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公开(公告)号：CN114649452A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111541579.9
申请日：2021-12-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供发光装置和投影仪。该发光装置能够减小发光强度在电极的外缘附近的降低量。发光装置具有n个柱状部和向所述n个柱状部注入电流的电极，所述n个柱状部各自具有第1半导体层、导电型与所述第1半导体层不同的第2半导体层以及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层，从所述第1半导体层与所述发光层的层叠方向观察时，所述n个柱状部中的p个第1柱状部不与所述电极的外缘重叠，所述n个柱状部中的q个第2柱状部与所述电极的外缘重叠，所述q个第2柱状部中的中心与所述电极重叠的第2柱状部的数量比中心不与所述电极重叠的第2柱状部的数量多。其中，n＝p+q。
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公开(公告)号：CN110546833B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201880026637.4
申请日：2018-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01S5/042
Abstract: 提供发光装置以及投影仪，其能够抑制漏电流。发光装置包含：基体；第1半导体层，其具有第1导电型；第2半导体层，其具有与所述第1导电型不同的第2导电型；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光；以及第3半导体层，其设置在所述基体与所述第1半导体层之间，具有所述第2导电型，所述第1半导体层设置在所述第3半导体层与所述发光层之间，所述第3半导体层具有凹凸构造。
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公开(公告)号：CN102368045B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110174673.5
申请日：2011-06-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 野田贵史
IPC: G01J5/34
CPC classification number: G01J5/02 , G01J5/024 , G01J5/0285 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/34 , H01L37/02
Abstract: 本发明提供了热电型检测器、热电型检测装置和电子设备。该热电型检测器包括电容器的热电型检测元件搭载于面对空穴部而由支撑部支撑的支撑部件上，其中，所述电容器包括：第一电极、第二电极以及配置在这些电极之间的热电材料。其层叠顺序为沿第一方向，支撑部、支撑部件、热电型检测元件的顺序，其中，支撑部件在至少与第一电极连接的所述第一面侧具有第一绝缘层，在将与所述第一方向相反的方向作为第二方向时，第一绝缘层与比该第一绝缘层更位于所述第二方向侧上的第二绝缘层相比，氢含有率更小。
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公开(公告)号：CN102313602A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110174431.6
申请日：2011-06-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 野田贵史
CPC classification number: G01J5/02 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/34 , H01L37/02
Abstract: 本发明提供了热电型检测器、热电型检测装置和电子设备。搭载在面对空穴部而配置的支撑部件上部的热电型检测元件具有电容器以及层间绝缘层，电容器包括在包括第一区域和第二区域的第一电极的第一区域上部形成的热电材料、以及形成在热电材料上部的第二电极；层间绝缘层覆盖电容器的表面并具有通到第一电极的第二区域的第一接触孔以及通到第二电极的第二接触孔。并且，在与嵌入到第一接触孔的第一插头连接的第一电极配线层和与嵌入到第二接触孔的第二插头连接的第二电极配线层中，第二电极配线层的热传导率比第二插头部分的第二电极的热传导率低。
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公开(公告)号：CN114069386B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202110856048.2
申请日：2021-07-28
Abstract: 本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流泄漏的发光装置。一种发光装置，包括具有多个柱状部的层叠体，所述柱状部包括第一半导体层、导电型与所述第一半导体层不同的第二半导体层、以及设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层，其中，所述第三半导体层具有发光层，所述第二半导体层包括：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114361946A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111187770.8
申请日：2021-10-12
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种发光装置及投影仪，其可减小由第一阱层与第一GaN层的晶格常数差引起的结晶缺陷的产生的可能性。一种发光装置，具有：基板；以及层叠体，设置于基板且具有柱状部，所述柱状部具有：第一导电型的第一GaN层；第二导电型的第二GaN层，与所述第一导电型不同；以及发光层，设置于所述第一GaN层与所述第二GaN层之间，所述第一GaN层设置于所述基板与所述发光层之间，所述发光层具有作为InGaN层的第一阱层，所述第一GaN层具有c面区域，所述第一GaN层具有立方晶的结晶结构，且具有构成所述c面区域的第一层，在所述第一层与所述第一阱层之间设置有作为具有六方晶的结晶结构的GaN层的第二层。
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公开(公告)号：CN110546833A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026637.4
申请日：2018-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01S5/042
Abstract: 提供发光装置以及投影仪，其能够抑制漏电流。发光装置包含：基体；第1半导体层，其具有第1导电型；第2半导体层，其具有与所述第1导电型不同的第2导电型；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光；以及第3半导体层，其设置在所述基体与所述第1半导体层之间，具有所述第2导电型，所述第1半导体层设置在所述第3半导体层与所述发光层之间，所述第3半导体层具有凹凸构造。
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公开(公告)号：CN104075810B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201410105432.9
申请日：2014-03-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明提供能够提高红外线传感器的灵敏度的红外线传感器、热检测元件及使用它的热检测方法。上述红外线传感器具备依次层叠有第1电极11、电介质膜12和第2电极13的热检测元件10以及电荷检测机构21，电介质膜12显示反铁电性，且在规定的测定环境下具有自发极化，电荷检测机构21算出因自发极化的变化而流通的松弛电流量，基于松弛电流量的温度依赖性，检测热检测元件10的热。
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公开(公告)号：CN104075813B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410105589.1
申请日：2014-03-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高红外线传感器的灵敏度的红外线传感器和热检测元件。上述红外线传感器具备基于电阻值的变化来检测热的热检测元件，该热检测元件具备第1电极6、第2电极7以及设置于第1电极6和第2电极7之间且至少含有Bi和Fe的电介质膜8。
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公开(公告)号：CN102368046B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201110177237.3
申请日：2011-06-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 野田贵史
IPC: G01J5/34
CPC classification number: G01J5/34
Abstract: 本发明提供了热电型检测器、热电型检测装置和电子设备。该热电型检测器具有：热电型检测元件，该热电型检测元件包括具备热电材料的电容器和保护电容器免受还原气体侵入的第一还原气体阻隔膜；搭载热电型检测元件的支撑部件；以及支撑该支撑部件的一部分从而将热电型检测元件热分离的支撑部。支撑部件包括搭载电容器的搭载部件和与搭载部件连结的臂部件，第一还原气体阻隔膜被形成为在搭载部件的第一外周缘与电容器的第二外周缘之间具有第三外周缘的孤立图案。
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