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公开(公告)号：CN107946547A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711133636.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 燕山大学
IPC: H01M4/29
Abstract: 一种高能量密度氢氧化钴薄膜电极的原位制备方法，其主要步骤包括：(1)将金属集流体清洗除尘、除油以获得清洁的表面；(2)通过电镀技术在集流体表面电沉积金属钴层，控制钴镀层厚度在1-20微米；(3)配置原位制备所用的电解质溶液，溶剂为去离子水，溶质主要成分为金属碱；(4)将清洗干净的镀钴的电极浸入到所配置的电解质溶液中，通过电化学氧化-还原技术对电极表面进行持续活化，即可获得具有高能量密度的氢氧化钴薄膜电极。本发明工艺简单、易于操作、生产成本低，所制备薄膜电极在碱性体系中储能活性高，原材料易回收，适合工业化大生产。
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