公开(公告)号：CN102193262A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110058400.4

申请日：2011-03-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  安川昌宏 ,  胁田贤

IPC: G02F1/1362 ,  G03B21/00 ,  H01L27/12 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及电光装置，其包括：在基板上对每个像素设置的像素电极；在基板和像素电极之间与像素电极对应设置的晶体管；第1电容电极，其被设置在像素电极和晶体管之间，并与像素电极和晶体管电气连接；第2电容电极，其在像素电极和第1电容电极之间隔着电容绝缘膜与第1电容电极相对地配置，并被提供规定的电位；遮光膜，其被设置成在像素电极和第2电容电极之间与晶体管至少部分地重叠，并经由在配置在该遮光膜与第2电容电极之间的绝缘膜上开孔的接触孔与第2电容电极电气连接。

公开(公告)号：CN101388400A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215918.2

申请日：2008-09-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔 ,  石井达也

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/42384 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及一种电光装置及其制造方法以及电子设备。在液晶等的电光装置中，减少光泄漏电流的发生，能够显示高品质的图像。该电光装置具备：基板(10)；数据线(6a)及扫描线(11a)，在基板上相互交叉进行延伸；像素电极(9a)，设置于与数据线及扫描线的交叉处相对应而规定的每个像素中；半导体层(1a)，具有沟道区域(1a′)、数据线侧源漏区域(1d)、像素电极侧源漏区域(1e)、第1结区域(1b)及第2结区域(1c)；第1绝缘膜(31a)，覆盖第1结区域被设置为岛状；第2绝缘膜(31b)，覆盖第2结区域被设置为岛状；栅电极(3a)，隔着栅绝缘膜(2)与沟道区域相对，并且延伸到第1及第2绝缘膜上。

公开(公告)号：CN1991937A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610171446.6

申请日：2006-12-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L29/78633 ,  H01L27/124

Abstract: 在液晶等电光装置中，耐光性优异，能够进行高品质的显示。液晶装置在TFT阵列基板10上具备：相互交叉地延伸的数据线6a和扫描线3a；在TFT阵列基板10上平面看配置在与数据线6a和扫描线3a对应地规定的每个像素中的像素电极9a；与像素电极9a电连接的TFT30。进而，具备在TFT阵列基板10上平面看配置在包含与TFT30的沟道区域1a’相对的区域的区域并且配置在与TFT30的半导体膜不同的层、包含无定形WSi膜320而构成的电容线300。

公开(公告)号：CN1697128A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510069239.5

申请日：2005-05-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森胁稔

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  G09F9/30 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/76804 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：在基板上形成多个导电层的工序；分别形成多个层间绝缘层的工序；对于多个层间绝缘层之中的下部层间绝缘层和上部层间绝缘层，形成贯通上部层间绝缘层到达下部层间绝缘层内的第1孔并且至少将位于第1孔内的上部层间绝缘层和下部层间绝缘层的界面的侧壁的一部分利用干蚀刻法形成的工序；形成至少将上述界面覆盖的保护膜的工序；通过形成了保护膜的第1孔使用蚀刻法形成贯通下部层间绝缘层的第2孔而形成接触孔的工序；以及通过接触孔将下部导电层和上部导电层相互电连接的工序。