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公开(公告)号：CN118523850A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410769985.8
申请日：2024-06-14
Abstract: 本发明公开了一种水下激光通信指标检测方法及通信方法，通过在黑壁水箱相对两侧内壁安装反射镜面来增加入射光在水箱中的传播距离，在不加长水箱的情况下完成较长距离激光衰减的测量，使得衰减系数更加精准；同时，通过镜面反射来增加激光传播距离，能够减少散射光电倍增管对不同角度的散射光进行测量时，散射光在水箱中因距离所产生的损耗，使得获取的散射系数更加精准。此外，本发明通过设置在黑壁水箱侧面的散射光电倍增管对散射点处不同角度的散射光进行测量，与传统后向散射角测量范围为90°～140°相比，本发明能够测量后向散射角为90°～170°范围内的后向散射光，拟合出的相对后向散射强度函数更加准确。
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公开(公告)号：CN118461046A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410533332.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25B11/089 , C25B11/075 , C25B11/065 , C25B1/23 , C25B3/26
Abstract: 本发明提供一种中空多孔纳米笼负载镍单原子材料的制备方法，属于单原子材料制备的技术领域。主要方案包括首先通过阳离子交换法获得Ni掺杂的Ni/Zn金属有机骨架前驱体，接着将其与NaBr盐以1/4的质量比混合研磨，随后在氩气环境下碳化处理并酸洗得到支撑中空纳米笼上的Ni单原子催化剂。该方法借助Zn2+与Ni2+之间的柯肯达尔效应及热解过程NaBr熔融盐的极化作用，原位形成具有丰富介孔和高表面积的空心纳米笼结构，锚定Ni‑NBr‑C位点实现高金属负载(>1.5wt％)；同时，引入Br配位的活性中心有效地降低了COOH*中间体的形成势垒，降低了活化能，从而在低过电位下实现了高催化性能。此外，该合成工艺简单，具有放大生产的潜在前景。
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公开(公告)号：CN115491713B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202211162847.0
申请日：2022-09-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/23
Abstract: 本发明提供一种基于Cl掺杂的Ni‑N‑C单原子材料的制备方法，属于单原子材料制备的技术领域。发明首先对通过阳离子交换法获得Ni掺杂的Ni/Zn金属有机骨架前驱体，然后在固相研磨加入NaCl和KCl，在氩气气氛下进行碳化处理，得到Cl掺杂的Ni‑N‑C单原子材料。该方法操作简单，合成的Cl掺杂的Ni‑N‑C单原子材料具有高的比表面积和多级孔结构，可以暴露更多的活性位点；同时Cl掺杂诱导Ni‑N‑C单原子材料Ni原子中心配位环境和电子结构的改变，可以改变电催化二氧化碳还原反应中COOH*关键中间体的吸附能，加快动力学过程。此外，该方法合成工艺简单，适合规模化生产和应用。
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公开(公告)号：CN117856766A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410067714.8
申请日：2024-01-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K3/353 , G11C11/417 , H03K3/012
Abstract: 本发明公开了一种小面积T触发器电路，属于集成电路领域。该电路基于6T SRAM锁存器结构，具备正常SRAM单元的读写和存储功能，还能通过4个额外的开关完成T触发器的逻辑功能，SRAM单元的读写对应T触发器的数据载入和数据导出。该结构使用更少数目的晶体管来实现传统T触发器的功能，主要从电路面积和功能集成度等方面对电路进行优化。
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公开(公告)号：CN117313810A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311181942.X
申请日：2023-09-13
Abstract: 本发明公开了一种基于1T1R忆阻器和原位计算的二值神经网络加速系统，涉及半导体集成电路和神经网络领域。本发明利用了1T1R忆阻器阵列中忆阻器的存储特性，并设计了原位计算计数器电路和对应的输入数据编码方法，通过存内计算的结构对二值神经网络进行加速。因为本发明不包含ADC结构，所以在对网络进行加速的同时也具有高可靠性。相较于传统的忆阻器村内计算加速器，本发明不仅只需要用到忆阻器的两个状态，具有很高的硬件实现性，而且无ADC结构，具有更高的集成度和可靠性。本发明可以应用于高实时性的目标识别、图像分类、点云分类、语义分割、自然语言处理、人体姿态估计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114401014B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210001806.7
申请日：2022-01-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M9/00
Abstract: 本发明属于数字通信集成电路领域，具体涉及一种低功耗的并串转换电路。本发明将传统并串转换电路拆分为驱动电路和输出电路，采用触发器实现，通过调整触发器的连接方式、使能信号和增加三态门，降低了并行数据在转为串行输出时要经过的触发器数量，减小了数据传递出错的概率，从而降低了并串转换电路的功耗；并且提出将三态门和触发器进一步集成的方式，降低整个集成电路的面积，从功耗和面积两方面提高电路的性能。
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公开(公告)号：CN115377604A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210949250.4
申请日：2022-08-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01M50/358 , H01M50/333 , H01M10/058 , H01M10/052 , H01M6/14
Abstract: 本发明公开了一种锂动力电池壳体的安全泄气结构，涉及锂电池技术领域。该锂动力电池壳体的安全泄气结构，包括连通筒、自动泄气组件和调节组件，连通筒一侧呈开口设置，连通筒的前后侧均开设有出气口，自动泄气组件设置于连通筒的内部。该锂动力电池壳体的安全泄气结构，当电池壳体的内部出现气体并产生正压时，能够使电池壳体内部的气体能够通过出气口排出，避免电池壳体内部的气压持续增加，减少气压对电池壳体产生形变，降低爆炸现象的发生，大大提高该锂电池的安全性能，还能根据锂电池壳体的材质方便调节泄气的触发压力，还可以方便的与电池壳体进行连接，避免连接处与空气进行接触，防止连接处因为油污出现腐蚀现象。
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公开(公告)号：CN114239815A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111347702.3
申请日：2021-11-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及神经网络芯片架构领域，尤其涉及一种可重构神经网络计算芯片。本发明通过将构成神经网络的字线和位线的交汇结构替换为一种可在神经元或突触功能之间切换的结构C，通过不同交汇处的神经元和突触功能的切换，以灵活配置实现功能多样化，并且可以使计算单元PE阵列的利用率达到最大的有益效果。同时让架构适于应用，也可以扩展系统规模，而不是沿用传统芯片设计的刚性架构，实现了更加灵活的芯片设计。还可以调节结构C的功能，根据待映射神经网络的需求进行配置，连接成不同形状，以实现将多个可重构神经网络计算芯片为子单元，二次构建为一个大神经网络的功能。
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公开(公告)号：CN114006000A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111303374.7
申请日：2021-11-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种抗‑SO3H中毒的Pt基氧还原反应催化剂的制备方法，属于新能源纳米材料领域及催化技术领域。主旨在于解决了Pt催化剂与Nafion离聚物直接接触引起的催化剂中毒及Pt基纳米颗粒在高温下的烧结问题，主要方案为采用静电纺丝技术将沸石咪唑酯骨架材料ZI Fs、氯铂酸H2PtCl6·6H2O与聚丙烯腈PAN前驱体构筑成PAN/ZI Fs/Pt复合纳米纤维，然后进行高温热解，制备结构有序且大小均一、分布均匀的Pt基纳米颗粒；与此同时，通过对热解温度及热解程度的调节，使复合纳米纤维中的Zn盐汽化造孔形成具有三维互通、富含介孔的多孔氮掺杂碳纳米纤维(PNCNFs)载体，最终获得孔结构与颗粒尺寸相协调的抗‑SO3H中毒的Pt基氧还原电极。
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公开(公告)号：CN113469357A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110651765.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及神经网络技术领域，具体为一种人工神经网络到脉冲神经网络的映射方法。本发明通过对人工神经网络非结构化剪枝，获取随机稀疏的权值矩阵，再设定多个量化位数，使用K均值原型聚类初始化质心，确定量化阈值，测试人工神经网络的识别率并在不满足预期精度时对质心进行微调，对比后得出最佳量化位数。再使用最佳量化位数重复量化过程，设定脉冲化量化最大值，使用交叉熵评估量化前和量化后的序列相似性。得出交叉熵最小的最大值后，完成脉冲神经网络的脉冲化，最终实现从人工神经网络到脉冲神经网络的映射。相比现有技术本发明训练过程简单且映射过程中损失的精度低。
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