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公开(公告)号：CN109585667A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811525079.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种电光纳米涂料结构器件，包括：依次复合的基底、电子输运层、电介质层、发光涂料层、导电层和封装层，以及分别与电子输运层和导电层相连的正负电极，所述发光涂料层由发光纳米涂料制备而成，所述发光纳米涂料包括发光纳米材料和溶剂。本发明提供的电光纳米涂料结构器件中发光涂料层所用的发光涂料具有颜色多种可选、稳定性高、成本低、合成工艺简单且光量子效率高等特点。相比传统涂料工艺，本发明利用电致发光原理在不改变涂料原有的优良附着力的情况下，掺入纳米电光材料，在白天发光图案被隐藏于环境之中，黑暗环境时通电可视发光图形。
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公开(公告)号：CN117568777A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311436243.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 湖南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法。其方法包括以下步骤：将惰性耐高温垫片上放置蓝宝石衬底于加热装置内，硫源、钼源置于加热装置内进行抽真空后通氮气，加热处理硫源、钼源以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，惰性耐高温垫片是将干燥洁净的泡沫碳化硅浸泡于装有NaClO溶液的容器中，在真空条件下进行浸渍处理后干燥所得。本发明采用真空浸渍NaClO溶液的方法对反应体系中的惰性垫片进行处理，以此增加制备过程的可控性，实现了大尺寸、高质量二硫化钼单层薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN116952538B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310931567.X
申请日：2023-07-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及紫外探测器检测领域，更具体的说是一种用于紫外探测器光电性能检测的快速质检装置，包括循环检测轨道，循环检测轨道内转动设置有抬起驱动器，循环检测轨道的两端分别升降设置有两个灯架支撑台，两个灯架支撑台之间设置有燃弧光电检测夹具，两个灯架支撑台上分别纵向滑动设置有两个燃弧光电检测驱动器，循环检测轨道上固定有用于暗电流测试和噪声特性测试的暗电流检测台和噪声检测台；本发明的有益效果为对刚刚加工制备出的紫外探测器进行快速稳定的批量检测，进而实现对批量的对紫外探测器进行循环式的燃弧光电响应特性测试、暗电流测试和噪声特性测试的快速质检。
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公开(公告)号：CN116400563A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310304893.8
申请日：2023-03-23
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点光刻胶的合成方法，采用油酸、油胺长链配体，以极性溶剂为反应溶剂，添加卤化铅以及铯源为前驱体物质，一步生成高质量钙钛矿量子点，然后通过试剂对钙钛矿量子点表面配体进行清除形成表面缺陷，让钙钛矿量子点具备电负性，再添加卤化铵封端的配体与量子点表面的缺陷结合后制备成光刻胶。本发明不仅提升了量子点光刻胶的稳定性，而且增强了量子点与感光配体的作用力，进而实现了高精度的量子点显示阵列器件的可控制备，易于实现量产，解决了微小显示屏多彩色转换的复杂工艺，相较其他现有产品具有更简便的工艺、更高的稳定性、色彩纯度高和更大的显示色域，有助于推动Mini LED/Micro LED彩色化应用。
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公开(公告)号：CN116247134A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310339372.6
申请日：2023-03-31
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米发光器件及其制备方法，该纳米发光器件的制备方法，提供外延片，然后于外延片上形成牺牲层，再自上而下刻蚀形成贯穿牺牲层、第一导电层、第一氮化镓层和量子阱有源层，深至氮化镓叠层的至少一纳米柱结构，每一纳米柱结构均可作为一颗纳米发光器件的像素点。纳米柱结构采用氧化硅层填平后，去除牺牲层及部分氧化硅层，并在纳米柱结构和氮化镓叠层上形成第一电极且在氮化镓叠层上形成第二电极，由此制备的纳米发光器件的纳米柱结构形状完整，提高了纳米发光器件的出光效率和发光性能，释放了应力，缓解了应力集中带来的极化场影响，且在垂直方向的电子输送过程中，加强了纳米级尺度的电流限制能力，提高了电光转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116206556A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310233678.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明具体公开了一种基于人眼视觉暂留的MicroLED透明显示屏，包括透光基板、发光层、移动板和自驱动轮，所述发光层包括设于透光基板前侧的透光层以及阵列分布在透光层上的MicroLED阵列，移动板设于发光层的前侧，移动板包括横向交替设置的若干个透光板和挡光板，自驱动轮位于移动板的下侧并可驱动移动板在预设移动幅度范围内以预设频率和预设速度左右移动。本发明通过挡光板实现了自然光与MicroLED发射光在人眼视觉暂留时间内同时出现并透明显示，并基于利用人眼视觉暂留技术使得MicroLED高密度集成，有效提高了透明显示分辨率和透明度，进而解决了现有技术中发光器件亮度不够的技术问题。
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公开(公告)号：CN113451423B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110852268.8
申请日：2021-07-27
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元效应的低维半导体光电突触器件的制备方法，从上到下包括上电极对、金属纳米颗粒层、低维半导体层、氧化物层、基底层和底电极，其中金属纳米颗粒层和低维半导体层为异质结层。通过本发明的金属纳米颗粒/低维半导体异质结制备方法制得的异质结应用于光电突触器件，相比现有同质结等制得的光电突触器件，光吸收效率高、光电转化效率高、光敏突触电流信号强。
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公开(公告)号：CN113451423A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110852268.8
申请日：2021-07-27
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元效应的低维半导体光电突触器件的制备方法，从上到下包括上电极对、金属纳米颗粒层、低维半导体层、氧化物层、基底层和底电极，其中金属纳米颗粒层和低维半导体层为异质结层。通过本发明的金属纳米颗粒/低维半导体异质结制备方法制得的异质结应用于光电突触器件，相比现有同质结等制得的光电突触器件，光吸收效率高、光电转化效率高、光敏突触电流信号强。
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公开(公告)号：CN110416065B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910688508.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括：采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层，然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层，并在NaI的辅助下，在600‑700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结。本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单，原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺，能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素，实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长。本发明提出了一种新的生长机制，能更加深入理解TMDCs垂直异质结在成核和动力学方面的生长过程，为基础研究和潜在的器件应用定义了一个多功能的材料平台。
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公开(公告)号：CN112590419A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011332570.2
申请日：2020-11-24
Applicant: 湖南大学
IPC: B42D25/328 , B42D25/405 , B42D25/41
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米复合结构的光学防伪标识，采用如下方法制得，采用如下方法制得，步骤一：制备纳米复合结构，所述纳米复合结构包括衬底以及衬底上方的金纳米结构层，衬底包括单晶硅片或金属氧化物制成，步骤二：纳米复合结构阵列组合成任意图形；步骤三：利用白光照射所述图形，对光进行明场与暗场区分，从而显示出不同的明暗场图案而实现光学防伪。本发明操作简单，难度小，实现可能性高，实际生产价值更大。
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