公开(公告)号：CN106784122B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201611089638.2

申请日：2016-12-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐杨 ,  刘雪梅 ,  马玲玲 ,  皮孝东 ,  仇晓东 ,  杜思超

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/掺硼硅量子点/硅的光电探测器及制备方法，该光电探测器包括n型硅衬底、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极；本发明光电探测器可以进行宽光谱探测，解决了传统硅基PIN结对红外探测响应低的问题；该探测器以石墨烯作为有源层和透明电极，消除死层，增强入射光的吸收；掺硼硅量子点薄膜在中间减少了硅表面态的影响，同时抑制了反向饱和电流；在一定的反向偏压作用下，光生载流子与硅晶格产生碰撞离子化，获得较高的光电响应；本发明采用的制备工艺简单，成本低廉，具有响应度高，响应速度快，内部增益大，开关比小，易于集成的特点。

公开(公告)号：CN106784122A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611089638.2

申请日：2016-12-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐杨 ,  刘雪梅 ,  马玲玲 ,  皮孝东 ,  仇晓东 ,  杜思超

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/108 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/掺硼硅量子点/硅的光电探测器及制备方法，该光电探测器包括n型硅衬底、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极；本发明光电探测器可以进行宽光谱探测，解决了传统硅基PIN结对红外探测响应低的问题；该探测器以石墨烯作为有源层和透明电极，消除死层，增强入射光的吸收；掺硼硅量子点薄膜在中间减少了硅表面态的影响，同时抑制了反向饱和电流；在一定的反向偏压作用下，光生载流子与硅晶格产生碰撞离子化，获得较高的光电响应；本发明采用的制备工艺简单，成本低廉，具有响应度高，响应速度快，内部增益大，开关比小，易于集成的特点。