公开(公告)号：CN101950922A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010223995.X

申请日：2010-07-02

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 仓本大 ,  大木智之 ,  菅原智也 ,  横山弘之

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01S5/06216 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0602 ,  H01S5/06253 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供了一种超短脉冲和超高功率激光二极管元件，其能够以简单成分和简单结构输出具有更高峰值功率的脉冲激光。所述激光二极管元件包括：层叠结构，其包括包含n型杂质的第一化合物半导体层、具有量子阱结构的活性层以及包含p型杂质的第二化合物半导体层；第一电极，其电连接于所述第一化合物半导体层；以及第二电极，其电连接于所述第二化合物半导体层，其中，所述第二化合物半导体层设有厚度为1.5×10-8m以上的电子势垒层，且由具有阈值电流值的10倍以上大小的值的脉冲电流进行驱动。通过将激光二极管元件与可商业获得的电驱动电子元件组合，可以容易地得到具有瓦级以上峰值光强度的激光二极管装置(激光源)。

公开(公告)号：CN102570298B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201110319081.8

申请日：2011-10-19

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 横山弘之 ,  河野俊介 ,  仓本大

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/14 ,  H01S5/068

CPC classification number: H01S5/0657 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/141 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了激光二极管组件和半导体光学放大器组件。该激光二极管组件包括：锁模激光二极管器件，其中光输出谱通过自相位调制示出长波位移，外部谐振器和波长选择元件。由该波长选择元件提取从该锁模激光二极管器件穿过该外部谐振器发射的脉冲激光束的长波分量，并输出至外部。

公开(公告)号：CN101847826B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010138524.9

申请日：2010-03-19

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 渡边秀辉 ,  宫岛孝夫 ,  池田昌夫 ,  大木智之 ,  仓本大 ,  横山弘之

IPC: H01S5/0625 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/0625 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0602 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/14 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。

公开(公告)号：CN102629732A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210020425.X

申请日：2012-01-29

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 渡边秀辉 ,  幸田伦太郎 ,  仓本大 ,  长沼香 ,  横山弘之

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/141 ,  H01S5/342 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4006 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/176

Abstract: 本申请提供了一种具有阻止制造成本的增加与成品率和可靠性的减小的结构和构造并包括倾斜波导的次载具、次载具组件和次载具装配方法。具有第一表面并允许包括波导的半导体发光元件固定在第一表面上的次载具，波导具有相对于半导体发光元件的光入射/出射端面的法线倾斜θWG(度)的轴线，并由具有折射率nLE的半导体材料制成，次载具包括：第一表面上的熔接材料层；以及形成于熔接材料层中的对准标记，允许以角度θSM＝sin-1[nLE·sin(θWG)/n0]识别对准标记，其中，半导体发光元件的光入射/出射端面的外部附近的透光介质的折射率是n0。

公开(公告)号：CN102315587A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110185443.9

申请日：2011-06-30

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大木智之 ,  幸田伦太郎 ,  仓本大 ,  宫嶋孝夫 ,  横山弘之

IPC: H01S5/04

CPC classification number: H01S5/50 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/141 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4006

Abstract: 本发明提供一种半导体光放大器对准方法和一种用于进行该半导体光放大器的对准方法的光输出器件，其中，所述半导体光放大器对来自激光源的激光进行光学放大并输出所光学放大的激光。该对准方法包括以下步骤：通过在使来自所述激光源的所述激光进入所述半导体光放大器的同时向所述半导体光放大器施加给定值的电压(电流)，调整所述半导体光放大器与进入所述半导体光放大器的所述激光的相对位置，使得所述半导体光放大器中的电流(电压)成为最大值。根据本发明，能够在不依靠外部监测器件的情况下实现入射激光与半导体光放大器的光波导之间的耦合效率的优化。