公开(公告)号：CN112479894B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202011398950.6

申请日：2020-12-02

Applicant: 江南大学

Inventor： 丁玉强 ,  江杰 ,  杜立永

IPC: C07C209/16 ,  C07C209/84 ,  C07C211/48 ,  C07C211/52 ,  C07C211/27 ,  C07C211/08 ,  C07C213/08 ,  C07C213/10 ,  C07C217/84

Abstract: 本发明公开了一种光催化下使用醇类为碳源实现N‑烷基化的方法，属于催化合成技术领域。本发明将醇类、底物原料和催化剂置于反应装置内，在惰性氛围下进行紫外和/或可见光照射，光照结束后，固液分离除去催化剂，经萃取、蒸馏、提纯，即可获得N‑烷基化产品，其中，所述底物原料包括胺类化合物、芳香族硝基化合物或芳香族腈基化合物中的任一种，所述醇类包括可溶性的伯醇中的任一种或几种，所述催化剂为金属氧化物/二氧化钛或金属硫化物/二氧化钛。本发明方法简单易操作，可用于高效光催化一锅多步加氢N‑烷基化反应，反应条件温和，而且N‑烷基胺的化学选择性高，催化剂稳定性好且易回收利用。

公开(公告)号：CN112442675B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202011326668.7

申请日：2020-11-24

Applicant: 江南大学

Inventor： 杜立永 ,  何冬梅 ,  丁玉强

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种纳米碳化锰材料的制备方法，属于纳米材料领域。本发明方法包括以下步骤：将衬底置于热原子层沉积设备反应腔中，真空条件下以脉冲形式向反应腔中通入气相锰源进行沉积；吹扫后将碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的锰源进行单原子反应，得到单原子层的碳化锰材料，所述锰源为式1～2结构的锰源，碳源为甲醛、乙醛、丙醛或丁醛的一种；再次吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的纳米碳化锰材料。本发明采用了式1～2结构的锰源与碳源组合，将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好且电阻率低的含碳化锰沉积层。

公开(公告)号：CN109589978B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201811443713.X

申请日：2018-11-29

Applicant: 江南大学

Inventor： 杜立永 ,  丁玉强 ,  王科炎

IPC: B01J23/72 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J27/24 ,  C01B3/04 ,  C01B32/40 ,  C01B32/50 ,  C07C1/12 ,  C07C9/04 ,  C07C209/18 ,  C07C211/44

Abstract: 本发明公开了一种金属单原子催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)将官能团化的碳基材料加入至有机溶剂A中，再于惰性气氛下向其中滴加有机锂试剂，滴加完后于惰性气氛下反应，得到中间体产物，所述官能团化的碳基材料为羟基或/和氨基化的碳基材料；(2)将得到的中间体产物与金属氯化物于惰性气氛下分散于有机溶剂B中进行反应，得到金属单原子催化剂和氯化锂的混合物；(3)将步骤(2)所述的混合物提纯，即得到所述的金属单原子催化剂。本发明方法制备的金属单原子催化剂，载体表面的金属原子分散性和活性位点相对可控，普遍适用于多种金属单原子催化剂的合成，可用于能源、催化、医药及生物等合成催化领域。

公开(公告)号：CN112626497A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011372261.8

申请日：2020-11-30

Applicant: 江南大学

Inventor： 杜立永 ,  何冬梅 ,  丁玉强

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B01J27/06

Abstract: 本发明公开了一种基于ALD技术的SbOCl材料的制备方法，属于纳米材料领域。在真空条件下，交替将气化后的Sb源SbCl3与氧源水以脉冲形式通入提前放入衬底的原子层沉积(ALD)设备反应腔，交替脉冲模式为：SbCl3脉冲t1→清洗t2→水脉冲t3→清洗t4，以此模式完成单个生长循环；在特定沉积温度下，重复若干单个生长循环即可得到生长有SbOCl材料的沉底。本发明采用SbCl3与氧源水的组合,将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在多种衬底上沉积负载量、原子活性位点分布可控的具有光催化性能的SbOCl材料。

公开(公告)号：CN112479894A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011398950.6

申请日：2020-12-02

Applicant: 江南大学

Inventor： 丁玉强 ,  江杰 ,  杜立永

IPC: C07C209/16 ,  C07C209/84 ,  C07C211/48 ,  C07C211/52 ,  C07C211/27 ,  C07C211/08 ,  C07C213/08 ,  C07C213/10 ,  C07C217/84

Abstract: 本发明公开了一种光催化下使用醇类为碳源实现N‑烷基化的方法，属于催化合成技术领域。本发明将醇类、底物原料和催化剂置于反应装置内，在惰性氛围下进行紫外和/或可见光照射，光照结束后，固液分离除去催化剂，经萃取、蒸馏、提纯，即可获得N‑烷基化产品，其中，所述底物原料包括胺类化合物、芳香族硝基化合物或芳香族腈基化合物中的任一种，所述醇类包括可溶性的伯醇中的任一种或几种，所述催化剂为金属氧化物/二氧化钛或金属硫化物/二氧化钛。本发明方法简单易操作，可用于高效光催化一锅多步加氢N‑烷基化反应，反应条件温和，而且N‑烷基胺的化学选择性高，催化剂稳定性好且易回收利用。

公开(公告)号：CN108047274B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201711351136.7

申请日：2017-12-15

Applicant: 江南大学

Inventor： 杜立永 ,  余绍山 ,  丁玉强

IPC: C07F13/00 ,  C07D213/74 ,  C07F7/10 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明公开了一种铜互连阻挡层材料用吡啶基Mn(Ⅱ)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明所得到的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物可以用作CVD/ALD的前驱体，通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备Mn基薄膜如MnSiOx。本发明的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物(1)合成方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；(2)在正己烷，甲苯，乙醚，二氯甲烷，四氢呋喃等有机溶剂中都有较好的溶解性，使得材料运输，输送，加工过程变得简便易操作；(3)有良好的挥发性和热稳定性，常压下三甲基硅氨基吡啶锰前驱体的T50为255℃，最小残余量达3.3％；(4)具有良好的成膜性能，三甲基硅氨基吡啶锰前驱体以N2为载气，O2为氧源450℃条件下，可形成良好的CVD MnSiOx膜。

公开(公告)号：CN107142459B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201710255160.4

申请日：2017-04-19

Applicant: 江南大学

Inventor： 丁玉强 ,  杜树雷 ,  杜立永

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，属于半导体制备技术领域。本发明采用了具有式I结构的Ge源和具有式Ⅱ结构的Te源，将其应用在热原子层沉积技术(T‑ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的GeTe沉积层。并且，采用本发明中的方法制得的沉积态GeTe合金薄膜的电阻更高即纯度更高。本发明制得的GeTe合金薄膜的电阻在1.4～4*105Ω·cm，薄膜的均方根粗糙度在0.7nm。

公开(公告)号：CN109589978A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811443713.X

申请日：2018-11-29

Applicant: 江南大学

Inventor： 杜立永 ,  丁玉强 ,  王科炎

IPC: B01J23/72 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J27/24 ,  C01B3/04 ,  C01B32/40 ,  C01B32/50 ,  C07C1/12 ,  C07C9/04 ,  C07C209/18 ,  C07C211/44

Abstract: 本发明公开了一种金属单原子催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)将官能团化的碳基材料加入至有机溶剂A中，再于惰性气氛下向其中滴加有机锂试剂，滴加完后于惰性气氛下反应，得到中间体产物，所述官能团化的碳基材料为羟基或/和氨基化的碳基材料；(2)将得到的中间体产物与金属氯化物于惰性气氛下分散于有机溶剂B中进行反应，得到金属单原子催化剂和氯化锂的混合物；(3)将步骤(2)所述的混合物提纯，即得到所述的金属单原子催化剂。本发明方法制备的金属单原子催化剂，载体表面的金属原子分散性和活性位点相对可控，普遍适用于多种金属单原子催化剂的合成，可用于能源、催化、医药及生物等合成催化领域。

公开(公告)号：CN109550514A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811444914.1

申请日：2018-11-29

Applicant: 江南大学

Inventor： 丁玉强 ,  杜立永 ,  余绍山

IPC: B01J27/185 ,  B01J35/00 ,  B01J37/00 ,  B01J37/16

Abstract: 本发明公开了一种M1/M2xP型单原子催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在惰性气氛下，将具备缺电子结构的M1金属有机配合物M1L2或M12L2溶于有机溶剂A中，得到金属有机配合物溶液；(2)将M2xP型金属磷化物加入至有机溶剂B中，再于惰性气氛下向其中滴加金属有机配合物溶液，滴加完后，于惰性气氛下进行反应；(3)步骤(2)反应完成后，向体系中加入还原剂进行还原反应，将还原反应后的混合液过滤，滤渣经洗涤后烘干，即得到所述的M1/M2xP型单原子催化剂。本发明采用全新的配位法制备单原子催化剂，可实现在多种含磷基底上负载各种金属单原子，制备得到不同种类的单原子催化剂，本发明制备的单原子催化剂分散度、活性位点以及负载量可控。

公开(公告)号：CN109504950A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201910039020.2

申请日：2019-01-16

Applicant: 江南大学

Inventor： 丁玉强 ,  杜立永 ,  黄伟

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积法制备FexN薄膜的方法，包括以下步骤：(1)将半导体衬底置于反应腔中，以脉冲形式向反应腔中通入气相Fe源进行沉积，得到沉积有Fe源的衬底；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔，以和沉积在衬底上的Fe源进行单原子反应；(4)向体系中充入惰性气体吹扫后，即可在半导体衬底上得到FexN薄膜。本发明使用ALD生长的FexN薄膜保型性良好，对薄膜厚度、材料成分、原子活性位点分布可控制精确，且对多种衬底如硅、氧化硅、氮化硅、TaN、C3N4、石墨烯等均表现出兼容性。