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公开(公告)号：CN101362822A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810046079.6
申请日：2008-09-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 含硅氨链结构的正性光敏聚酰亚胺及其制备方法，属于材料技术领域，涉及高耐热感光功能高分子材料及制备方法。本发明提供的含硅氨链结构的正性光敏聚酰亚胺，是一种主体材料由不同聚合度侧链含光敏基团的聚酰胺酸构成的有机纤维状聚合物材料。利用四羧酸二酐和二胺为原料，经有机溶剂溶解、室温搅拌反应的反应物经过滤、洗涤、干燥得聚酰胺酸；然后将聚酰胺酸及氯硅烷氨基邻重氮萘醌溶解在有机溶剂中室温搅拌反应的反应物经过滤、洗涤、干燥即得本发明所述的含硅氨链结构的正性光敏聚酰亚胺。本发明提供的含硅氨链结构的正性光敏聚酰亚胺附着力强、成膜性好、分辨率高、耐热。本发明可用于光学器件、光电子器件、微电子器件等器件的光刻工艺中。
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公开(公告)号：CN114286015B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210098594.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04N23/741 , H04N25/47
Abstract: 本发明公开了一种用于光电探测器中的动态范围读出电路，属于积分电流读出技术领域，包括相关双采样电路，所述相关双采样电路包括复位噪声消除单元以及升压单元；所述复位噪声消除单元用于对积分光电流信号进行噪声消除；所述升压单元用于在第二次采样电流信号完成时，增加相关双采样电路输出的电流信号。本发明的有益效果为通过提升采样电容下极板电压进而提升第二源随晶体管的栅极电压的方式，极大地提升了电路的输出范围，增加了输出的电压信号。
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公开(公告)号：CN108763707B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810486749.X
申请日：2018-05-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开一种混合不确定性下基于二阶鞍点近似的结构可靠性分析方法，通过对极限状态方程在随机变量的均值点及区间变量的中心点进行单变量近似，并确定近似后的极限状态方程在区间变量上的最小和最大值；确定极限状态方程在区间变量上的最小和最大值的累积量母函数，并分别计算鞍点值；从而计算系统的可靠性；相比于现有的可靠性方法，本发明的方法不用搜索极限状态方程可靠性设计验算点，提高了计算效率，并且能适用于混合不确定下的结构可靠性分析，具有更好的普适性。
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公开(公告)号：CN109751917B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910086359.8
申请日：2019-01-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种热成像瞄准镜安装基准偏轴度的校准方法，所述方法包括：调整红外热像仪图像采集系统所采集的图像像元的灰度矩阵的分布，即对应去除每一帧的图像像元灰度矩阵在其边缘区域的矩阵元素，目的是使得红外热像仪图像的视场中心即瞄准镜的瞄线与红外光学系统的光轴中心趋向重合，本方法解决了常规的热成像瞄准镜安装基准偏轴度的校准方法存在的不足，实现了将校准流程简单化，达到了提高校准效率和校准精度的技术效果。
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公开(公告)号：CN107080933A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710345083.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: A63B71/06 , A61B5/0205 , A61B5/11 , G06F19/00
CPC classification number: A63B71/0619 , A61B5/0205 , A61B5/024 , A61B5/11 , A61B5/681 , A61B5/6824 , A61B5/7203 , A61B5/7271 , A61B5/7405 , A61B5/742 , A61B5/746 , A63B71/0622 , A63B71/0686 , A63B2071/0625 , A63B2220/70 , A63B2220/72 , A63B2220/803 , A63B2220/836 , A63B2225/50 , A63B2230/06 , G06F19/3475 , G06F19/3481 , G16H50/30
Abstract: 本发明涉及一种面向肥胖患者的运动检测与反馈干预系统及方法。系统包括ARM处理器、心率传感器、运动传感器、光照传感器、温度传感器、数字时钟芯片、FLASH存储器、LED警示器、微型蜂鸣器、蓝牙天线、电源管理芯片和电池。方法包括(1)、输入佩戴者的年龄和当前时间信息，然后采集肥胖患者的运动加速度数据、心率数据、周围的温度数据和光照强度数据；(2)、对数据进行加窗平滑滤波降噪、采样和校正处理；(3)、加权处理运动加速度数据和心率数据，得到运动强度等级评估值，融合运动强度等级评估值、体感温度等级评估值、体感亮度等级评估值和使用时间段获得对肥胖患者的反馈干预等级；(4)对肥胖患者实施干预处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104523275A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410835765.7
申请日：2014-12-25
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: A61B5/055 , A61B5/0033
Abstract: 本发明涉及一种健康人群白质纤维束图谱构建方法，通过寻找个体灰质结构空间与DTI空间的对应关系，计算组人群的张量图像平均空间信息，将个体的DTI数据转换到这个平均空间下；利用相关融合手段将磁共振解剖结构像和MNI标准模板联合配准后的参数与组内配准参数进行融合，同时作用到个体T1数据集上，构建出组过渡张量图像模板；通过非线性配准再将个人T1数据配准到该过渡模板上，得到T1结构像配准到过渡模板的变换参数；将该变换参数作用到个人的DTI数据上，采用保持主特征方向的方法对每个体素点进行张量场的方向校正，并对校正后的张量进行逐个体素点的线性平均，最终获得特定健康人群组的弥散张量图谱。
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公开(公告)号：CN104269389A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410484775.0
申请日：2014-09-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种与氧化钒或掺杂氧化钒热敏薄膜接触的电极材料及其复合膜系结构制备方法，采用金属钒纳米层修饰的金属钛薄膜作为与氧化钒或者掺杂氧化钒热敏薄膜的引出电极，该电极可以采用上电极或下电极方式与氧化钒或掺杂氧化钒薄膜形成接触。复合金属电极制备工艺简单，且与IC制造工艺及MEMS制造工艺兼容，易于与氧化钒或掺杂氧化钒薄膜接触形成欧姆接触特性。
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公开(公告)号：CN103969518A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410215757.2
申请日：2014-05-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种氧化钒薄膜低频微弱噪声测试方法，该方法包括：电源电路适配设计；在测试电路中采用可选择的电流或电压放大电路设计，这个设计区别于的单一的进行电流或者单一的电压放大，本设计可以对两种放大方式进行选择以及彼此之间的对比；测试时高速采集并对噪声进行时域和频域、功率密度谱、氧化钒噪声曲线拟合以及曲线参数提取、样品优劣判断等分析；在测试环境中针对电磁和气流扰动进行了氧化钒样品的屏蔽、测试电路的屏蔽和包括采集卡以及工控机在内的屏蔽的三层屏蔽室的设计，三层屏蔽均是使用金属结构屏蔽，可以屏蔽电磁和气流的扰动。该发明的方法可实现氧化钒热敏薄膜低频噪声的可重复精确测试。
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公开(公告)号：CN100561682C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710050806.1
申请日：2007-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/318
Abstract: 本发明公开了一种改变薄膜力学及光学性能的方法，其特征在于，在衬底上设置一层具有压应力的非晶二氧化硅过渡层，然后在所述过渡层上再设置一层具有张应力的非晶氮化硅膜。该方法克服了现有技术中所存在的缺陷，通过性质相近、但应力相反的普通薄膜的简单叠加，改善原先陡峭的应力梯度，能够通过薄膜张应力的降低使非晶氮化硅薄膜的光折射率增大，而薄膜的硬度、杨氏模量等相应减小，从而有效地控制特定薄膜的应力，制备出内应力较低的低应力氮化硅薄膜，提高了薄膜的工作性能，降低了原料成本，适宜大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN101197278A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710050806.1
申请日：2007-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/318
Abstract: 本发明公开了一种改变薄膜力学及光学性能的方法，其特征在于，在衬底上设置一层具有压应力的非晶二氧化硅过渡层，然后在所述过渡层上再设置一层具有张应力的非晶氮化硅膜。该方法克服了现有技术中所存在的缺陷，通过性质相近、但应力相反的普通薄膜的简单叠加，改善原先陡峭的应力梯度，能够通过薄膜张应力的降低使非晶氮化硅薄膜的光折射率增大，而薄膜的硬度、杨氏模量等相应减小，从而有效地控制特定薄膜的应力，制备出内应力较低的低应力氮化硅薄膜，提高了薄膜的工作性能，降低了原料成本，适宜大规模产业化生产。
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