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公开(公告)号:CN117890199A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410078845.6
申请日:2024-01-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于弹性薄片微小样品应变状态性能测试的弯曲夹具,所述装置包括U型底座、水平位移与夹持转动部分。U型底座是整个装置的安装基准,用于固定和支撑其他零件,底部开孔以适应需要光路通过的测试场合。水平位移部分由手动或超微型步进电机驱动微型螺杆,进而推动挡板、导套及夹持转动部分产生位移,导套和导柱配合完成导向,且具有弹簧复位功能。夹持转动部分由夹持方块(定块)和夹持方块(动块)以及各自内置的偏心开槽圆柱构成,偏心开槽圆柱随样品的受力弯曲而发生转动,保证样品正确受力。本弯曲夹具可实现在不同温度条件下连续调节薄片样品的弯曲半径,体积紧凑、安装方便且便于维护,在不同测试设备之间的通用性强。
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公开(公告)号:CN111211041B
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202010025371.0
申请日:2020-01-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种制备大面积β相In2Se3单晶薄膜的方法,包含如下步骤:1)对晶面取向为(111)的硅衬底进行化学清洗及化学腐蚀处理,得到表面洁净的氢钝化硅衬底;2)将制得的硅衬底传入分子束外延系统内并加热至180℃除气至系统真空度优于8×10‑10mbar;3)衬底除气完成后自然冷却至生长温度范围,同时打开In束流源与Se束流源生长合成In2Se3多晶薄膜;4)多晶薄膜生长完成后立即将衬底温度升至300~350℃进行5分钟的后续退火;5)退火完成后立即停止加热,自然冷却至室温,即可制得高质量β相In2Se3单晶薄膜。本发明所述生长β相In2Se3薄膜的方法,利用分子束外延技术结合后续原位退火工艺,能在氢钝化硅衬底上以较低温度制备大面积高质量的β相In2Se3单晶薄膜。
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公开(公告)号:CN111468160A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN202010296143.7
申请日:2020-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于氯化钠模板的镍钼氮共掺杂碳基催化剂制备方法,该方法是以六水合氯化镍为镍源,五氯化钼为钼源,三羟甲基氨基甲烷为pH调节材料,多巴胺盐酸盐为吸附剂,无机盐氯化钠为模板。本发明的制备方法主要包括:室温下将六水合氯化镍、五氯化钼和氯化钠在去离子水中溶解得到混合物;再依次加入三羟甲基氨基甲烷、多巴胺盐酸盐继续搅拌得到均匀混合溶液;将混合溶液冷冻干燥后获得催化剂前驱体;获得的前驱体在氩气氛围中高温热解碳化,并离心洗涤去除获得纯净产物;将得到的产物再次高温退火获取性能稳定的镍钼氮共掺杂碳基催化剂样品。本发明涉及方法简单易操作、成本低廉、可大批量制备,所制备的镍钼氮共掺杂碳基催化剂电催化活性高、稳定性好,具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN107910389B
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201710991444.X
申请日:2017-10-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开一种磷化铟纳米锥膜及其制备方法和应用,磷化铟纳米锥膜包括:衬底层和纳米锥,所述纳米锥外延于所述衬底层上,所述衬底层和所述纳米锥材料为磷化铟;所述纳米锥光吸收性好,减少光反射,降低了表面复合,光电转化效率高。
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公开(公告)号:CN110098271A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201910437510.8
申请日:2019-05-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种波长响应在1030nm附近的自滤光硅肖特基单色探测器,该探测器为垂直结构,由上至下依次包括:欧姆接触窗口电极、可实现高通自滤光功能的Si基片、高红外反射率的肖特基接触层、欧姆接触底电极。该探测器以外延Bi2Se3或Sb2Te3单晶薄膜与H钝化Si基片接触形成的理想肖特基结为光探测工作区,单晶Si基片自身作为高通滤光片,实现1030nm波长近红外光的选择性高效探测。本发明的自滤光硅肖特基单色探测器可作为市售InGaAs基红外激光器的匹配探测器,用于光纤通信,光器件检测,单色光源检测等领域。其性能优异,结构简单,易于小型化、既可作分立器件使用也可作阵列集成,使用时无需冷却,成本低廉,具有较快的反应速率和较高的量子效率,市场化前景可观。
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公开(公告)号:CN108479651A
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201810256239.3
申请日:2018-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01J13/06
Abstract: 本发明公开了一种银-锰锌铁氧体复合磁性纳米颗粒的制备方法,包括步骤1:分别将含有Fe3+、Mn2+、Zn2+和Ag+的盐与醋酸钠溶于溶剂中,在室温下经磁力搅拌得到黄色混合溶液;步骤2:将聚乙烯吡咯烷酮加入步骤1得到的黄色混合溶液中,在室温下磁力搅拌得到混合溶液,然后将混合溶液转移至反应釜中密封,将反应釜在180℃~220℃条件下加热10h~14h;步骤3:将步骤2加热后的反应釜放置在水中冷却,使用乙醇和去离子水清洗反应后的产物,然后将清洗后的产物放置在60℃~80℃的真空烘箱中10h~14h,得到黑色产物。本方法工艺简单,反应条件易控,制备出来的复合磁性纳米颗粒呈球形,形貌规则,分散性好。
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公开(公告)号:CN107098398A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201710288577.0
申请日:2017-04-27
CPC classification number: C01G49/12 , C01P2004/16 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/80
Abstract: 本发明公开一种FeS2纳米线的制备方法,包括:1)取含Fe3+、OH‑的溶液,经水热反应后,分离得到FeOOH;2)所述步骤1)得到的FeOOH加热反应,冷却得到Fe2O3纳米线;3)所述步骤2)得到的Fe2O3纳米线与硫样混合,硫化反应,得到FeS2纳米线;所述FeS2纳米线纯度高,光电性能好,形貌均匀。
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公开(公告)号:CN107039549A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710288579.X
申请日:2017-05-25
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0445 , H01L31/02168 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种薄膜太阳能电池,包括:外延片,所述外延片包括由下往上依次设置的衬底、背电极层、光吸收层和正面电极层;所述外延片一侧或两侧设有壳核纳米结构层;使所述薄膜太阳能电池光学吸收性增强,电池的效率提高,保证电池性能。
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公开(公告)号:CN104801317B
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:CN201510138426.8
申请日:2015-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01J27/04 , B01J27/045 , B01J27/02 , B01J27/057 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明公开了一种光解水制氢催化剂及其制备方法,属于光催化技术领域。所述催化剂由贵金属M和黄铜矿四元化合物Cu2ZnSnX4复合得到,贵金属M为Au或Pt,黄铜矿四元化合物Cu2ZnSnX4为Cu2ZnSnS4或Cu2ZnSnSe4,所述M与Cu2ZnSnX4的摩尔比为0.001~0.1。本发明制备黄铜矿四元化合物Cu2ZnSnX4时,采用微波法对混合液进行加热反应,反应温度为160~200℃、功率为400W、反应时间为5~15min。本发明采用微波法制备催化剂,制备周期短、重复性好,得到的催化剂对可见光和紫外光都能产生响应激发出电子和空穴,提高了太阳光的利用效率和产氢率,光催化活性高。
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公开(公告)号:CN106486560A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610980109.5
申请日:2016-11-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035218 , H01L31/0304 , H01L31/184
Abstract: 本发明公开了一种等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池,涉及太阳能电池制造技术领域。包括从下到上依次设置的衬底层、依附在衬底层上的缓冲层、在缓冲层上生长的第一隔离层、量子点与间隔结构层、第二隔离层、发射层和电极接触层;所述的量子点与间隔结构层包括量子点层和在量子点层上形成的砷化镓间隔层,所述的量子点与间隔结构层至少为两层;在形成的量子点太阳能电池上,耦合贵金属纳米颗粒,并通过化学刻蚀方法,将所述贵金属纳米颗粒往下沉至靠近量子点与间隔结构层。该太阳电池的效率能得到大幅度提高。
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