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公开(公告)号：CN100483769C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710064947.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L49/00
Abstract: 基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的Ag纳米线簇的两端分别与两金属Ni电极相连接构成异质结构。然后，将该异质结构真空封装于石英套管内，并在套管外留出两电极引线，构成光电流传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接，当有光束照射在Ag/Ni异质结结区时，电路中光致电流会发生显著变化，该光致电流的强度依赖于入射光的光强，即当光强增加时，光致电流强度也会增加，反之，光强减小时，光致电流强度也会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快。
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公开(公告)号：CN100356149C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510011175.3
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 多壁碳纳米管束-金属异质结的光电子传感器和成像仪探头，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的多壁碳纳米管束的顶端与金属导电薄膜相连接，在连接处形成碳纳米管束一金属异质结，并从金属导电薄膜和碳纳米管束的另一端分别引出电极，构成基本的光电子传感器元件。将若干个光电子传感器排列成一维阵列或二维阵列，可分别构成线阵扫描式动态成像仪探头和面阵静态成像仪探头。工作时，用导线把两电极和电信号检测设备相连接构成回路，当有光束照射在异质结上时，回路中即可产生光致电流，当光强增加时，光致电流会增加，反之，光致电流会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快，光电响应时间为毫秒量级。
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公开(公告)号：CN1327202C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510011171.5
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 基于无序多壁碳纳米管-金属异质结的温度传感器，涉及一种基于无序多壁碳纳米管-金属异质结的温度传感器及其制作方法。该温度传感器包括绝缘绝热管，填充在绝缘绝热管内的多壁碳纳米管粉末柱，设置在多壁碳纳米管粉末柱一端且与碳纳米管粉末柱紧密接触形成碳纳米管-金属异质结的金属温度探头以及封压在碳纳米管粉末柱另一端的导电金属块。工作时，先把电极和外电路测量仪表相连接，然后将金属温度探头与被测物体相接触，这样，由于碳纳米管-金属异质结的存在，电路中会产生随温度变化的热致电流。该温度传感器不仅结构简单，制作方便，成本低廉，而且可测量温度范围宽，在大范围内均能保证同样的测量精度，对温度的响应时间快。
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公开(公告)号：CN1709789A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510012005.7
申请日：2005-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明选用裸玻璃光纤为基底，用真空热蒸镀方法在裸玻璃光纤一侧沉积两片银膜分别作为阴极和阳极，在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积RbAg4I5银离子导电薄膜，并使其覆盖阴极和阳极。在真空中，对阴极和阳极之间施加恒定直流电压，经数十小时后，阴极边缘生长出长度达厘米量级的银单晶纳米线阵列。该方法在全固态环境且无任何模板的条件下实现，操作简单，阵列长度由通电时间控制，阵列中的银纳米线彼此平行排列，且该阵列易于从基底分离，可作为导线或器件应用于宏观尺度的电子学、光电子学领域中，或直接作为表面增强拉曼散射基底用于化学分析领域中。
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公开(公告)号：CN1632477A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510011175.3
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 多壁碳纳米管束—金属异质结的光电子传感器和成像仪探头，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的多壁碳纳米管束的顶端与金属导电薄膜相连接，在连接处形成碳纳米管束—金属异质结，并从金属导电薄膜和碳纳米管束的另一端分别引出电极，构成基本的光电子传感器元件。将若干个光电子传感器排列成一维阵列或二维阵列，可分别构成线阵扫描式动态成像仪探头和面阵静态成像仪探头。工作时，用导线把两电极和电信号检测设备相连接构成回路，当有光束照射在异质结上时，回路中即可产生光致电流，当光强增加时，光致电流会增加，反之，光致电流会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快，光电响应时间为毫秒量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1199846C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03137253.8
申请日：2003-06-03
Applicant: 清华大学
CPC classification number: B82Y30/00 , C23C2/00 , C23C26/00 , C30B29/605
Abstract: 纯银纳米管阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银管阵列及制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气中，通过改变银离子导电薄膜RbAg4I5的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银管阵列；可以使制备的银管的长度达数微米以上，外径为百纳米量级、内径为几十纳米，且生长的方向是由直流电场方向控制的。本发明所制备的银管阵列可作为导线或器件应用于微电子学及光电子学领域中。
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公开(公告)号：CN1464294A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02121108.6
申请日：2002-06-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01N1/28 , G01N23/225 , H01J37/26
Abstract: 一种易受潮变性晶体薄膜的透射电子显微镜样品制备方法，该方法的实施步骤是首先在NaCl晶体基片上镀一层薄碳膜，再用真空热蒸镀的方法在碳膜上外延生长出所要检测的晶体薄膜，之后在晶体薄膜外表面镀一层碳膜，制成三明治膜系；将其取出放入盛水的容器中，使三明治膜系向上，然后将其迅速捞取并立即放入真空室内快速烘干，即可制得所需的晶体薄膜的透射电子显微镜样品。采用本发明既能在NaCl基片上外延生长出所需的晶体薄膜，又能够在碳膜的保护下在水中将薄膜从基片上剥离，并使其在真空室内迅速干燥。由于碳膜对电子束透明，因此得到的透射电子显微镜样品完全符合要求，且成功率很高。
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公开(公告)号：CN102694051A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210182614.7
申请日：2012-06-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了光电探测器设计技术领域中的一种基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器。包括上电极引线、透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层、电子接收层和下电极引线；透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层和电子接收层自上而下依次布置；透明导电光电子发射层采用碳纳米管薄膜；双光电转换层的上层采用氧化亚铜纳米颗粒薄膜，双光电转换层的下层采用氧化钛纳米管阵列；绝缘层中部含有一个透光窗口，碳纳米管薄膜通过透光窗口与氧化亚铜纳米颗粒薄膜接触；电子接收层采用钛薄片；上电极引线和碳纳米管薄膜与绝缘层相接触的区域相连；钛薄片下表面与下电极引线相连接。本发明具有较高的光电响应灵敏度，其结构简单且制作方便。
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公开(公告)号：CN101794837B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201010108593.5
申请日：2010-02-05
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/101
Abstract: 基于非对称异维结构的光电导传感器，涉及一种光电导传感器件。该光电导传感器包含透明导电光电子发射层、光电转换层、电子接收层、上电极引线以及下电极引线；透明导电光电子发射层采用低维度的碳纳米管薄膜，光电转换层采用中等维度的氧化钛纳米管阵列，电子接收层采用厚度为毫米量级的钛薄片，在上电极引线与碳纳米管薄膜相连接区域的碳纳米管薄膜下方设置绝缘层，钛薄片下表面与下电极引线相连接，从而使其形成非对称异维结构。该光电导传感器具有结构简单，制作方便等优点，且其光电响应速度很快，其光谱响应范围可以从紫外光区域拓宽到可见光区域，因此该器件在未来的高分辨光电子学探测技术领域中将具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101794837A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010108593.5
申请日：2010-02-05
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/101
Abstract: 基于非对称异维结构的光电导传感器，涉及一种光电导传感器件。该光电导传感器包含透明导电光电子发射层、光电转换层、电子接收层、上电极引线以及下电极引线；透明导电光电子发射层采用低维度的碳纳米管薄膜，光电转换层采用中等维度的氧化钛纳米管阵列，电子接收层采用厚度为毫米量级的钛薄片，在上电极引线与碳纳米管薄膜相连接区域的碳纳米管薄膜下方设置绝缘层，钛薄片下表面与下电极引线相连接，从而使其形成非对称异维结构。该光电导传感器具有结构简单，制作方便等优点，且其光电响应速度很快，其光谱响应范围可以从紫外光区域拓宽到可见光区域，因此该器件在未来的高分辨光电子学探测技术领域中将具有十分广阔的应用前景。
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