-
公开(公告)号：CN108493325A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810288040.9
申请日：2018-04-03
Applicant: 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/18 , H01L41/22
Abstract: 本发明公开了一种高频高性能声表面波器件及其制备方法。所述声表面波器件包括依次叠加的碳化硅单晶衬底、压电薄膜和叉指电极；压电薄膜为钽酸锂单晶薄膜或铌酸锂单晶薄膜；碳化硅单晶衬底为4H-SiC单晶基片、6H-SiC单晶基片、3C-SiC单晶基片或3C-SiC外延单晶基片。碳化硅单晶基片具有较高的声速、优良的热稳定性和化学稳定性和高热导率；钽酸锂或铌酸锂压电单晶薄膜的晶体质量高、一致性好、传播损耗小，采用叉指电极/钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜/碳化硅单晶衬底结构形式的声表面波器件，具有较高的中心频率、高的功率耐受性、小的温度系数，在移动通讯领域有巨大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105634470B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201511000779.8
申请日：2015-12-28
Applicant: 清华大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法，其特征在于，包括以下内容：1)定义对磁阻器件所施加磁场的大小和方向，使得磁阻器件满足双驼峰形磁阻特性，并定义磁阻器件的低电阻态激发磁场强度绝对值为Ha和磁阻器件的高电阻态激发磁场强度绝对值为Hb；2)定义磁场的两个输入端口S1和S2方向，设定输入端口S1的磁场方向为正，输入端口S2的磁场方向为负；3)定义磁场的两个输入端口S1和S2的磁场的大小，对磁阻器件依次进行W1写入操作和W2写入操作；4)重新定义磁阻器件两个输入端口S1和S2磁场的大小，对磁阻器件进行W3写入操作。本发明可以广泛应用于基于磁阻效应的逻辑电路中。
-
公开(公告)号：CN105634470A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511000779.8
申请日：2015-12-28
Applicant: 清华大学
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法，其特征在于，包括以下内容：1)定义对磁阻器件所施加磁场的大小和方向，使得磁阻器件满足双驼峰形磁阻特性，并定义磁阻器件的低电阻态激发磁场强度绝对值为Ha和磁阻器件的高电阻态激发磁场强度绝对值为Hb；2)定义磁场的两个输入端口S1和S2方向，设定输入端口S1的磁场方向为正，输入端口S2的磁场方向为负；3)定义磁场的两个输入端口S1和S2的磁场的大小，对磁阻器件依次进行W1写入操作和W2写入操作；4)重新定义磁阻器件两个输入端口S1和S2磁场的大小，对磁阻器件进行W3写入操作。本发明可以广泛应用于基于磁阻效应的逻辑电路中。
-
公开(公告)号：CN104009155A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410264504.4
申请日：2014-06-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L43/14
Abstract: 本发明涉及一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其包括以下步骤：采用磁控溅射方法在YIG基片上生长纳米厚度的Pt薄膜，采用紫外线光刻和氩离子刻蚀方法将Pt薄膜加工成“艹”字形霍尔结；在“艹”字形霍尔结的纵向外加正弦电流；在“艹”字形霍尔结横向即平行于霍尔结表面且垂直于所加正弦电流的方向外加偏置磁场；利用外加的正弦电流和偏置磁场共同调节YIG基片的磁化强度，并利用自旋霍尔磁电阻效应调节Pt薄膜的电阻，生成忆阻器。本发明直接将电荷量与磁通量用忆阻系数相联系，避免了阻变随机存储器不涉及磁效应的问题。本发明可以广泛应用于忆阻器的设计中。
-
公开(公告)号：CN102738391B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201210186988.6
申请日：2012-06-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种可调控介质层磁性的阻变存储器。该阻变存储其包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其中，所述底电极和顶电极均为铂电极或者金电极；所述介质层为过渡金属Co、Fe和Ni等掺杂的氧化锌高阻态稀磁氧化物薄膜，该具有稀磁特性的ZnO薄膜由下述原子百分数的元素组成：过渡金属为1.0～3.0at.%，Zn为47.0～49.0at.%，其余为O。采用阻变的方式调控ZnO基稀磁氧化物存储介质层磁性的变化，这种磁性强弱的变化可以用作信息的存储，增加了信息存储的维度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119662979A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411701603.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 清华大学
IPC: C22B3/44 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/02 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/58 , C23C8/10 , C23C14/04 , C23F1/36 , C22B7/00
Abstract: 本发明涉及金属制备技术领域。本发明提供了一种金属铜的制备方法，包括：S1、制备铜氧化物薄膜；S2、在所述铜氧化物薄膜的至少一侧的表面制备金属铝膜；S3、将含有所述铜氧化物薄膜和所述金属铝膜的薄膜置于碱溶液中浸泡，得到金属铜。本发明可以在室温下制备金属铜，简单便捷。
-
公开(公告)号：CN119451547A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310967385.8
申请日：2023-08-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁奈尔矢量180度翻转的电学读写存储器件、制备方法和读写方法。本发明电学读写存储器件包括：由下至上依次层叠设置且构成异质结构的衬底层、反铁磁层和自旋源层；所述衬底层的材料为可外延生长反铁磁层的单晶基片；所述反铁磁层的材料为具有反常霍尔效应的共线反铁磁材料或者具有反常霍尔效应的交错磁体；所述自旋源层的材料具有自旋流产生能力。本发明存储器利用电流脉冲驱动奈尔矢量的180度翻转，180度翻转前后的奈尔矢量具有一高一低两种反常霍尔电阻态，可用于存储信息“0”和“1”。不仅丰富了自旋流与反铁磁奈尔矢量相互作用的内涵，而且为构建高密度、高读写速度、低功耗的非易失性磁随机存储器奠定基础。
-
公开(公告)号：CN119156118A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310709136.9
申请日：2023-06-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹波探测器及探测方法。所述太赫兹波探测器包括衬底层和附着于衬底层上的反铁磁层，反铁磁层采用的材料为具有反演对称性破缺的反铁磁金属，反铁磁层采用的材料为锰金合金Mn2Au。采用本发明太赫兹波探测器探测太赫兹波时包括如下步骤：S1、将太赫兹波探测器的反铁磁层通过电极焊线连接电阻测试端；S2、将极化偏振的太赫兹波照射太赫兹波探测器的反铁磁，进而激发自旋轨道扭矩的注入，实现反铁磁中奈尔矢量的翻转，通过探测太赫兹波探测器的磁电阻的变化实现太赫兹的大小以及偏振方向的探测。本发明利用反铁磁奈尔矢量翻转变化来实现太赫兹波的探测，是基于自旋的太赫兹波发射器，具有易制备、响应快、可室温工作等特点。
-
公开(公告)号：CN108111142B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810069487.7
申请日：2018-01-24
Applicant: 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅衬底/氧化锌或掺杂氧化锌薄膜的声表面波器件及其制备方法。该器件的结构包括：碳化硅衬底、位于碳化硅衬底上的中间过渡层、位于中间过渡层上的压电层、以及位于压电层上的叉指电极；压电层由氧化锌或掺杂氧化锌组成；叉指电极包括位于压电层上的金属打底层和位于金属打底层上的金属主体层。本发明采用碳化硅衬底作为基底，在碳化硅基底和(掺杂氧化锌)薄膜之间引入一薄层铝镓氮中间过渡层，通过精确控制生长条件，生长出了高质量平坦的外延(掺杂)氧化锌薄膜。本发明工艺步简单，成本低廉，制作的声表面波器件具有较高的中心频率，高的功率耐受性，小的温度系数，在高频高功率低温度系数领域有巨大的应用。
-
公开(公告)号：CN108111142A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810069487.7
申请日：2018-01-24
Applicant: 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅衬底/氧化锌或掺杂氧化锌薄膜的声表面波器件及其制备方法。该器件的结构包括：碳化硅衬底、位于碳化硅衬底上的中间过渡层、位于中间过渡层上的压电层、以及位于压电层上的叉指电极；压电层由氧化锌或掺杂氧化锌组成；叉指电极包括位于压电层上的金属打底层和位于金属打底层上的金属主体层。本发明采用碳化硅衬底作为基底，在碳化硅基底和(掺杂氧化锌)薄膜之间引入一薄层铝镓氮中间过渡层，通过精确控制生长条件，生长出了高质量平坦的外延(掺杂)氧化锌薄膜。本发明工艺步简单，成本低廉，制作的声表面波器件具有较高的中心频率，高的功率耐受性，小的温度系数，在高频高功率低温度系数领域有巨大的应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.02 seconds)
