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公开(公告)号：CN203166960U
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201320074132.X
申请日：2013-02-08
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供的一种便携式1553B电缆网络测试系统，其特征在于，包括测量主机和信号发生器；测量主机包括平板电脑及与平板电脑连接的数据采集模块、主控板；主控板包括第一1553B电缆网络匹配模块、第一1553B总线控制器及与平板电脑连接的第一处理模块；信号发生器包括第二处理模块、无线通讯模块、第二1553B总线控制器、激励源、第二1553B电缆网络匹配模块；信号发生器的第二处理模块通过其无线通讯模块与测量主机的平板电脑无线通讯。本实用新型能实现方便而且全面地对1553B电缆网络特性的测试。
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公开(公告)号：CN203166959U
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201320074129.8
申请日：2013-02-08
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供的一种机柜式1553B电缆网络测试系统，包括一机柜及安装在机柜上的工控机、显示器、人工输入模块、数据采集模块、主控板、对外接口板；数据采集模块的输出端、显示器、人工输入模块均连接工控机；对外接口板集成了多路1553B总线电缆插头；主控板包括处理模块、1553B总线控制器、1553B电缆网络匹配模块、通道切换模块、激励源，处理模块调配主控板上其他部件的工作，处理模块通过1553B总线控制器连接通道切换模块，激励源的输出端连接1553B总线控制器，数据采集模块的输入端连接通道切换模块，通道切换模块通过1553B电缆网络匹配模块连接1553B总线电缆插头。本实用新型能全面地实现对1553B电缆网络特性的测试。
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公开(公告)号：CN206850659U
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201720263943.2
申请日：2017-03-17
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48227
Abstract: 本实用新型公开一种三维堆叠的开关电源模块，包括PCB板引脚层、叠层板、金属镀层外壳及灌封材料；PCB板引脚层上设置有模块引脚及底层电子器件，底层电子器件的管脚与模块引脚电气连接；叠层板上设置有引线桥及上层电子器件，上层电子器件的管脚与引线桥电气连接；叠层板设置于PCB板引脚层上方，金属镀层外壳设置于叠层板及PCB板引脚层外部；金属镀层外壳内部除PCB板引脚层和叠层板以外的空间区域全部由灌封材料填充；引脚层与叠层板的电气互连通过金属镀层外壳经激光蚀刻后实现，所述模块引脚由模块底部伸出。本实用新型采用三维叠装工艺，把引脚PCB板和叠层板组装在一起，外壳为金属镀层，形成一个高机械强度、高稳定性的开关电源模块。
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公开(公告)号：CN203746837U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201320682907.1
申请日：2013-10-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个1G×8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203644767U
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201320682906.7
申请日：2013-10-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为16G×8bit的立体封装NAND？FLASH存储器，其特征在于，包括四个4G×8bit的NAND？FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个NAND？FLASH芯片分别一一对应地设于四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203644764U
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201320682855.8
申请日：2013-10-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为512K×8bit的立体封装EEPROM存储器，其特征在于，包括四个128K×8bit的EEPROM芯片，还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个EEPROM芯片分别一一对应地设置在四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203423178U
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201320465313.5
申请日：2013-07-31
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为256M×8bit的立体封装SDRAM存储器，包括四个容量为128M×4bit的SDRAM芯片：第一SDRAM芯片、第二SDRAM芯片、第三SDRAM芯片和第四SDRAM芯片；还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个SDRAM芯片分别一一对应地设置四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203423176U
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201320387583.9
申请日：2013-06-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为64M×32bit的立体封装DDR1存储器，包括两个容量为64M×16bit的DDR1芯片，其特征在于，还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和两个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，两个DDR1芯片分别一一对应地设置在两个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和两个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和两个芯片层上露出的电气连接引脚进行对应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203423174U
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201320387574.X
申请日：2013-06-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L27/11 , H01L23/49 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为512K×32bit的立体封装SRAM存储器，包括四个容量为256K×16bit的SRAM芯片：第一SRAM芯片、第二SRAM芯片、第三SRAM芯片、第四SRAM芯片；还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，每个芯片层上置放一个所述SRAM芯片；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为立体封装SRAM存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203423172U
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201320385622.1
申请日：2013-06-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为1M×16bit的立体封装SRAM存储器，包括四个容量为256K×16bit的SRAM芯片，还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个SRAM芯片分别一一对应地设置在四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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