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公开(公告)号：CN114093765A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210051840.5
申请日：2022-01-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
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公开(公告)号：CN113862789A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111453140.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种制备p型4H‑SiC单晶的坩埚结构与装置与方法，坩埚结构包括第一坩埚，第一坩埚用于盛放生长物料；第二坩埚，用于盛放掺杂物料；第一坩埚沿中轴线设有贯通的连接通道，所述连接通道的中轴线与所述第一坩埚的中轴线重合，所述连接通道的侧壁与所述第一坩埚的侧壁形成开口向上的物料放置部；第二坩埚设置于第一坩埚的下方，第二坩埚的开口与连接通道相通。利用本发明中的坩埚结构可避免在双线圈加热中热的生长原料气氛反向输运到冷的掺杂源端；本发明通过掺杂金属Ce和气体H2来稳定4H晶型，而不是采取常用的Al‑N共掺的方法，保证Al掺杂量的同时稳定住4H晶型，以降低电阻率。
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公开(公告)号：CN113716566A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111067621.8
申请日：2021-09-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B32/984 , C30B29/36 , C30B23/00
Abstract: 本申请公开了一种高纯碳化硅源粉制备方法，包括：高纯碳粉提纯步骤：在抽真空环境下，将高纯碳粉在石墨坩埚中进行高温煅烧，煅烧完成后，停止加热，通入保护气体进行降温，得到提纯后的碳粉；高纯硅熔融步骤：将高纯硅放置在含有保护气体氛围的石英坩埚内部进行高温熔化，得到熔硅；混合步骤：将提纯后的碳粉加入到熔硅中，控制石英坩埚以设定转速转动设定时间，然后通入保护气体进行降温，得到碳硅固熔体；粉碎步骤：对碳硅固熔体进行碎块，得到高纯碳化硅源粉。本申请能够将碳粉和硅均匀混合并且降低氮的摄入，且本方法中对于加热的温场精度要求不高，加热区域的尺寸可以做得比较大，一次混料的量可以达到相当的规模，非常适用大规模生产。
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公开(公告)号：CN113279065A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110475998.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明通过在4H‑SiC中掺入铝原子与IVB族原子，有效地降低了碳化硅晶体中铝的电离能，实现了低阻p型4H‑SiC的制备。本发明利用IVB族原子掺杂后引入一个空的杂质轨道e能级，与Al的3/4占据的e轨道形成有效的库伦排斥，从而降低Al杂质的电离能。IVB族原子的掺杂浓度保证在1017cm‑3以上，铝原子的掺杂浓度在1020cm‑3左右。本发明解决了4H‑SiC中铝原子电离能较高的问题，增加了碳化硅中载流子有效浓度，降低4H‑SiC碳化硅晶体电阻率，对电力电子领域中各类电子器件的制造有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113026106A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110544234.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种新型的碳化硅晶体的生长工艺。通过这种方法生长碳化硅单晶，既解决了单独使用PVT方法所带来的源料无法持续供给及C/Si比失衡问题，也解决了PVT方法初期籽晶上面沉积成成核困难的问题。另外，通过调节出气管的挡板角度，既解决了单独使用HTCVD生长成本过大的问题，提高了源料的利用率，也解决了长时间的生长中排气口会发生封堵的问题。而且通过在炉体内部跟进气管道上端口平行处添加过滤网，保证了在整个生长过程中，防止了料粉中的固体颗粒进入到籽晶上面而形成固体粒子包裹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784122A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611089638.2
申请日：2016-12-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/108 , H01L31/035218 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/掺硼硅量子点/硅的光电探测器及制备方法，该光电探测器包括n型硅衬底、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极；本发明光电探测器可以进行宽光谱探测，解决了传统硅基PIN结对红外探测响应低的问题；该探测器以石墨烯作为有源层和透明电极，消除死层，增强入射光的吸收；掺硼硅量子点薄膜在中间减少了硅表面态的影响，同时抑制了反向饱和电流；在一定的反向偏压作用下，光生载流子与硅晶格产生碰撞离子化，获得较高的光电响应；本发明采用的制备工艺简单，成本低廉，具有响应度高，响应速度快，内部增益大，开关比小，易于集成的特点。
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公开(公告)号：CN102849752A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210311147.3
申请日：2012-08-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种硼纳米颗粒的制备方法，向等离子体腔中通入含有惰性气体及含硼气源的混合气体，使用射频源激发该混合气体，使所述的含硼气源发生分解反应，生成硼纳米颗粒，所述的硼纳米颗粒由气流携带出等离子体腔进行分离收集。本发明利用等离子体技术制备硼纳米颗粒的方法，具有以下有益效果：(1)尺寸在1到100纳米范围内可调，且尺寸分布的标准偏差小于其平均尺寸的30％；(2)颗粒表面为氢钝化，硼纳米颗粒的纯度≥99.99wt％；(3)生产工艺简单，便于实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN102226064A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110110788.8
申请日：2011-04-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C09J7/00 , C09J123/08 , C09J11/04 , H01L31/048 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法，包括以下步骤：用改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性，再将改性后的半导体量子点均匀分散在溶剂中，形成半导体量子点墨水，然后把半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合，经过热压成型或挤出成型，得到含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。该制备方法简单，可控性好，可操作性强，易于工业化生产。本发明还公开了一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜，应用于太阳电池，能有效提高太阳电池的利用效率。
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公开(公告)号：CN101887931A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010212937.7
申请日：2010-06-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体量子点制造彩色太阳电池的方法，包括：玻璃盖板、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层、电池片以及位于电池片下方的保护材料层的制备，其特征在于，在所述的玻璃盖板的下表面、所述的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层的表面或电池片的上表面，涂覆由半导体量子点分散在有机溶剂中形成的墨水，有机溶剂挥发后，形成均匀覆盖的半导体量子点层，再通过光子的激发，使半导体量子点层发光形成太阳电池呈现色彩区域；再进行封装。采用本发明的方法制得的彩色太阳电池尤其适合用在节能型夜间景观装置中，可以在紫外灯的辐照下呈现出不同的颜色；同时，吸收部分高能光子转换成电能而输出。
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