公开(公告)号：CN100561682C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200710050806.1

申请日：2007-12-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 许向东 ,  蒋亚东 ,  张良昌 ,  吴志明 ,  袁凯

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明公开了一种改变薄膜力学及光学性能的方法，其特征在于，在衬底上设置一层具有压应力的非晶二氧化硅过渡层，然后在所述过渡层上再设置一层具有张应力的非晶氮化硅膜。该方法克服了现有技术中所存在的缺陷，通过性质相近、但应力相反的普通薄膜的简单叠加，改善原先陡峭的应力梯度，能够通过薄膜张应力的降低使非晶氮化硅薄膜的光折射率增大，而薄膜的硬度、杨氏模量等相应减小，从而有效地控制特定薄膜的应力，制备出内应力较低的低应力氮化硅薄膜，提高了薄膜的工作性能，降低了原料成本，适宜大规模产业化生产。

公开(公告)号：CN101197278A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710050806.1

申请日：2007-12-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 许向东 ,  蒋亚东 ,  张良昌 ,  吴志明 ,  袁凯

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明公开了一种改变薄膜力学及光学性能的方法，其特征在于，在衬底上设置一层具有压应力的非晶二氧化硅过渡层，然后在所述过渡层上再设置一层具有张应力的非晶氮化硅膜。该方法克服了现有技术中所存在的缺陷，通过性质相近、但应力相反的普通薄膜的简单叠加，改善原先陡峭的应力梯度，能够通过薄膜张应力的降低使非晶氮化硅薄膜的光折射率增大，而薄膜的硬度、杨氏模量等相应减小，从而有效地控制特定薄膜的应力，制备出内应力较低的低应力氮化硅薄膜，提高了薄膜的工作性能，降低了原料成本，适宜大规模产业化生产。