-
公开(公告)号：CN117568777A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311436243.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 湖南大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法。其方法包括以下步骤：将惰性耐高温垫片上放置蓝宝石衬底于加热装置内，硫源、钼源置于加热装置内进行抽真空后通氮气，加热处理硫源、钼源以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，惰性耐高温垫片是将干燥洁净的泡沫碳化硅浸泡于装有NaClO溶液的容器中，在真空条件下进行浸渍处理后干燥所得。本发明采用真空浸渍NaClO溶液的方法对反应体系中的惰性垫片进行处理，以此增加制备过程的可控性，实现了大尺寸、高质量二硫化钼单层薄膜的制备。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
