公开(公告)号：CN100389005C

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200510060839.5

申请日：2005-09-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  刘嘉斌 ,  田丽

IPC: B23P23/04

Abstract: 本发明公开了一种Cu/Ag双金属复合板制备方法。将硬态工业纯Cu、Ag基材分别在300℃和250～300℃退火，预拉伸应变后机械打磨形成粗糙度Ra12.5～50μm的复合表面，冷轧变形5%预复合，常温或200℃轧制变形70%～80%物理复合，400～450℃退火2～4h扩散复合。本发明采用特定预复合技术预先制备具有良好初始复合状态的界面，再匹配以适合这种初始复合界面的轧制和扩散退火工艺，使所制备的复合板具有40～45N/mm的界面名义结合力，10～14μm的扩散过渡层厚度，组织均匀、界面结合紧密。另外，本发明具有工艺阶段性明显，参数控制方便，不需大功率轧制复合设备，复合温度较低等效果。

公开(公告)号：CN101104896A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710070396.7

申请日：2007-07-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  武志玮

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/02 ,  B22D21/00 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明公开了一种纤维复合强化Cu－Fe－RE合金及其制备方法。材料化学成分为3％～10％Fe，0.03％～0.3％混合稀土，其余为Cu。先将Cu、Fe在低于0.1Pa残余气体压力的真空感应炉中熔化，充Ar至30～50KPa加入稀土元素熔化后浇注成锭，控制拉拔变形程度进行多道次室温拉拔，拉拔过程中进行三次中间热处理，当变形程度η＝8.0时合金具有双相纤维复合强化组织结构。采用本方法制备的纳米纤维复合强化合金不含昂贵合金元素，具有稀土微合金化方法有效细化原始组织的特点，在降低材料成本及简化加工工艺的条件下，材料的力学性能和导电性能仍然能够保持在较高水平。

公开(公告)号：CN101038944A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200610049832.8

申请日：2006-03-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  刘艳辉

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种FeS2/In2S3复合膜的制备方法。采用ITO膜导电玻璃基片，在摩尔浓度比为1∶(5～6)的水溶液中电沉积预制膜，经130～180℃氧化处理得到多孔形态的Fe3O4/In2O3复合先驱体膜，再在40～80kPa硫蒸气名义压力气氛中经400℃硫化处理10～30h，使复合先驱体膜转变成FeS2/In2S3复合膜。本发明在电沉积后引入氧化工艺，促进了热硫化中的FeS2反应，直接由基底膜硫化形成In2S3，省去了单独合成In2S3的工艺过程，FeS2/In2S3两相界面结合能够得到有效保证，复合膜与基片之间附着牢固可靠。

公开(公告)号：CN1300375C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200410073405.4

申请日：2004-12-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  刘艳辉 ,  侯玲

IPC: C23C26/00

Abstract: 本发明公开了一种电沉积氧化及热硫化合成二硫化铁薄膜的方法。采用导电玻璃基底，在pH值为5.0的FeSO4和Na2S2O3水溶液中电沉积Fe-S化合物膜，经180～220℃氧化处理得到Fe3O4预制膜，将预制膜在20～40kPa名义硫压及350～450℃硫化温度下等温处理5～20h，转变成立方晶系的二硫化铁薄膜。本发明避免了二硫化铁薄膜中存在过渡相组织，所制备的薄膜基底透明并且不存在金属或类金属单质原子向膜体中的扩散，膜层与基底的结合可靠，工艺及设备简单，效率较高。

公开(公告)号：CN1172320C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN02110630.4

申请日：2002-01-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  张雷

IPC: H01B1/02 ,  H01B13/00 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00

Abstract: 复相纤维强化铜-银-铬导电材料的制备方法。材料成分的重量百分比Ag为6%～10%、Cr为0.5%～1.5%，其余为Cu。先将Cu、Cr置于真空感应炉中，在低于0.1Pa大气压下熔化，在1100～1200℃下静置除气后向炉内充Ar至40～50kPa，再加入Ag并熔化，经电磁搅拌均匀浇注成特定直径的棒状铸坯。坯料经680～720℃/4小时均匀化处理后冷拉拔，在变形程度η＝1.2～1.4、1.9～2.0及2.6～2.8时分别进行390～420℃/1小时、370～390℃/1小时及350～370℃/1小时退火。本发明的有益效果：昂贵元素Ag的用量较低，可显著降低材料成本；熔注坯料可直接冷变形，中间热处理由常规的5次减少到3次；在降低贵金属消耗量及简化工艺的条件下，其强度与导电性可达到含24%～25%Ag的合金水平。

公开(公告)号：CN111394609B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202010334817.8

申请日：2020-04-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 方攸同 ,  王宏涛 ,  方晓阳 ,  刘嘉斌 ,  张进东 ,  王立天 ,  孟亮

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/08 ,  B22D11/124 ,  B22D11/115 ,  C21D1/667 ,  B21C23/00 ,  B21C25/02 ,  B21C29/04 ,  B21C29/00 ,  B21C25/10

Abstract: 本发明公开了一种高强高导铜合金的连续挤压工艺及其应用和模具材料。所述模具材料为锻造高温镍基合金，该合金包含0.05%C、15%Cr、6%Mo、5%W、2%Ti、5.5%Al，其余为Ni。所述铜合金的连续挤压工艺为：(1.1)挤压模具采用锻造高温镍基合金；(1.2)在挤压开始前先将挤压模具预热到500~600℃，将铜合金铸坯预热到700~750℃再进入模腔挤压进行连续挤压得到坯料，控制挤压轮转速为3~8 rpm，挤压比为3~8，挤压间隙控制在0.6‑2mm；(1.3)步骤(1.2)得到的坯料在挤压模具出口进行高强度冷却水喷淋得到坯料。本发明提供了连续挤压工艺在制备铜合金中的应用。本发明的模具材料具有非常好的高温力学性能，所述连续挤压工艺解决了过饱和固溶体在连续挤压过程中脱溶分解的问题并保障了铜合金的高强度和高电导率。

公开(公告)号：CN106011517B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201610321078.2

申请日：2016-05-16

Applicant: 浙江大学

Inventor： 刘嘉斌 ,  侯梦莲 ,  王宏涛 ,  徐雨晴 ,  方攸同 ,  孟亮 ,  王立天 ,  田雨

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/02 ,  C22C1/03 ,  C22F1/08 ,  H01B1/02

CPC classification number: C22C1/02 ,  C22C1/03 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01B1/02

Abstract: 高强高导铜合金及其作为时速400公里以上高速铁路接触线材料的应用，该铜合金包括如下特征：（1）该铜合金成分符合此形式：CuXY，其中X选自Ag、Nb和Ta中的至少一种，Y选自Cr、Zr和Si中的至少一种；（2）在室温条件下，铜合金中X元素以纯相和固溶原子形式存在，Y元素以纯相和固溶原子或者CuY化合物和固溶原子形式存在，其中以固溶原子形式存在的X和Y元素的含量分别小于0.5%和0.1%；（3）铜合金以长条棒或线的形式存在，纯相形式的X元素以近似平行排列的纤维形式嵌在铜合金内部，纤维轴向与铜合金棒或线轴向大致平行；铜合金中纯相或CuY化合物形式的Y元素以颗粒形式嵌在铜合金内部。该铜合金适合作为时速400公里以上高速铁路的接触线材料。

公开(公告)号：CN106086504A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610319172.4

申请日：2016-05-16

Applicant: 浙江大学

Inventor： 刘嘉斌 ,  徐雨晴 ,  王宏涛 ,  方攸同 ,  孟亮 ,  王立天 ,  田雨

IPC: C22C9/00 ,  C22C1/03 ,  C22F1/08

CPC classification number: C22C1/03 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08

Abstract: 作为时速400公里以上高速铁路接触线材料应用的超强高导铜合金，该铜合金含有重量百分比为3%~20%的铌，0.01~1%的铬，0.01~0.5%的锆，0.01~0.2%的钛，其余为铜；该铜合金以长条棒或线的形式存在，其中铌以纳米纤维和固溶原子的形式分布在铜基体中，大部分铌纳米纤维在铜基体中近似平行排列，这些纤维轴向与铜合金棒或线轴向大致平行；铬以纳米颗粒和固溶原子的形式分布在铌纤维周围及铜基体中，锆以铜锆化合物纳米颗粒和固溶原子的形式分布在铌纤维周围及铜基体中，钛以铜钛GP区和固溶原子形式分布在铜基体中；铜合金中所包含的铌、铬、锆固溶原子的总量小于0.2%；部分铬和铜锆化合物纳米颗粒钉扎在铌纳米纤维和铜基体的相界面上。

公开(公告)号：CN103872186B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410103081.8

申请日：2014-03-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪牡丹 ,  刘嘉斌 ,  黄六一 ,  孟亮

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0296

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: FeS2薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；形成均匀透明的种子层溶液；在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；在基底表面形成均匀致密的ZnO纳米棒阵列；将具有ZnO纳米棒阵列的基底放入反应釜的前驱体溶液内水热反应，在基底表面形成ZnO/Fe2O3核-壳结构纳米棒阵列；在基底表面得到Fe2O3纳米管阵列；硫化处理，Fe2O3纳米管阵列原位硫化转变成FeS2纳米管阵列。FeS2薄膜包括FTO导电玻璃基底，基底上覆盖有FeS2纳米管阵列，每个FeS2纳米管由FeS2颗粒堆积而成。本发明具有能增大二硫化铁薄膜的有效光吸收面积来提高其光吸收性能和光电转换效率的优点。

公开(公告)号：CN103824902B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410103793.X

申请日：2014-03-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪牡丹 ,  刘嘉斌 ,  黄六一 ,  孟亮

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0296

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种FeS2薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；配置种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜，在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；室温下将具有ZnO纳米棒阵列薄膜的使基底的表面覆盖有Fe(OH)3纳米棒阵列；硫化处理，Fe(OH)3纳米棒阵列转化为FeS2纳米棒阵列。一种FeS2薄膜，包括由FTO导电玻璃制成的基底，基底上覆盖有FeS2纳米棒阵列，每个FeS2纳米棒由FeS2纳米颗粒堆积而成。本发明具有通过增大二硫化铁薄膜的有效光吸收面积来提高其光吸收性能和光电转换效率的优点。