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公开(公告)号：CN113964222A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111201762.4
申请日：2021-10-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种低漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及其制备方法，属于太阳能电池领域；制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面的中线区域设置pn结阻挡层，在硅片正面的剩余区域设置pn结；所述硅片正面的中线区域与激光切割划片的区域对应。本发明中，pn结阻挡层将该区域内的p区和n区分隔开，从而避免了激光划片后裸露的pn结区引起的漏电，从而经过切割后可以获得更高转换效率的小片电池及更高输出功率的太阳能电池组件。
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