一种花片状纳米氧化镍的制备方法

    公开(公告)号:CN109755029B

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201910097786.6

    申请日:2019-01-31

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明属于电化学材料技术领域,具体涉及一种花片状纳米氧化镍的制备方法。本发明提供的制备方法,包括:将镍基体在氯化盐电解液中进行电解,得到前驱体;将所述前驱体进行热处理,得到花片状纳米氧化镍。本发明将电化学氧化和热处理联用,得到了花片状堆积结构的氧化镍,且单片氧化镍具有超薄结构,有利于材料电化学性能的提升。实施例结果表明,本发明提供的制备方法制备得到的氧化镍作为超级电容器正极材料使用时,比容量达到170mAh/g水平,循环稳定性优异。

    一种花片状纳米氧化镍的制备方法

    公开(公告)号:CN109755029A

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201910097786.6

    申请日:2019-01-31

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明属于电化学材料技术领域,具体涉及一种花片状纳米氧化镍的制备方法。本发明提供的制备方法,包括:将镍基体在氯化盐电解液中进行电解,得到前驱体;将所述前驱体进行热处理,得到花片状纳米氧化镍。本发明将电化学氧化和热处理联用,得到了花片状堆积结构的氧化镍,且单片氧化镍具有超薄结构,有利于材料电化学性能的提升。实施例结果表明,本发明提供的制备方法制备得到的氧化镍作为超级电容器正极材料使用时,比容量达到170mAh/g水平,循环稳定性优异。

    一种高能量密度氢氧化钴薄膜电极的原位制备方法

    公开(公告)号:CN107946547A

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201711133636.3

    申请日:2017-11-16

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种高能量密度氢氧化钴薄膜电极的原位制备方法,其主要步骤包括:(1)将金属集流体清洗除尘、除油以获得清洁的表面;(2)通过电镀技术在集流体表面电沉积金属钴层,控制钴镀层厚度在1-20微米;(3)配置原位制备所用的电解质溶液,溶剂为去离子水,溶质主要成分为金属碱;(4)将清洗干净的镀钴的电极浸入到所配置的电解质溶液中,通过电化学氧化-还原技术对电极表面进行持续活化,即可获得具有高能量密度的氢氧化钴薄膜电极。本发明工艺简单、易于操作、生产成本低,所制备薄膜电极在碱性体系中储能活性高,原材料易回收,适合工业化大生产。

    一种铁基氢氧化物赝电容薄膜材料的原位制备方法

    公开(公告)号:CN107937966A

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201711030474.0

    申请日:2017-10-30

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种铁基氢氧化物赝电容薄膜材料的原位制备方法,其主要步骤包括:(1)将金属铁基体清洗除尘、除油以获得清洁的铁表面;(2)配置原位制备所用的电解质溶液,溶剂为去离子水,溶质的成分为金属碱,添加剂为碱金属氯化物;(3)将清洗干净的铁基体作为工作电极浸入电解质溶液,并将石墨电极作为对电极一并加入到电解质溶液,通过常规的电化学氧化-还原技术即恒电流阶跃或脉冲电压阶跃对铁基体表面进行持续活化对铁电极进行循环活化,即可在铁基体表面获得一层具有高赝电容活性的铁基氢氧化物薄膜材料。本发明原材料廉价,工艺简单,易于操作,生产成本低,所制备薄膜产品的电化学赝电容储能活性高,适合工业化大生产。

    一种原位制备NiO纳米片薄膜材料的方法

    公开(公告)号:CN106544666A

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201610953379.7

    申请日:2016-11-03

    Applicant: 燕山大学

    CPC classification number: C23C22/68 B82Y40/00 C23C22/82

    Abstract: 一种基于原位生长在镍基体上制备NiO纳米片薄膜材料的方法,其主要步骤包括:首先,将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面;其次,配制水性电解液,原料为碳酸盐,其浓度为10-300g/L;然后,将电解液放入反应釜中,同时将干净的镍基体浸入电解液中,并密封反应釜,再将反应釜置于马弗炉中在150-250℃进行水热反应10-96小时,使得金属镍表面发生氧化反应生成前驱体薄膜;最后,将水热后的电极取出、清净、干燥,并置于加热炉中在250-500℃下进行脱水热处理,即获得原位生长的NiO纳米片薄膜材料。本发明原材料廉价、工艺简单、易于操作、生产成本低,所制备的NiO薄膜材料分布均匀、厚度可控,适合工业化大生产。

    一种氢氧化钴薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103911646A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410122323.8

    申请日:2014-03-28

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种氢氧化钴薄膜的制备方法,其主要是在导电或非导电的平面基体上通过电沉积法或化学沉积法获得金属钴的薄膜;然后通过机械剥离法、超声法或化学方法将金属钴薄膜从基体剥离并浸入pH为10-15的电解液中,使金属钴薄膜与电解液中的溶解氧在室温下进行反应,反应时间为1-30小时,经过洗涤、干燥后,即可得到氢氧化钴薄膜,该薄膜是由六边型氢氧化钴纳米颗粒相互交联而成,其厚度为100-1000nm。本发明制备工艺简单、易于操作、生产成本低、周期短、适合工业化大生产,所得氢氧化钴薄膜纯度高、厚度均匀可控,适用于制备各类电池材料及催化剂材料。

    一种用于电化学测试的电极夹具

    公开(公告)号:CN211955298U

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201922209462.5

    申请日:2019-12-11

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本实用新型属于电化学测试领域,公开了一种用于电化学测试的电极夹具,包括夹头,夹杆,垫片,螺钉,套管。套管使用聚四氟乙烯材质,其余各种零件均采用不锈钢材质,耐腐蚀,可长期使用,可用于电沉积,电解,电化学测试等手段。另外拥有可以拆卸的特点,根据实验规模自行调整电极夹具,同时减少了维修的成本,也可推广使用。本实用新型结构简单,成本低,操作简单,便于维护,适合实验室和工业化使用。

Patent Agency Ranking