一种发用水溶性超分子壬二酸及其合成方法

    公开(公告)号:CN117567763A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311521412.5

    申请日:2023-11-15

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种发用水溶性超分子壬二酸及其合成方法,属于超分子技术领域。本发明所述的合成水溶性超分子壬二酸的方法,包括如下步骤:将壬二酸、乳酸和泛醇混合,搅拌加热,使得壬二酸、乳酸、泛醇之间的超分子氢键自组装形成有机整体;降温,得到水溶性超分子壬二酸。本发明利用超分子技术使壬二酸、乳酸、泛醇通过分子间氢键形成有机整体(体系中壬二酸含量最高可达39%),可有效提升壬二酸水溶性,制得的超分子壬二酸可以直接加水稀释,最大稀释至50倍仍能保持体系稳定性、无固体析出,有助于配方应用。

    一种利用微波反应制备双醚芴的方法

    公开(公告)号:CN117486691A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311446135.6

    申请日:2023-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种利用微波反应制备双醚芴的方法,具体为:将一定量的9‑芴酮、苯氧乙醇、助催化剂于室温下搅拌预混一定时间直至体系均一,然后缓慢加入一定量的酸催化剂,再将所得体系放入微波反应器中,在一定反应温度下反应一定时间,得到含双醚芴产物的液态粘稠体系,将含双醚芴产物的液态粘稠体系经后处理得到双醚芴。本发明采用微波法原位即时除去9‑芴酮与苯氧乙醇反应过程中的副产物水,避免使用大量的含硫强酸和有机溶剂,反应时间短,反应条件温和,产物收率高。

    一种防潮气溶胶形成剂前体组合物及其应用

    公开(公告)号:CN114431510A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210077481.0

    申请日:2022-01-24

    Applicant: 江南大学

    Inventor: 杨井国 杜立永

    Abstract: 本发明提供一种防潮气溶胶形成剂前体组合物及其应用,该组合物按照质量百分比该组合物由以下组分组成:疏水醇酯60~95%,醇0~25%和碱性化合物5~30%;疏水醇酯选自一元醇的脂肪酸酯,二元醇的脂肪酸酯,三元醇的脂肪酸酯或其组合;其中的脂肪酸为C2‑C16的饱和脂肪一元酸;疏水醇酯还包括海藻酸丙二醇酯或松香甘油酯;碱性化合物选自碱金属/碱土金属的碳酸盐、碱金属/碱土金属的碳酸氢盐、碱金属/碱土金属的氢氧化物、硬脂酸钠、海藻酸钠、羧甲基纤维素钠、乙酸钠、柠檬酸钠中的一种或组合。使用该组合物的烟支在运输、储存过程中吸水量大大降低,从而有效防潮,同时在烟支使用过程中因上述原位反应的发生气溶胶烟雾量不降低。

    一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法

    公开(公告)号:CN112553600B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202011326464.3

    申请日:2020-11-24

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法,属于纳米材料领域,在真空条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气化后的三异丙氧基氧化钒,进行沉积,得到沉积有V源的衬底,吹扫后再以脉冲形式通入气相碳源,与沉积在衬底上的V源进行单原子反应,得到单原子层的VxC纳米材料,再次进行吹扫,之后循环上述步骤1~2000次,即可制备得到原子层沉积技术生长VxC纳米材料,其中,所述碳源为乙醚、丙醚、丁醚、或四氢呋喃的一种。本发明采用三异丙氧基氧化钒与碳源组合,将其进一步应用在原子层沉积技术中,使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好的含VxC沉积层。

    一种原子层沉积技术生长NbxC薄膜的方法

    公开(公告)号:CN112458432B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202011347943.3

    申请日:2020-11-26

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积技术生长NbxC薄膜的方法,属于纳米材料领域。本发明方法包括以下步骤:(1)将衬底置于反应腔中,真空条件下以脉冲形式向反应腔中通入气相Nb源进行沉积;(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫;(3)将碳源以脉冲形式通入反应腔,与沉积在衬底上的Nb源进行单原子反应,得到单原子层的NbxC薄膜,所述碳源为葡萄糖、果糖、呋喃糠醛的一种;(4)再充入惰性气体吹扫,完成一个ALD循环,将上述循环过程重复多次,即可得到一定厚度的NbxC薄膜。本发明采用了乙氧醇铌为的Nb源与碳源组合,将其进一步应用在原子层沉积技术中,使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好的含NbxC沉积层。

    一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法

    公开(公告)号:CN112647059A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN202011477889.4

    申请日:2020-12-14

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法,属于纳米材料领域,将衬底置于反应腔,在真空下,以式1所示结构的化合物为Ni前驱体,以甲酸、乙酸、丙酸、丁酸中的一种或几种为碳源;以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni前驱体,得到沉积有Ni前驱体的衬底;然后充入惰性气体进行吹扫后,将气相碳源以脉冲形式通入反应腔,与沉积在衬底上的Ni前驱体进行反应,得到含单原子层NixC薄膜的衬底;再向充入惰性气体清洗;重复上述ALD生长循环多次,即可得到生长NixC薄膜的衬底。本发明沉积速率高,沉积速率可达0.196nm/循环,且本发明所制备的NixC薄膜的电阻率低。

    一种原子层沉积技术生长NbSx薄膜的方法

    公开(公告)号:CN110747448A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201911067518.6

    申请日:2019-11-04

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积技术生长NbSx薄膜的方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤:(1)将衬底置于反应腔中,在真空条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气相Nb源进行沉积,得到沉积有Nb源的衬底,所述Nb源为Nb(OCH2CH3)5;(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫;(3)将硫醇作为硫源以脉冲形式通入反应腔,与沉积在衬底上的Nb源进行反应,得到纳米NbSx薄膜;(4)向体系中充入惰性气体吹扫,完成一个ALD循环,将上述循环过程重复多次,即可得到一定厚度的NbSx薄膜。本发明可以在衬底上沉积形成保型性较好的含NbSx沉积层。

    一种Cu/TiO2催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN109529834A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811390037.4

    申请日:2018-12-12

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种Cu/TiO2催化剂的制备方法,包括以下步骤:(1)将气化的铜前驱体以脉冲的形式进入气相吸附体系,使铜前驱体吸附在纳米TiO2表面;(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫;(3)向体系中充入还原剂,以将吸附在纳米TiO2上的铜前驱体还原为铜;(4)向体系中充入惰性气体吹扫后,即可得到所述的Cu/TiO2催化剂。本发明方法可使Cu在TiO2表面均匀分布,不会改变TiO2的孔径结构和比表面积,具有较高的保形性和催化活性,且可实现对Cu含量的精确控制。

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