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公开(公告)号：CN105658377A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480054424.4
申请日：2014-10-02
Applicant: 福吉米株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够对具有各种形状的被研磨加工物进行研磨的研磨装置以及研磨方法。研磨装置包括：马达移动机构(33)，其用于使被研磨加工物(K)沿着研磨构件(10)的径向上的外周面的切线方向移动的同时使被研磨加工物(K)沿着与研磨构件(10)的旋转轴线正交的方向移动；第2马达(30)，其用于使被研磨加工物(K)旋转。
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公开(公告)号：CN105636743A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480054332.6
申请日：2014-10-02
Applicant: 福吉米株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够容易对具有与平面状不同的形状的研磨面进行形状加工或形状修正的研磨装置。研磨装置包括：研磨构件(10)，其具有呈与被研磨加工物(K)的端部(KE)的形状相匹配的形状的研磨面；工具(41)，其具有与端部(KE)的形状相同的形状，作为用于将研磨构件(10)的研磨面加工成与端部(KE)的形状相匹配的形状的形状加工用切削工具或用于将所述研磨面修正为与所述研磨部形状相匹配的形状的表面修正用工具发挥功能；以及接触机构(40)，其用于使工具(41)接触于研磨构件(10)的研磨面。
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公开(公告)号：CN102190963B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110066020.5
申请日：2011-03-08
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物，该抛光组合物至少包含磨粒和水，并且用于对被抛光物体进行抛光。对磨粒进行选择以满足关系X1×Y1≤0和关系X2×Y2＞0，其中X1[mV]代表利用抛光组合物对所述物体进行抛光期间所测量的磨粒的ζ电位，Y1[mV]代表在利用抛光组合物对所述物体进行抛光期间所测量的被抛光物体的ζ电位，X2[mV]代表在抛光后清洗被抛光物体期间所测量的磨粒的ζ电位，Y2[mV]代表在抛光后清洗所述物体期间所测量的该物体的ζ电位。优选地，磨粒是由氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆、碳化硅、或者金刚石构成。优选地，被抛光物体是由含镍合金、氧化硅、或者氧化铝构成。
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公开(公告)号：CN100578741C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200680031676.0
申请日：2006-09-01
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
Abstract: 一种抛光组合物，包含6元环骨架的三唑、水溶性聚合物、氧化剂和抛光粉。三唑的6元环骨架中具有疏水官能团。抛光组合物中三唑的含量为等于或小于3g/L。抛光组合物的pH值等于或大于7。所述抛光组合物进一步包括其它类型具有6元环骨架的三唑，该其它类型三唑在6元环骨架中具有亲水官能团。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。
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公开(公告)号：CN100536081C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200680031675.6
申请日：2006-09-01
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种抛光组合物包含保护膜形成剂，氧化剂，以及蚀刻剂。保护膜形成剂包含：苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物，其在抛光组合物中的含量大于等于0.001g/L且小于等于1g/L；以及通式ROR’COOH和通式ROR’OPO3H2表示的化合物中的至少一种化合物，其在抛光组合物中的含量大于等于0.05g/L且小于等于50g/L，其分子量大于等于200，亲水/亲油平衡值大于等于10且小于等于16，其中R表示烷基或烷代苯基，R’表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基。抛光组合物的pH值等于或大于8。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。
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