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公开(公告)号:CN100595319C
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200810073409.0
申请日:2008-01-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO:Bi光电薄膜及其制备方法,它以分析纯Bi2O3粉末作为掺杂原料,纯度为99.95%的纳米氧化锌为主体材料组成,Bi2O3的掺入量为总重量的1-5%,配料经360-720分钟球磨混合、在30-60MPa的压强下压制3-15分钟成型,在空气中1200-1400℃下常压、保温烧结60-360分钟,制备得ZnO:Bi陶瓷靶材,在本底真空度为8.0×10-5Pa、充纯氩后的气体压强为1-3Pa的条件下,经射频磁控溅射制膜,再在真空度≤0.1Pa的真空环境中退火热处理制成,表达式为ZnO:Bi,各组分原料用量重量比为ZnO 95-99%,Bi2O31-5%。这种光电薄膜具有良好的光电性能,电阻率达9.0×10-4Ω·cm,可见光透过率达85%以上,在波长小于370nm的紫外波段透过率表现为截止状态,具有良好的紫外隐身效果,同时所采的原料纯度低,且工艺简单、成本较低。
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公开(公告)号:CN101220437A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200810073443.8
申请日:2008-01-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了环形粘结稀土超磁致伸缩材料及其制备方法和装置,它是将TbxDy1-xFe2-y的合金铸锭置于无水乙醇保护介质中机械破碎制粉,用低沸点有机溶剂萃取无水乙醇后,粉末经自然晾干过筛,将环氧树脂、固化剂与合金粉末按一定质量比均匀混合;用本发明的环形腔成型模具压制成型,在室温下静置24小时,或在80-120℃的温度下静置1-4小时固化,脱模而制得。本发明的优点在于成本低、工艺简单、操作容易,特别是能制备出当前需要用特殊方法和设备才能制得的、性能相当的环形粘结稀土超磁致伸缩材料。
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公开(公告)号:CN119351095A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202411476965.8
申请日:2024-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种化学式为LiNbO3:0.01Pr,xZn的高亮度压电机械发光材料及其制备方法和应用,其中0<x≤0.02,本发明制备工艺简单,所制备的材料具有高亮度可长期储存且可重复的机械发光特性,可作为机械发光材料用作应力分布可视化材料,或作为防篡改标签等光学防伪。
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公开(公告)号:CN110128127B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201910582275.3
申请日:2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有高压电性能及高温稳定性的铁酸铋‑钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:xBiFeO3‑yBaTiO3+uBi(Ti0.5Zn0.5)O3+mP+tMnCO2,其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、B2O3、Li2CO3、V2O5中的一种或多种烧结助剂的组合;x、y、u、m、t表示摩尔分数,且0.65≤x≤0.85,0.15≤y≤0.35,0.05
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公开(公告)号:CN109400154B
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN201811333250.1
申请日:2018-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种双铌源碱金属铌酸盐微纳米线材料,以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、C10H5NbO20、BaCO3、Bi2O3为原料,按照化学式(1‑y)KzNa1‑zNb(C)xNb(N)1‑xO3‑yBaBiO3进行配料,其中Nb(C)是指来自铌源C10H5NbO20的Nb元素;Nb(N)是指来自铌源Nb2O5的Nb元素;0<x≤0.1,0<y<0.1,0.4≤z≤0.6,经传统陶瓷固相烧结工艺合成的微纳米线材料。其制备方法包括以下步骤:1)原料烘干;2)原料称取,进行球磨;3)球磨之后粉料的预烧;4)预烧后粉料的第二次球磨;5)压制成圆坯;6)圆坯的保温处理。本发明的优点是,采用双铌源后,可以提高压坯粉料的结晶度和微纳米线的生长速度;同时球磨介质可使用纯净水,无需使用无水乙醇,极大节约成本、减小对环境的污染和烘干过程中的安全隐患。
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公开(公告)号:CN106757302B
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201611040828.5
申请日:2016-11-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠单晶及其制备方法,以K2CO3、Na2CO3和Nb2O5作为原料,按照摩尔比为0.52:0.48:1进行配料,经过以下步骤:所用原料称量配料前均置于烘箱中烘干;按照摩尔比称取原料装入球磨瓶中球磨;将球磨后产物取出,烘干,压片,预烧;然后以无水乙醇为介质二次球磨后烘干;将烘干的粉料过筛后,压制成圆坯,然后烧结获得单晶;将铌酸钾钠单晶从陶瓷基体中取出即可得到纯的铌酸钾钠单晶。本发明的优点是:采用无籽固相晶体生长技术在不掺杂其他元素的情况下,通过改变原料的比例、烧结温度、时间以及坯体尺寸,可以得到不同尺寸的纯的铌酸钾钠单晶。
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公开(公告)号:CN106521627B
公开(公告)日:2019-01-08
申请号:CN201610989699.8
申请日:2016-11-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶,以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),式中x表示体系中摩尔含量,其中0﹤x≤0.005。其制备方法包括:(1)所用原料均置于烘箱中烘干;(2)按化学式称量原料,球磨;(3)将产物烘干,预烧;(4)再以无水乙醇为介质球磨后烘干;(5)将烘干的粉料过筛后,压制成圆坯;(6)将压制好的圆坯烧结获得单晶。本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能,其压电常数d33最高达到488 pC/N。
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公开(公告)号:CN107020706A
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201710284639.0
申请日:2017-04-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B28D7/04
CPC classification number: B28D7/043
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸单晶定向夹具,包括固定板、上下底板、上承载轴、定位销、耳板、粘晶杆、下旋转芯。单晶定向夹具实现粘晶杆绕其中心轴作360º旋转、作左右水平移动、旋转以及定位功能。定向夹具由两侧固定板将上下底板固定,上承载轴和下旋转芯构成夹具的旋转、水平移动装置,中间固定配合粘晶杆。上底板的上表面以及下底板的前面都均布螺纹孔,其作用是当移动装置到达相应部位时的固定。定位销通过螺纹与上承载轴相连接,并与粘晶杆相接触,定位销既可实现定位功能,又可实现固定粘晶杆的作用。本装置具有结构简单、操作方便、安全可靠、适用于实验室制备和研究小尺寸的单晶进行定向处理和测试的优点。
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公开(公告)号:CN106087058A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610462327.X
申请日:2016-06-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶,所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3),其中0≤x≤0.005。将所用原料Na2CO3 (99.8%)、K2CO3 (99%)、Li2CO3 (97%)、Nb2O5 (99.5%)、MnO2 (85%)和Bi2O3 (99%)均置于120℃的烘箱中干燥4~6 h。按化学式成分质量比准确称量原料装入HDPE材质的球磨瓶中,以无水乙醇为介质球磨24 h。将球磨后产物取出,烘干,然后在750℃下预烧6 h。然后再以无水乙醇为介质球磨12~16 h后烘干。将烘干的粉料过100目筛后,在100 MPa的压力下压制成直径为25 mm,厚度为2~3 mm的圆坯。将压制好的圆坯在1100℃下保温21 h烧结获得单晶。将单晶取出,再置于氧气气氛下退火10 h。经实验证明,通过该方法制备的K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶具有优异的压电性能,因此在铁电压电单晶领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN103145417B
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201310089382.5
申请日:2013-03-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高性能低成本铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法,它是以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Al2O3和Fe2O3为原料,按照化学式(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3–xAlFeO3–yLiSbO3,其中0<x≤0.5,0≤y≤0.1,进行配料,经传统制陶工艺烧制而成的陶瓷新产品。本发明提供的无铅压电材料具有低成本、低烧结温度、优良的压电性能及综合性能。通过选择适当的x、y值及工艺参数,烧结温度在950℃-1000℃适合于工业烧结温度,均可使该体系的陶瓷的综合性能良好。
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