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公开(公告)号：CN110104677B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910255251.7
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G23/00 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/60 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种复合钛酸锂材料及其制备方法与应用。所述复合钛酸锂材料制备方法包括如下步骤：配制含有锂源、钛源和次氯酸盐的混合溶液；对所述混合溶液40～90℃并进行保温处理，再对所述混合溶液烘干处理后进行烧结处理，得到前驱体；将所述前驱体于惰性气氛中进行煅烧处理，后进行研磨处理，获得烧结粉体；将所述烧结粉体于含氮气氛中进行氮掺杂热处理，得到复合钛酸锂材料。本发明复合钛酸锂材料的制备方法利用氮取代了钛酸锂中的氧以及生成氮化的次氯酸盐改善材料的界面电导，使得锂离子传输通道更为通畅，利用氮化的钛酸锂提高所述复合钛酸锂材料表面的电子电导，提高所述复合钛酸锂材料中电子的传输速率。
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公开(公告)号：CN109336595B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811119443.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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公开(公告)号：CN110071270B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910255256.X
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/131 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种氮掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法与应用。所述氮掺杂氧化亚硅负极材料制备方法包括如下步骤：制备预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体；制备含预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体的掺杂混合粉体；对所述掺杂混合粉体进行梯度烧结还原处理。本发明氮掺杂氧化亚硅负极材料的制备方法制备的氮掺杂氧化亚硅负极材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。
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公开(公告)号：CN111359541A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010178071.6
申请日：2020-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J6/00 , C04B35/453 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备陶瓷装置及方法，水热法制备陶瓷装置中，内壳位于外壳内，且与外壳形成空腔，釜盖覆盖空腔，载物台位于内壳内，陶瓷生坯放置于载物台上，釜盖具有进口和出口，导管与进口和压力泵连通，气体流量调节阀与导管固定连接，安全泄压阀与釜盖固定连接，并与出口连通，温度传感器和压力传感器均固定于内壳内，加热组件环绕内壳四周于空腔内，压力泵、气体流量调节阀、安全泄压阀、温度传感器、压力传感器、加热组件均与控制器电连接。利用水热烧结，将陶瓷生坯在低于400℃的温度下，通过控制压力和保温时间，实现对陶瓷体的水热致密化，获得相对密度大于90％的陶瓷体，具有精准可控、低耗能、可规模化生产的特点。
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公开(公告)号：CN110071270A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910255256.X
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/131 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种氮掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法与应用。所述氮掺杂氧化亚硅负极材料制备方法包括如下步骤：制备预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体；制备含预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体的掺杂混合粉体；对所述掺杂混合粉体进行梯度烧结还原处理。本发明氮掺杂氧化亚硅负极材料的制备方法制备的氮掺杂氧化亚硅负极材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109336595A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811119443.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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公开(公告)号：CN106676472A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611166575.6
申请日：2016-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: C23C14/0005 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5873
Abstract: 本发明公开了一种转移ITO薄膜的方法，先在铜箔上采用磁控溅射技术沉积一定厚度的ITO薄膜，然后在ITO薄膜的表面喷涂一定厚度的环氧树脂AB胶，同时将喷涂了环氧树脂AB胶的面与PET膜通过辊压方式进行贴合，并在一定温度下加热一定时间使环氧树脂AB胶固化，最后放入硝酸铁刻蚀液去除铜箔，并用去离子水清洗后烘干，得到转移的ITO薄膜。本发明解决了高温沉积ITO薄膜向柔性衬底的转移，有效提高PET柔性衬底ITO薄膜的光电性能，克服已有技术不能直接通过高温沉积在柔性衬底上实现结晶态，或通过改进沉积工艺或薄膜制备方法的途径对柔性衬底ITO薄膜结晶性能的提升也并不明显的技术问题。
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公开(公告)号：CN104167297A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410424428.9
申请日：2014-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G11/24
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用管状介孔四氧化三钴及其制备方法。所述的管状介孔四氧化三钴是以棉花为模板制备获得的。所述的管状介孔四氧化三钴粉体的制备方法是把棉花浸泡在硝酸钴的水溶液中，待干燥后将吸附硝酸钴的棉花在空气中煅烧得到四氧化三钴粉体。所述的管状介孔四氧化三钴孔径为9-25nm、管径为8-20μm、内外径比大于1、长径比大于10的四氧化三钴。所述管状介孔四氧化三钴因具有良好的电容特性及较高的储能特性，可用作为超级电容器的电极材料。本发明同现有技术相比，工艺简单、操作容易、环保、原料来源丰富、低成本及性能好等优点，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN103991910A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410218372.1
申请日：2014-05-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米四氧化三锰的制备方法，其特征在于：采用废弃的香蕉皮为原料，风干切成小片，用水加温提取有效成分，再与高锰酸钾反应，过滤，干燥得到颗粒尺寸为10-80纳米、具有良好的电容特性及较高的储能特性的超级电容器的电极材料纳米四氧化三锰。本发明与现有技术相比，制备工艺简单、低成本、绿色环保、资源丰富，产品具有应用优势，有较好的经济效益、社会效益和生态效益。
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公开(公告)号：CN101519317B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910113859.2
申请日：2009-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B41/86
Abstract: 本发明公开了一种基于导电纤维的防静电陶瓷及其制备方法，它以氧化硅纤维作载体，通过液相包覆法先在纤维载体表面包覆一层ATO前驱体；经热处理，得到耐高温导电纤维；然后把制得的导电纤维通过搅拌的方式均匀分散到陶瓷釉中，再将釉施于陶瓷表面，经干燥、煅烧，得到防静电陶瓷。本发明是先制备出耐高温导电纤维以代替传统的球状ATO作为导电填料来制造防静电陶瓷，相对于球状的导电填料，导电纤维因其较大的长径比而易于在陶瓷中形成桥联结构，使得它在陶瓷中能以较少的量就能形成完善的导电网络，从而能极大的减少ATO的用量。
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