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公开(公告)号：CN113394204A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010166471.5
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
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公开(公告)号：CN113078135A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010009743.0
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/49
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。
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公开(公告)号：CN112928109A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911243260.0
申请日：2019-12-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
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公开(公告)号：CN111163585A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010026505.0
申请日：2020-01-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K1/18 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及一种用于控制器的电路板及控制器，该电路板包括：电路板本体；第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，其全部设置在所述电路板本体上且彼此相邻；以及能够输送冷却液的冷却构件，其与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均接触。该电路板不但解决了如何降低控制器出现永久失灵的可能性的问题，而且可以降低功率半导体器件产生的热量在控制器内累积的程度，改善了功率半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN110784097A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911221560.9
申请日：2019-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/567
Abstract: 本公开提供了一种驱动器及智能功率模块，包括输出端，用于输出驱动功率模块的驱动信号；可调电阻，第一端连接所述输出端，第二端连接功率模块的控制端，第三端接收外部输入的调节信号所述可调电阻根据所述调节信号改变阻值进而调节所述功率模块控制端的阻值。上述结构极大的增大了驱动器与功率模块之间的参数匹配，能够控制智能功率模块的开关速率，解决了应用端EMC、开关损耗及模块发热的问题等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211828749U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020023540.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211428154U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020380049.5
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种针脚、功率器件和封装模具。其中，针脚包括顺序排列的第一节、第二节和第三节，其中第二节由旋转体构成，旋转体的旋转曲面上的点到旋转体的旋转轴的距离在轴向方向上递增或递减，第一节由第一柱状体构成，第一柱状体的底面与第二节的面积小的底面相连，且第一柱状体的横截面积小于或等于旋转体的面积小的底面的面积。针脚在处于中间部位的第二节构造成旋转体，使得针脚可以通过该旋转体与封装模具的避让孔的内表面进行密封接触，在这种情况下即使已有的圆形避让孔的实际尺寸大于设计尺寸，该针脚也可以防止塑封材料在功率器件的封装过程中通过避让孔从封装模具中溢出。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210956665U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202020045615.7
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种智能功率模块及电子设备。智能功率模块，包括：基板，所述基板的一侧表面形成有金属层，所述金属层上形成有用于安装芯片的多个芯片安装区，每个所述芯片安装区内均设用于容纳引线框架的管脚的凹槽。本申请中的智能功率模块，基板的一侧表面形成的金属层，金属层上的芯片安装区上设有凹槽，以使引线框架的管脚与金属层连接时，管脚嵌入至金属层的凹槽中，降低基板的金属层面溢胶的情况发生。
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公开(公告)号：CN210956673U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202020117568.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L25/18 , H01L23/367 , H02M7/5387 , H02M1/42 , H02M7/06
Abstract: 本实用新型涉及电子电路技术领域，公开了一种功率模块及电子设备，该功率模块包括由多块板体拼接而成的具有立体结构的基体，其中，基体具有多个面，且至少两个面对应的板体上设有功能芯片，相互对应、且位于不同板体上的功能芯片之间通过引线键合；该电子设备设有上述功率模块。该功率模块及电子设备中基体均为多个板体拼接而成的立体结构，且至少基体两个面对应的板体上设有功能芯片，将功率模块中的功能芯片设置在了立体结构的基体的至少两个面上，相比于功能芯片的平面封装，在相同体积下，能够封装更大面积的功能芯片，功率模块的电流密度更大。
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公开(公告)号：CN210928142U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201922078902.8
申请日：2019-11-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供了一种用于方形扁平无引脚封装的印刷电路板，所述印刷电路板上设置有多个限位件，多个所述限位件围绕方形扁平无引脚封装安装区域布置以便对所述方形扁平无引脚封装进行限位。利用该印刷电路板，能够通过限位件防止PCB板在回流焊过程中变形导致QFN器件焊接不良或虚焊的问题，提升QFN封装的焊接质量。
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