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公开(公告)号：CN1023347C
公开(公告)日：1993-12-29
申请号：CN91100410.6
申请日：1991-01-24
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于半导体测量技术，适用于半导体电学特性及绝缘体/并导体界面电学特性的测量。由于采用了脉冲电荷法新的测量技术，及由放大器、采样电路、积分器、反馈元件依次连接而成的新型漏电补偿反馈电路，并加入了微机控制，使本发明成为集“时域模式”、“瞬态电荷测量”及“漏电补偿”这样三个各有显著优点的因素于一体的实用测量系统，可以取代多种现有测量方法及装置，并能测量薄栅介质及漏电较大的MOS或MIS样品，可获取全部信息，且具有测量精度高等优点。
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公开(公告)号：CN85100131B
公开(公告)日：1987-02-25
申请号：CN85100131
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高（每小时六十片以上）。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既适合于制作１μｍ短沟超大规模集成电路和浅ＰＮ结（结深为０．２μｍ）器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅ＰＮ结的欧姆结制作。
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公开(公告)号：CN85100131A
公开(公告)日：1986-07-23
申请号：CN85100131
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既合适于制作1μm短沟超大规模集成电路和浅pn结(结深为0.2μm)器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅pn结的欧姆结制作。
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公开(公告)号：CN1317728C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200410000698.3
申请日：2004-01-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于微型电子元件领域的一种用牺牲层材料做支撑梁的微机械开关及制作工艺。其结构是在衬底的氧化层上面固定下极板、上极板和支撑梁，支撑梁在上下极板之间，上极板的两端，用牺牲层材料层做成。省去了传统微机械开关制作过程中所需的形成金属支撑梁的工艺，简化了工艺流程。同时解决了上层金属极板和金属支撑梁之间容易断裂的问题，提高了结构的稳定性和可靠性。该开关的使用寿命优于传统金属支撑梁结构的开关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1312718C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410077950.0
申请日：2004-09-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种多谐振点的微机械开关。在硅衬底上从下至上依次有氧化层、下极板和氮化硅层，牺牲层在氮化硅层上支撑上电极。上电极与地线之间有一个以上金属连接梁，其中至少有一个梁直接接地，其余的非接地梁与地线上的介质层连接或者悬空，构成对地电容；连接梁采用直梁，折叠梁或折叠弹簧结构增加等效电感。在关态时，隔离度表现出多个谐振点，改善在相同结构特征下微机械开关的谐振特性，可以通过设计开关的结构，得到电容值和电感值，从而决定每个谐振点的频率值。因此，该开关既具备电感调制使得谐振频率降低的优点，又因为具备多个谐振点而拓展了适用频段，微波性能远优于传统微机械开关。
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公开(公告)号：CN1588604A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410077951.5
申请日：2004-09-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于微型半导体件电子元器件范围的一种利用螺线圈电感结构调节谐振频率的微机械开关。是在硅衬底上依次为热氧化层、下极板、覆盖下极板的氮化硅层、连接上极板和下极板的牺牲层。在上极板两端的螺线圈螺线圈结构连接上电极和共面波导地线。在工艺流程、机械性能和传统开关基本相当或相同条件下，通过对简单的结构的调节，方便地实现对电容式微机械开关谐振频率的可控调节，大幅度地降低电容式微机械开关的谐振频率；很大程度地改善开关隔离度。保证开关的机械强度和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1588603A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410077950.0
申请日：2004-09-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种多谐振点的微机械开关。在硅衬底上从下至上依次有氧化层、下极板和氮化硅层，牺牲层在氮化硅层上支撑上电极。上电极与地线之间有一个以上金属连接梁，其中至少有一个梁直接接地，其余的非接地梁与地线上的介质层连接或者悬空，构成对地电容；连接梁采用直梁，折叠梁或折叠弹簧结构增加等效电感。在关态时，隔离度表现出多个谐振点，改善在相同结构特征下微机械开关的谐振特性，可以通过设计开关的结构，得到电容值和电感值，从而决定每个谐振点的频率值。因此，该开关既具备电感调制使得谐振频率降低的优点，又因为具备多个谐振点而拓展了适用频段，微波性能远优于传统微机械开关。
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公开(公告)号：CN1131557C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN01130793.5
申请日：2001-08-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路制作技术领域，包括：备片、清洗：热氧化；淀积氮化硅阻挡层；第一次光刻，刻蚀氮化硅阻挡层；刻蚀二氧化硅；阳极氧化，形成多孔硅；去除二氧化硅、氮化硅；淀积二氧化硅支撑膜；致密；在硅片上溅射铝；第二次光刻，腐蚀铝，形成下层铝线；淀积氮化硅绝缘层；第三次光刻，刻蚀氮化硅绝缘层；在绝缘膜上溅射铝，作为上层金属；第四次光刻，腐蚀铝，形成上层铝线；合金；第五次光刻，形成释放孔；释放多孔硅；清洗、烘干。本方法不仅可以制作出悬浮结构MEMS电感，而且可以制作采用类似悬浮结构的滤波器、振荡器等，同时，完全的CMOS兼容工艺可以大大提高系统的集成度，降低系统成本，可望得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN1119917C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN00105555.0
申请日：2000-03-31
Applicant: 清华大学
IPC: H04R7/04
Abstract: 本发明涉及用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构及其制备方法，首先在单晶硅衬底淀积一层氮化硅，硅衬底背面腐蚀，形成背腔，在氮化硅上淀积一层二氧化硅，射频磁控溅射金属Pt/Ti层，再光刻金属Pt/Ti层，以形成底层电极；用溶胶-凝胶法在Pt/Ti层上制备PZT铁电薄膜，在PZT铁电薄膜上制备顶层电极，去除其中一侧，即为本发明的悬臂式振膜结构。采用本发明制备的悬臂式振膜结构，集成微麦克风和扬声器，其灵敏度和声输出有了明显提高。
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