一种层叠式掉球装置及可携带多羽毛球的发球机构

    公开(公告)号:CN104906774B

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201510334627.5

    申请日:2015-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种层叠式掉球装置及可携带多羽毛球的发球机构,其中层叠式掉球装置包括顶层盖板、底层固定板以及若干个支杆,支杆在竖直方向分层设有至少两个托球块,每个托球块可旋转连接在支杆上,相邻上下两个托球块分别托住一个羽毛球的内侧和球托;可携带多羽毛球的发球机构包括支架,支架上设有横臂,横臂上设有掉球装置,横臂下方的支架上旋转连接有球拍,支架上设有能够调节球拍击球倾角的至少一个调节部件。本发明所述层叠式掉球装置通过旋转托球块,能够依次置放羽毛球或将羽毛球依次释放,结构简单,夹持释放方便;发球机构能够仿真人手持球拍击球动作,实现对羽毛球击打角度、速度和力量方面的调节,操作方便、调节灵敏、精度较高。

    柑橘果皮资源化、无害化处理方法

    公开(公告)号:CN105779107A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201410813214.0

    申请日:2014-12-24

    CPC classification number: Y02A40/209 Y02A40/211

    Abstract: 本发明公开了一种柑橘果皮资源化、无害化处理方法,具体包括如下步骤:把柑橘皮浸泡在石灰水中5-6小时;捞出,用压榨机压榨,得油水渣混合液;对油水渣混合液用滤布过滤;过滤液中加入明矾,将pH值调为中性;用分离机分离,在冷库中静止5-7天,上层澄清油即柑油;分离出的残渣,沤制堆肥。本发明的优点是:本发明把柑橘皮资源化,得到柑油,可以用到食品、化妆品中,残渣沤制肥料,无害化。

    一种香脆红薯片及其加工方法

    公开(公告)号:CN105767698A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201410812735.4

    申请日:2014-12-24

    CPC classification number: Y02A40/948

    Abstract: 本发明公开了一种香脆红薯片的加工方法,包括如下步骤:将成熟的红薯洗净,放入锅中加水煮熟,去皮,捣成泥状,压入圆形模具成型,切片,晒至7-8成干,然后在沸油中炸制,呈淡黄色捞出,最后用食品袋包装,即成。本发明的优点是:加工方法简单,投资少;产品增值多,是红薯的10多倍;味道酥脆香甜,便于携带。

    测试碳纳米管温度特性的方法

    公开(公告)号:CN104535859A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410799533.0

    申请日:2014-12-19

    Abstract: 本发明涉及测试碳纳米管温度特性的方法,该方法结合了量子力学以及分子动力学,利用密度泛函等理论,从分子层面进而到原子层面去测试碳纳米管在不同温度条件下的导电性,从而得到它的温度特性。本发明从量子力学的角度,结合分子动力学的方法,先通过分子力学来模拟分子在不同环境下结构的真实情况,省时省力,然后再使用量子力学计算其温度导电性质,从而可以快速准确地得到测试结果,方法简单有效。

    一种基于GaN基的单片集成CMOS电路
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119277814A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411312259.X

    申请日:2024-09-20

    Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域,尤其是涉及一种基于GaN基的单片集成CMOS电路。本发明的电路将传统固定Al组分的AlGaN势垒层替换为Al组分是线性渐变的,具体为从下到上呈线性递减的线性渐变AlGaN势垒层,线性渐变AlGaN势垒层极化差异感生的3DHG加上GaN沟道与线性渐变AlGaN势垒异质结交界面形成的2DHG,增大空穴气整体浓度,进而提升了p‑FETs的导通电流密度。本发明的结构有助于提升p‑FETs导通电流密度、增加P/N沟道兼容性、降低单片集成中p‑/n‑FETs导通电流失配度,推动基于CMOS的全GaN单片功率集成IC的发展。

    快速监测GaN器件短路前后动态导通电阻的电路及方法

    公开(公告)号:CN119001529A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411110803.2

    申请日:2024-08-14

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,尤其是涉及一种快速监测GaN器件短路前后动态导通电阻的电路及方法。本发明在传统GaN HEMT的短路测试电路上集成了动态导通电阻的测试模块,所述测试电路包括:驱动控制模块、控制管Q1、待测管Q2、电阻模块R、钳位电路、大电容C1、小电容C2;测试方法为:驱动控制模块控制控制管Q1和待测管Q2的开关时序,其中控制管Q1、待测管Q2同时开启由供能模块供能以进行硬开关故障或负载故障两种情况下的GaN HEMT器件短路测试;控制管Q1关闭、待测管Q2开启,通过监测电阻模块R上的电流和钳位电路上的电压得出器件的导通电阻。根据本发明提供的技术方案,能够在GaN HEMT器件短路测试后微秒级时间以内提取待测管Q2的动态导通电阻数值。

    一种全GaN集成的自适应死区时间控制电路

    公开(公告)号:CN118174532A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410293319.1

    申请日:2024-03-14

    Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域,提出了一种全GaN集成的自适应死区控制电路。本发明基于主流P‑GaN栅增强型GaN集成工艺平台,所提出的自适应死区时间控制电路包含死区时间产生电路模块和负压检测电路模块。本发明提出利用GaN基器件构建基本数字逻辑门电路并结合电容延迟实现具有固定死区时间的高低侧驱动控制信号,另外通过负压检测电路调节电容的充放电电流大小,从而改变死区时间,最终实现跟随输出节点变化的自适应死区时间控制。相较于传统固定死区时间控制的驱动控制电路,该发明可降低死区时间内由于GaN HEMT器件反向导通引起的导通损耗,为今后GaN功率转换电路中死区时间调控提供一种技术方案。

    半主动制导激光信号的全数字化建模仿真方法及装置

    公开(公告)号:CN118171525A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410287506.9

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本发明涉及一种半主动制导激光信号的全数字化建模仿真方法及装置,该方法包括:在接收端处生成第一光线;根据第一光线对三维模型进行碰撞检测,得到第一光线和仿真物体发生碰撞的碰撞点的碰撞位置;根据碰撞点和预设激光光源之间的连线判断预设激光光源发出的第二光线是否被仿真场景中的其他模型遮挡;当第二光线没有被遮挡时,根据碰撞位置的直接辐亮度和间接辐亮度得到碰撞位置的辐亮度;当第二光线被遮挡时,根据碰撞位置的间接辐亮度得到碰撞位置的辐亮度;再根据碰撞位置的辐亮度提供用于半主动制导的导引信号。通过上述技术方案,相比于实弹打靶法和半实物仿真法,实验过程可以简单重现,方便科研人员分析,并且不受测试环境的约束,安全性好,实验成本大大降低。

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