公开(公告)号：CN103474466B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310418088.4

申请日：2013-09-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李燕妃 ,  蔡林希 ,  吴文杰 ,  许琬 ,  陈涛 ,  胡利志 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L21/266 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上，包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺杂层、第一种导电类型半导体体区、第一种导电类型半导体体接触区、第一种导电类型半导体降场层、栅氧化层、场氧化层、金属前介质、多晶硅栅电极、源极金属、漏极金属，第二种导电类型半导体重掺杂层设置在场氧化层和第一种导电类型半导体降场层之间。本发明的有益效果为，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，优化器件的表面电场，并且制备方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于高压器件。

公开(公告)号：CN103022134B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210518182.2

申请日：2012-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  章文通 ,  许琬 ,  李燕妃 ,  张昕 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构，终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围；器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比导通电阻，并减小了版图面积；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；另外，采用较薄的埋氧层可增加器件纵向电场，同时可有效减缓器件自热效应。

公开(公告)号：CN102969358B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210516539.3

申请日：2012-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  章文通 ,  李燕妃 ,  许琬 ,  蔡林希 ,  吴文杰 ,  陈涛 ,  胡利志 ,  黄健文 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过终端结构将漏电极横向引出，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本。本发明具有导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，采用本发明可获得各种性能优良的横向半导体功率器件，具有高速、高集成度、低导通损耗的特点。

公开(公告)号：CN103022134A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210518182.2

申请日：2012-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  章文通 ,  许琬 ,  李燕妃 ,  张昕 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构，终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围；器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比导通电阻，并减小了版图面积；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；另外，采用较薄的埋氧层可增加器件纵向电场，同时可有效减缓器件自热效应。

公开(公告)号：CN103400863B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310275984.X

申请日：2013-07-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  许琬 ,  章文通 ,  李燕妃 ,  何逸涛 ,  张昕 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向恒流二极管。本发明所述的横向恒流二极管，通过在N型阱区引入轻掺杂的P型区和重掺杂的P型区构成P型阱区，从而调制表面电场，提高击穿电压，同时轻掺杂的P型区可辅助耗尽N型阱区，使沟道更易夹断，快速进入恒流区，使得恒流二极管具有较低夹断电压，较深的重掺杂P型区缩短了沟道长度，提高了恒流二极管的恒定电流。本发明的有益效果为，有效提高横向恒流二极管的击穿电压，同时使沟道更易夹断，能快速进入恒流区，使得横向恒流二极管具有较低夹断电压，并有效提高了横向恒流二极管的恒定电流。本发明尤其适用于横向恒流二极管。

公开(公告)号：CN103426936B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201310368202.7

申请日：2013-08-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  何逸涛 ,  许琬 ,  陈朝勇 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种垂直型恒流二极管及其制造方法。本发明的直型恒流二极管，包括依次层叠设置的氧化层、高掺杂N型外延层、轻掺杂N型外延层、重掺杂N+衬底和金属阳极，其特征在于，还包括有依次连接的元胞结构、终端结构和截止环，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述终端结构由多个结构相同并依次连接的终端组成。本发明的有益效果为，具备容易夹断，且夹断电压可低至5V以下的优点，同时夹断点随电压增大变化更慢，恒定电流更稳定，器件设计更灵活，结构更合理，能省去额外的光刻板，节省了制造成本。本发明尤其适用于恒流二极管。

公开(公告)号：CN103413830A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310356773.9

申请日：2013-08-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李燕妃 ,  周锌 ,  吴文杰 ,  许琬 ,  陈涛 ,  胡利志 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向高压MOSFET及其制造方法。本发明的一种横向高压MOSFET，其特征在于，通过光刻和离子注入工艺在第二种导电类型半导体漂移区中形成第一种导电类型半导体降场层，通过光刻和离子注入工艺，在第二种导电类型半导体漂移区的表面形成的第二种导电类型半导体重掺杂层。本发明的有益效果为，在保持高的击穿耐压的情况下，可以大大的降低器件比导通电阻，同时减小横向高压MOSFET源端的电场峰值，避免强场效应，提高器件的击穿电压，具有更小的导通电阻，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，并很好地优化器件的表面电场，同时，本发明提供的制造方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于横向高压MOSFET。

公开(公告)号：CN103400863A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310275984.X

申请日：2013-07-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  许琬 ,  章文通 ,  李燕妃 ,  何逸涛 ,  张昕 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向恒流二极管。本发明所述的横向恒流二极管，通过在N型阱区引入轻掺杂的P型区和重掺杂的P型区构成P型阱区，从而调制表面电场，提高击穿电压，同时轻掺杂的P型区可辅助耗尽N型阱区，使沟道更易夹断，快速进入恒流区，使得恒流二极管具有较低夹断电压，较深的重掺杂P型区缩短了沟道长度，提高了恒流二极管的恒定电流。本发明的有益效果为，有效提高横向恒流二极管的击穿电压，同时使沟道更易夹断，能快速进入恒流区，使得横向恒流二极管具有较低夹断电压，并有效提高了横向恒流二极管的恒定电流。本发明尤其适用于横向恒流二极管。

公开(公告)号：CN103165657A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310078793.4

申请日：2013-03-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李燕妃 ,  吴文杰 ,  温恒娟 ,  许琬 ,  蔡林希 ,  周锌 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。

公开(公告)号：CN103036550A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210529443.0

申请日：2012-12-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  许琬 ,  蔡林希 ,  李燕妃 ,  吴浩然 ,  张昕 ,  吴文杰 ,  张有润 ,  张波

IPC: H03K17/78 ,  H03K17/567

Abstract: 一种快速放电的光电继电器，属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路；输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED（11）构成，光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管阵列PDA构成，控制电路包括一个级联三极管、三个二极管，用于为输出电路的功率MOSFET器件提供充放电通道；输出电路包括一对功率MOSFET器件。本发明提供的快速放电的光电继电器，由于其控制电路采用了两个或多个三级管的级联，级联后的三极管电流放大倍数增大，抽取电荷的速度显著加快，因而比现有的光电继电器具有更快的放电速度，能够适应更高频率的继电场合。