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公开(公告)号：CN107140641A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710322059.6
申请日：2017-05-09
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B33/021 , H01M4/38
CPC classification number: C01B33/021 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/61 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/17 , C01P2006/40 , H01M4/386 , H01M2004/021 , H01M2004/027
Abstract: 本发明公开了一种以硅酸盐基玻璃为原料制备三维多孔硅的方法，该方法包括以下步骤：将玻璃碾磨碎，然后通过机械球磨的方法将玻璃的颗粒尺寸降低后将玻璃粉末和镁粉、熔盐按照一定的比例均匀球磨混合后在惰性气体下反应，随后将反应产物酸洗处理得到三维多孔硅。该发明步骤简单易行，原料来源广泛，熔融状态下反应有利于结构稳定的三维多孔硅形成。此方法制备的三维多孔硅具有纯度较高、比表面积大、颗粒均匀且存在介孔等特点，可以应用于锂离子电池负极材料领域。
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公开(公告)号：CN104692368B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510072780.5
申请日：2015-02-11
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明具体涉及一种以纤维素为原料制备石墨烯的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)将纤维素进行预处理；2)将预处理后的纤维素均匀的分散于水中，获得备用的纤维素分散液；3)将备用的纤维素分散液置于密闭的水热釜中，然后放入到烘箱中以0.1～30℃/min的升温速率升至100～300℃反应0.1～30h，将反应所得的产物抽滤、冻干；4)将抽滤、冻干后的产物置于真空管式炉内进行热处理。与传统的制备石墨烯的方法不同，本发明所提供的方法工艺安全、操作简单、可规模化生产，且不需使用任何化学添加剂，不但大大降低了生产成本，而且对环境几乎没有污染。
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公开(公告)号：CN105932240A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610310457.1
申请日：2016-05-11
Applicant: 武汉科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M10/0525 , B82Y30/00
CPC classification number: H01M4/364 , B82Y30/00 , H01M4/386 , H01M4/587 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属于生物废弃资源综合技术领域，具体为纳米硅‑碳复合物及其制备方法和应用，将含硅生物质酸煮处理清除无机盐离子杂质，清洗并干燥后研磨成粉末，在惰性气氛中碳化得到二氧化硅和碳的复合产物，然后将碳化产物和金属粉末、无水氯化物金属盐均匀混合后放入管式炉中在惰性气氛下反应得到硅纳米颗粒均匀分布在碳中的纳米硅‑碳复合材料。该发明简单易行，原料来源广泛，最重要的是由于加入无水氯化物，使得反应在极低的温度下能够发生，这种超细纳米硅的制备工艺具有能耗低、工艺简单、污染小、产物纯度较高、颗粒均匀等特点，且得到的硅纳米颗粒粒径均一分布均匀，可以应用于锂离子电池负极材料领域。
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公开(公告)号：CN104692387A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510072827.8
申请日：2015-02-11
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明提供一种以含硅生物质为原料低温制备纳米碳化硅的方法，该方法包括以下步骤：将含硅生物质清洗酸煮处理除去无机盐离子杂质，用蒸馏水反复清洗干燥后研磨成粉末，加入镁粉并球磨混合均匀后放入管式炉中在惰性气氛下先在低温下保温使镁和碳充分反应生成MgC2和Mg2C3，然后再高温保温使碳化镁将二氧化硅还原成碳化硅，待随炉冷却至室温，将所得产物酸洗后除去二氧化硅、氧化镁、硅等，抽滤并干燥后空气退火除去多余的碳，得到纳米碳化硅。本发明采用几乎无成本废弃生物质为原料，且能降低常规方法的生产温度，能够有效降低生产成本，且合成的均为纳米级碳化硅，因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。
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公开(公告)号：CN104617275A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510071813.4
申请日：2015-02-11
Applicant: 武汉科技大学
CPC classification number: H01M4/362 , B82Y30/00 , H01M4/386 , H01M4/587 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种以含硅生物质为原料制备硅-碳复合物的方法，该方法包括以下步骤：将含硅生物质酸煮处理清除无机盐离子杂质，清洗并干燥后研磨成粉末，在惰性气氛中碳化得到二氧化硅和碳的复合产物，然后将碳化产物和镁粉、熔盐均匀混合后放入管式炉中在惰性气氛下反应得到多孔硅纳米颗粒均匀分布在碳中的多孔硅-碳复合材料。该发明工艺简单易行，原料丰富廉价，而且由于加入的熔盐熔化吸热控制了反应温度，得到的硅-碳复合物很好地保留了原始含硅生物质中二氧化硅天然嵌套在有机物中的结构，且得到的硅纳米颗粒粒径均一分布均匀，可以应用于锂离子电池负极材料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102908661B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210425086.3
申请日：2012-10-31
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有微量元素缓释功能的医用钛或钛合金植入材料及其制备方法和应用。其技术方案是：将打磨和抛光后的含钛金属片作为阳极置入电解液中进行阳极氧化；将阳极氧化后的含钛金属片冲洗干燥后在100~500℃的温度下热处理1~3h小时，自然冷却后超声清洗干燥；将干燥后的含钛金属片置于氢氧化锶、乙酸锶、乙酸锌、或乙酸镁中的一种或者任意两种以上的混合溶液中，在100~300℃条件下于密闭容器中水热反应0.5~12h，自然冷却，取出清洗干燥后在450-550℃的温度下热处理1~3h，即得到具有微量元素缓释功能的医用钛或钛合金植入材料。本发明方法简单可靠，其微量元素在纳米管中的负载量及释放量可控，能很好的促进医用钛及合金表面的生物活性，在医用植入体材料中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102534630A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210027249.2
申请日：2012-02-08
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明具体涉及一种多孔氮化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法。其技术方案是：先将打磨和抛光后的含钛金属片作为阳极置入电解液中进行阳极氧化，阳极氧化的电压为10~60V，阳极氧化的时间为0.5~5小时；再将阳极氧化后的含钛金属片进行清洗，干燥，然后将干燥后的含钛金属片在空气中于300~600℃条件下进行退火处理，最后将退火处理后的含钛金属片于300~800℃条件下，在含氮前驱物的体积含量为10～100％的气氛中以1～20℃/min的速度进行退火，随炉冷却，在含钛金属片表面得到氮化钛纳米管阵列薄膜。本发明的制备方法简单，工艺可靠，所制备的多孔氮化钛纳米管阵列薄膜从管口到管底部均匀分布有纳米尺寸的孔洞，孔洞大小可调，适用于电化学领域。
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公开(公告)号：CN102260897A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110157587.3
申请日：2011-06-13
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法。其技术方案是：先将含钛金属片打磨和抛光作为阳极置入电解液中，在控制电压为10～60V条件下阳极氧化0.5～5小时；再将阳极化后的含钛金属片从电解液中取出，置于高温炉中，在300～800℃条件下于保护气氛中保温0.5～10小时；然后在保护气氛中随炉冷却到室温，在冷却后的含钛金属片表面生成碳掺杂或碳-氮共掺杂的二氧化钛纳米管阵列薄膜。本发明具有无需外来碳源或氮源、反应温度低、方法简单可靠、掺杂元素含量可控的特点；所制备的碳掺杂的二氧化钛纳米管阵列薄膜、或碳-氮共掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜所掺杂的元素分布均匀。
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公开(公告)号：CN118880372A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411138771.7
申请日：2024-08-19
Applicant: 贵州乌江水电开发有限责任公司 , 武汉科技大学
IPC: C25B11/031 , C25B11/04 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种通过气相反应原位构筑多孔金属基催化层的方法，包括如下步骤：1)将金属基体进行超声清洗，干燥；2)将预处理后的金属基体置于含氧气氛下，进行加热氧化处理，冷却，得氧化产物；3)将所得氧化产物置于复合反应气氛下进行加热处理，其中，复合反应气氛包括惰性气氛、氢气和金属化合物反应气体；随后在惰性保护气氛下自然降温，即在金属基体表面得到多孔金属基催化层。本发明所得金属基催化层具有较高的活性位点密度和结构稳定性，可有效提升碱性电解水制氢效果；且涉及的工艺流程简单、成本较低，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN118619279A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410756340.0
申请日：2024-06-12
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B33/02 , C01B32/05 , H01M10/0525 , H01M4/38 , H01M4/587
Abstract: 一种双层碳包覆硅负极材料的制备方法及其应用。该方法包括如下步骤：S1：选用多孔硅或者纳米硅颗粒或者一维硅纳米线材料，放入回转炉或者流化床中，在惰性气氛下以一定升温速率加热至一定温度，通入含碳气氛，保温一定时间，冷却至室温得到单层碳包覆硅材料C/Si；S2：使用混料机将S1获得的样品C/Si与沥青粉按一定比例充分混合均匀；S3：将S2获得的样品放入高温包覆机中，在惰性气氛下以一定搅拌速率和一定升温速率，分三段保温，保温结束后冷却至室温取出；S4：将S3获得的样品放入箱式炉中，在惰性气氛下以一定升温速率升至高温碳化，保温一段时间后，冷却至室温取出，即可得到双层碳包覆的硅负极材料PC/C/Si。
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