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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104846417A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510152293.X
申请日：2015-04-01
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种Ni/CeO2复合析氢电极的制备方法，其主要是将0.1～20g粒径为10nm～5μm的CeO2颗粒加入到镀液中进行分散处理，再将处理好的金属铜箔基底固定在圆筒形反应器中作为电沉积阴极进行电沉积，位于圆筒形反应器中心轴的纯镍管作为电沉积阳极，温度为45℃，电流密度为3A/dm2，电沉积时间为1小时，通过调节圆筒形反应器的转速来获得所需的不同强度的超重力场，超重力场强度G范围为95～1000g，超重力场方向垂直于阴极表面。本发明能够有效促进电沉积过程中气泡脱离电解液、加快离子迁移和传质过程、提高镀层中复合颗粒含量、细化镀层晶粒，从而使制备的Ni/CeO2复合析氢电极的催化析氢性能显著提高。
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公开(公告)号：CN103911646B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410122323.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种氢氧化钴薄膜的制备方法，其主要是在导电或非导电的平面基体上通过电沉积法或化学沉积法获得金属钴的薄膜；然后通过机械剥离法、超声法或化学方法将金属钴薄膜从基体剥离并浸入pH为10‑15的电解液中，使金属钴薄膜与电解液中的溶解氧在室温下进行反应，反应时间为1‑30小时，经过洗涤、干燥后，即可得到氢氧化钴薄膜，该薄膜是由六边型氢氧化钴纳米颗粒相互交联而成，其厚度为100‑1000nm。本发明制备工艺简单、易于操作、生产成本低、周期短、适合工业化大生产，所得氢氧化钴薄膜纯度高、厚度均匀可控，适用于制备各类电池材料及催化剂材料。
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公开(公告)号：CN103606654B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310561117.2
申请日：2013-11-12
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种碳包覆锰氧化物复合材料的制备方法，其主要是将强碱溶液和二价锰盐溶液在磁力搅拌下，生成氢氧化锰沉淀，将生成的沉淀过滤烘干，与有机碳源以1:1～50的质量比混合，球磨得到氢氧化锰前驱体；或将二氧化锰与有机碳源以1:1～50的质量比混合，球磨得到二氧化锰前驱体。将上述氢氧化锰或二氧化锰前驱体在400～1200℃，惰性气体保护下，保温0～10小时，冷却至室温后将制备出纳米氧化锰/碳复合物，然后将复合物与乙炔黑、PTFE混合，均匀涂覆到泡沫镍电极上，用恒电流技术进行电化学充放电化成，制备出花瓣状的高性能的锰氧化物/碳复合物。本发明制备的复合材料碳与锰氧化物结合牢固，比容量高，功率密度高，稳定性好。
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公开(公告)号：CN103911646A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410122323.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种氢氧化钴薄膜的制备方法，其主要是在导电或非导电的平面基体上通过电沉积法或化学沉积法获得金属钴的薄膜；然后通过机械剥离法、超声法或化学方法将金属钴薄膜从基体剥离并浸入pH为10-15的电解液中，使金属钴薄膜与电解液中的溶解氧在室温下进行反应，反应时间为1-30小时，经过洗涤、干燥后，即可得到氢氧化钴薄膜，该薄膜是由六边型氢氧化钴纳米颗粒相互交联而成，其厚度为100-1000nm。本发明制备工艺简单、易于操作、生产成本低、周期短、适合工业化大生产，所得氢氧化钴薄膜纯度高、厚度均匀可控，适用于制备各类电池材料及催化剂材料。
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公开(公告)号：CN103606654A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310561117.2
申请日：2013-11-12
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种碳包覆锰氧化物复合材料的制备方法，其主要是将强碱溶液和二价锰盐溶液在磁力搅拌下，生成氢氧化锰沉淀，将生成的沉淀过滤烘干，与有机碳源以1:1～50的质量比混合，球磨得到氢氧化锰前驱体；或将二氧化锰与有机碳源以1:1～50的质量比混合，球磨得到二氧化锰前驱体。将上述氢氧化锰或二氧化锰前驱体在400～1200℃，惰性气体保护下，保温0～10小时，冷却至室温后将制备出纳米氧化锰/碳复合物，然后将复合物与乙炔黑、PTFE混合，均匀涂覆到泡沫镍电极上，用恒电流技术进行电化学充放电化成，制备出花瓣状的高性能的锰氧化物/碳复合物。本发明制备的复合材料碳与锰氧化物结合牢固，比容量高，功率密度高，稳定性好。
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