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，第二参考电流源I2的一端接地，第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，第一PMOS管P1的漏极连接到第二NMOS管N2的栅极并作为电流输出端，第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管N1的漏极和栅极。本发明能够实现更稳定输出电流的同时降低所需电流源压降。
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公开(公告)号：CN110011627A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910344477.4
申请日：2019-04-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种宽输入范围高共模抑制比运算跨导放大器，包括偏置电路和运算跨导放大器主体电路，所述偏置电路为运算跨导放大器主体电路提供偏置电流；本发明的优点在于，能够在输入共模电压较大变化范围内实现较好CMRR性能的同时，维持输入差分对跨导值的稳定，且输入级尾电流源在较低压降时仍然能够提供较为恒定的偏置电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103744283B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410037275.2
申请日：2014-01-26
Applicant: 苏州大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开一种碱金属谐振器及其制备方法。碱金属谐振器是由玻璃-硅-玻璃，通过两次静电键合，形成的三明治结构。碱金属通过谐振器侧面预留通孔移植到碱金属谐振腔内；然后，用低温焊料，在手套箱中完成碱金属谐振器的封闭操作。本发明采用了MEMS的工艺，可以进行批量生产，成本低；另外，碱金属的移植是在静电键合工艺过程之后进行的，不会影响静电键合质量；碱金属谐振腔内植入是纯碱金属，不含任何其余物质，不会影响信号质量；不需要对碱金属做任何处理，有效的降低了碱金属谐振器制造成本和制作周期。
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公开(公告)号：CN103454902A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310252462.8
申请日：2013-06-24
Applicant: 苏州大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种原子钟，由电子学系统和物理封装构成，所述物理封装包括激光器、转换光路、1/4波片、碱性原子泡气室和光电探测器，其特征在于：所述转换光路包括四端口光纤耦合器、与光纤耦合器相连的四条光纤、自聚焦透镜和增反膜，所述激光器的输出端连接第一光纤，第二光纤连接自聚焦透镜，第三光纤连接光电探测器；所述增反膜位于碱性原子泡气室的出射侧，将出射光反射回碱性原子泡气室。本发明可以使得激光器和光电探测器远离碱性原子泡气室，减少温度和磁场对其的影响，提高原子钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN102945066A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210420376.9
申请日：2012-10-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种带压力敏感膜的电子记事本，包括输入模块和控制模块，其特征在于：所述输入模块主要由硬板和复合在硬板上的压力敏感膜构成，所述压力敏感膜的可操作区域不小于B5；所述压力敏感膜的输出信号端与所述控制模块的输入端口间形成电学连接；所述控制模块中设有控制面板，控制面板上设有人机交互界面。本发明对纸张和笔没有特殊要求，能够适应普通人的书写和使用习惯，有利于使用者保持思路流畅，可提高课堂学习、会议工作的效率，符合信息化时代的要求，有利于人们的交流、传输和存储。
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公开(公告)号：CN102929349A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210420386.2
申请日：2012-10-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种带折叠标准键盘的电子记事本，包括主控模块、显示模块、输入模块和电源模块，其特征在于：所述输入模块为可折叠标准键盘，键盘经主控模块上的接口与主控模块连接；所述主控模块和电源模块设置在一壳体内；所述显示模块为LCD显示屏模块，所述壳体上设置有插拔接口，LCD显示屏模块经插拔接口与主控模块连接。本发明具有部件少、重量轻、折叠后体积小、便于携带、耗电少的特点，尤其适合于习惯标准键盘输入或对标准键盘依赖强的计算机爱好者或计算机专业人士。
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公开(公告)号：CN112865710B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110079667.5
申请日：2021-01-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种折叠式共源共栅结构全差分运算放大器，包括PMOS管P1、PMOS管P2、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7和NMOS管N8；在PMOS管P1的源极引入偏置电流源IB2，在PMOS管P2的源极引入偏置电流源IB3，并在NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7和NMOS管N8之间引入辅助放大器A；以及在NMOS管N1和NMOS管N2之上添加NMOS管N3和NMOS管N4，以提高输出电阻。本发明能够在不引入额外功耗的情况下增强折叠点的等效电阻，因而具有比传统结构高的直流电压增益，因此，可以大幅降低连接到折叠点的相关MOS管的沟道长度而不用担心直流电压增益不足，从而能够极大地降低折叠点的寄生电容以实现更宽的带宽。
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