公开(公告)号：CN112789739A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980064810.4

申请日：2019-10-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 武藤豪志 ,  加藤邦久 ,  根本拓 ,  森田亘 ,  关佑太

IPC: H01L35/08 ,  H01L35/16 ,  H01L35/32 ,  H02N11/00

Abstract: 本发明提供一种可实现与电极的高接合性的具有凹部的热电转换材料的芯片。该热电转换材料的芯片在其至少一面具有凹部。

公开(公告)号：CN112585723A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980053805.3

申请日：2019-10-18

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 田久真也 ,  山田忠知 ,  根本拓 ,  森下友尧

IPC: H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  B24B41/06 ,  C09D201/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的课题在于提供尽管利用由固化性树脂层形成的保护膜来保护具备凸块的半导体晶片的凸块颈部，仍能够同时实现该半导体晶片的薄化与该半导体晶片的翘曲的抑制的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法依次包括下述工序(A)～(E)：(A)在具备凸块的半导体晶片的凸块形成面形成固化性树脂层的工序；(B)使上述固化性树脂层固化而形成保护膜的工序；(C)在上述具备凸块的半导体晶片的上述保护膜的形成面粘贴背磨胶带的工序；(D)在粘贴有上述背磨胶带的状态下，对上述具备凸块的半导体晶片的与上述凸块形成面的相反面进行磨削的工序；(E)从上述磨削后的上述具备凸块的半导体晶片将上述背磨胶带剥离的工序。

公开(公告)号：CN109463007A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201780037693.3

申请日：2017-08-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 筱田智则 ,  根本拓 ,  中西勇人

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C09J201/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在具有粘接剂层的支承基板(10)的所述粘接剂层上，将具有电路面(W1)和元件背面(W2)的多个半导体元件以元件背面(W2)朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对贴装于支承基板(10)的所述半导体元件进行封装而形成封装体(3)的工序；在封装体(3)上形成外部端子电极，使贴装于支承基板(10)的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将支承基板(10)从封装体(3)剥离而使所述半导体元件的元件背面(W2)露出的工序；在露出的所述半导体元件的元件背面(W2)形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。