一种雷达自适应目标检测方法及装置

    公开(公告)号:CN111638505B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202010440493.6

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明提供一种雷达自适应目标检测方法及装置,方法包括:从雷达中获得雷达回波中频数据,对雷达回波中频数据的距离维FFT快速傅里叶变换处理得到距离多普勒两维数据矩阵;从雷达中获得相参数据,对相参数据的FFT快速傅里叶变换处理得到距离门数目;根据距离多普勒两维数据矩阵对距离门数目和相参数据的数据排列计算得到数据矩阵;根据数据矩阵分别对相参数据的检测处理得到多个多普勒通道输出量。本发明能够有效提升单通道调频连续波雷达对低速弱小目标的检测能力,在完成动目标检测处理处理之后,对多帧处理结果进行联合处理,实现了对地面慢速目标的检测。

    多频段交叉波束抛物面测向天线

    公开(公告)号:CN109861005A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201811603395.9

    申请日:2018-12-26

    Abstract: 本发明提供一种多频段交叉波束抛物面测向天线系统,其中,天线系统包括:网状反射面、旋转承重架,以及设置在旋转承重架上的背架、支撑杆、电动推杆和馈源组。其中,旋转承重架用于调整网状反射面接收信号的方向;背架用于支撑网状反射面;网状反射面用于接收不同频段的信号并反射不同频段的信号,网状反射面设置在背架上;支撑杆用于支撑背架;电动推杆用于调整网状反射面的照射张角;馈源组用于通过网状反射面将球面波信号转换为平面波信号发射,并接收网状反射面反射的不同频段的信号并形成交叉波束,馈源组的相位中心与网状反射面的焦点重合。本发明提供的测向天线系统在减小天线系统体积的前提下,实现天线宽频带与高电性能指标。

    一种对机载多通道雷达主瓣协同干扰方法与装置

    公开(公告)号:CN118549895A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410674283.1

    申请日:2024-05-28

    Inventor: 李明

    Abstract: 本发明属于雷达电子对抗技术领域,公开了一种对机载多通道雷达主瓣协同干扰方法与装置。该方法以在目标雷达空域主瓣范围内空间三个干扰站为平台,通过对三台干扰机的基带信号按照STAP处理的样本时间间歇进行时域协同干扰,同时叠加干扰站的空间相位,实现对STAP处理的协同干扰,在降低雷达回波的独立同分布部特性的同时实现对雷达主瓣干扰能力增强。与传统的主瓣单台干扰机相比,本方法能够降低机载雷达空域主瓣抗干扰能力。

    一种无源定位方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN111538058A

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN202010327671.4

    申请日:2020-04-23

    Abstract: 本发明提供一种无源定位方法、装置及存储介质,方法包括:从激光测距仪中,获得天线孔径长度d;对天线基线中心的阵列测量得到目标方向β;从天线基线两端和天线基线中心中获得待处理天线信号数据,并对待处理天线信号数据的变频放大得到变频天线信号数据;对变频天线信号数据的相位差计算得到视向夹角相位差φ;根据天线孔径长度d和目标方向β对视向夹角相位差φ的测距计算得到目标与中心天线距离r。本发明实现了在单个脉冲中对目标的无源定位,能够瞬时获取目标的坐标,适合地面对空中机载雷达目标的快速无源定位,且结构简单可靠,适应信号形式强,在目标侦察、目标定位等方面具有非常广阔的应用前景。

    一种快速瞬态响应的无片外电容LDO电路

    公开(公告)号:CN118981231A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202410418188.5

    申请日:2024-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种快速瞬态响应的无片外电容LDO电路,由跨导运算放大器、第二级放大器、下冲抑制电路和电压输出模块组成。该电路采用米勒电容补偿结构,在无片外电容的情况下,能很好的保持电路的稳定性;此外,本发明的LDO提出了一种下冲抑制结构,当输出从轻载向重载突变时,输出电压V0和跨导运算放大器的反馈电压VFB会出现下冲尖峰,下冲尖峰通过环路使得M20栅极电压产生一个向上跳变的电压,使得开关管M20打开,放电通路被导通,功率管MP栅极电压下降,为负载提供电流,输出电压VO恢复正常,该结构能显著减小下冲电压,提高LDO的瞬态响应性能。

    一种频控阵MIMO雷达面向分辨率的频偏与阵元布局联合优化方法

    公开(公告)号:CN119916325A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202510189618.5

    申请日:2025-02-20

    Abstract: 本发明公开了一种频控阵MIMO雷达面向分辨率的频偏与阵元布局联合优化方法,该方法同时考虑到了FDA‑MIMO雷达的频偏和阵元布局对波束方向图的影响,并且在阵元布局中引入一个位置偏移,解决了距离维周期性的影响;用不同类型的频偏解决了角度维周期性。在随机选取位置偏移值和频偏大小的情况下必然会出现旁瓣值较高或分辨率较差等问题,本发明使用多目标优化算法对两个变量同时优化,解决了此问题,并得到一组最优解用于实际情况选择。对两个变量同时优化考虑到了变量之间的依赖性,避免了分别做优化陷入局部最优解的问题以及分别优化可能会导致对其他变量产生较大影响等问题,并且减少了迭代量,提高了计算效率。

    一种控制线束绑扎机构方法

    公开(公告)号:CN104528014B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201410635193.8

    申请日:2014-11-13

    Abstract: 本发明的一种控制线束绑扎机构的方法,包括驱动机构,固定平台,滑动平台,驱动支架,绑扎机构。驱动机构锁定在固定平台上,带动滑动平台做直线运动;驱动支架和滑动平台使用特殊铰链连接,用于在不同轨迹内做定向运动;绑扎机构与驱动支架使用普通铰链连接,控制绑扎机构的上、下牙张开与闭合;运动曲线槽开设在固定平台上,用于特殊铰链在槽内做定向运动,运动曲线槽线条用于控制上、下牙运动曲线轨迹;该方法有着系统构成简单、效率高、成本低、维修方便、柔性可控以及过载自我保护等特点,可实现运动的可控性。

    一种TEG能量最大化收集电源管理电路

    公开(公告)号:CN118137642A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410058921.7

    申请日:2024-01-15

    Abstract: 本发明公开一种TEG能量最大化收集电源管理电路,该电路包括TEG能量源、可充电电池VBAT、输入电容CIN、输出电容COUT、电感L、功率开关、核心控制模块、负载RL。为实现TEG能量最大化收集,通过最大功率追踪电路使得TEG能量在最大功率点处进行转换,在可充电电池供电期间,采用双相位切换的方式,设计了两个电感放电回路。若输入电容CIN上的电压到达了最大功率点电压时,电感电流通过第一放电回路放电,即通过TEG回流至电感,同时将TEG的能量转换到负载;反之,通过第二放电回路放电,即通过续流开关回流至电感。相比传统能量收集系统,本发明通过双相位切换的方式,解决了传统能量收集系统在重载时单纯由电池供电而无法收集TEG能量或无法最大化收集TEG能量的问题。

    一种自偏置低温漂的带隙基准电压源

    公开(公告)号:CN119536451A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411720875.9

    申请日:2024-11-28

    Abstract: 本发明公开一种自偏置低温漂的带隙基准电压源,通过引入预稳压电路将电源电压与自偏置运算放大器以及带隙基准核心电路隔离,使得带隙基准电压源的偏置电流和输出电压不依赖电源电压的变化,提高了带隙基准电压源的低频电源抑制比;利用自偏置技术简化了运算放大器的偏置电路,并为预稳压电路提供受温度漂移影响较小的参考电压;考虑带隙基准核心电路输出一阶基准电压温度漂移系数较大,采用一种结构简单的低功耗分段补偿电路,在设定的高、低温温度区间内输出不同大小的高低温补偿电流,实现对一阶基准电压的高阶补偿,在拓宽基准电压温度范围的同时,大幅降低了基准电压温度漂移系数,提升了输出基准电压精度。

    一种宽输入电压范围高泵浦效率快速启动电荷泵电路

    公开(公告)号:CN117748947A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202410089791.3

    申请日:2024-01-22

    Abstract: 本发明公开一种宽输入电压范围高泵浦效率快速启动电荷泵电路,该电路由环形振荡器、差分缓冲电路、正负时钟产生电路、时钟倍增电路和电荷泵主体电路构成。电荷泵主体电路通过反相器结构实现由内部升压得到的高压对PMOS管的栅极进行反向动态控制,能够有效的控制PMOS管通断,有利于减小PMOS晶体管的导通损耗。在PMOS晶体管关断时提高其栅极电压,从而增大其VGS使得PMOS管更有效的关断,达到减小其反向电荷的目的。同时,采用正负时钟产生电路用以对电荷泵中NMOS管在导通和关断时进行动态的衬底偏置,在NMOS晶体管导通时降低其阈值电压有利于减小NMOS晶体管的导通损耗,在NMOS晶体管关断时提高其阈值电压可以更有效的减小其反向电荷。PMOS晶体管衬底通过控制信号进行体偏置实现同样的效果,从而减小了电荷泵的功耗,提升了泵浦效率。

Patent Agency Ranking