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公开(公告)号:CN109932775A
公开(公告)日:2019-06-25
申请号:CN201910205522.8
申请日:2019-03-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/28
Abstract: 本发明提供的是一种基于MIM结构的内嵌对称耦合金属块组滤波器,属于微纳光电子领域,滤波器包括金属膜和空气层,在金属膜上刻蚀有波导管1,在该波导管1内侧对称刻蚀两个金属块3,这两个金属块3在波导管1的上下两侧成对称耦合分布。在波导管1与金属块3间填充空气形成空气层2。本发明可以提高微纳集成光学器件在集成光电路中的集成密度,同时提高此滤波器的耦合效率,从而改变它的滤波特性获得较小的半波宽。
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公开(公告)号:CN109100331A
公开(公告)日:2018-12-28
申请号:CN201810704120.8
申请日:2018-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明提供一种正六边形晶格结构的金属孔阵列等离激元光纤传感器,主要是在光纤体端面上设置高灵敏度的传感体,其中传感体包括衬底介质和金属孔阵列组成,而金属孔阵列N个正六边形晶格结构均匀排布金属膜上,这些多个圆孔狭缝贯通开设在金属膜上下表面;每个圆孔狭缝单元尺寸和形状完全相同且内部均填满了外界介质。所述金属薄膜、衬底介质层以及金属孔阵列构成统一整体传感结构。本发明的光纤传感器结构在近红外频段内具有较良好灵敏度性能,并且通过改变传感体相关结构参数可以有效调整光谱的带宽和共振峰的位置。结果表明,该传感器的灵敏度可达到486±6nm/RIU。其中该传感器结构简单、检测精度高及兼容性好等优点,能为环境检测和食品安全等领域提供了一个新的传感器件。
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公开(公告)号:CN108550628A
公开(公告)日:2018-09-18
申请号:CN201810399461.9
申请日:2018-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件,包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5);所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区;所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N+电荷区表面电荷区结构,表面电荷区产生界面电荷,增强了电荷区内电场,提高了器件横向耐压;界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压,降低了漏极附近电场,防止器件表面过早击穿;由于采用等间距N+的表面电荷区结构,工艺简单可行,工艺容差较好,与常规CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号:CN108231902A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810010047.4
申请日:2018-01-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种能够提高器件耐压,降低比导通电阻的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件;该结构的栅极采用了槽型结构,槽栅一直延伸到埋氧层,与p阱形成了纵向导电沟道,同时,槽栅与漂移区形成了纵向电子积累层,使电流传导区域在纵向得到显著扩展,降低了器件比导通电阻;漂移区包含多个与纵栅相连接P型的埋层,器件上部采用表面多晶硅氧化层结构,形成级联栅多个器件并联结构;采用该具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,有效提高了器件的击穿电压和降低比导通电阻,使得电场分布更加均匀,形成多个级联导通电流。
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公开(公告)号:CN108231870A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810010042.1
申请日:2018-01-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种能够产生界面电荷,增强了表面横向电场,提高了表面横向耐压的具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件。该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件包括由上至下依次设置的漂移区、埋层一、衬底;所述漂移区的上方设置有埋层二,所述埋层二上方设置有表面结构;所述埋层二上设置有延伸到漂移区内的介质槽二,所述介质槽二沿横向均匀分布。采用该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件击穿电压能够达到427V,传统槽栅结构击穿电压为258V,提升了65.5%。采用具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件等势线分布均匀,电荷屏蔽效应使得表面高压对漂移区的作用降低,大幅提高漂移区浓度,降低电阻,提高击穿电压。
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公开(公告)号:CN106847925A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710087033.8
申请日:2017-02-17
IPC: H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种具有表面反型固定界面电荷的功率器件,该功率器件包括场氧层和有源层,场氧层位于有源层之上;场氧层内还设有变掺杂的固定界面电荷区;固定电荷区的电荷极性与有源层离子所属的极性相反;固定界面电荷区位于场氧层的下部,并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。反型固定界面电荷之间相互作用,在场氧层中形成连续尖峰电场,该尖峰电场改善了有源层的电场分布,从而有效提高器件的击穿电压。同时,由于漂移区离子部分电力线终止于反型固定界面电荷,有源层优化掺杂浓度提高,导通电阻下降。
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公开(公告)号:CN113363730B
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202110546874.7
申请日:2021-05-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的超表面类电磁诱导透明共振装置,通过所述介质板间隔片衬底、所述第一双螺旋结构和所述第二双螺旋结构组合构成共振单元,再由若干组所述共振单元周期排布形成超表面类谐振装置,当共振装置的结构参数发生改变时,由于明模式和暗模式的共振频率对结构参数变化的灵敏度基本保持一致,故而类EIT共振依然可以实现,对比其它超表面类电磁诱导透明共振装置,该结构参数的鲁棒性有利于器件加工和工程实际应用,实现了对结构参数变化不敏感的类电磁诱导透明现象共振装置和对于在超表面结构参数不变的情况下进行可调类电磁诱导透明现象。
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公开(公告)号:CN109059971B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN201811114621.7
申请日:2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明提出了一种三孔缝结构的传感器,利用此结构的三个偶极子谐振单元的明模式谐振与暗模式谐振的互作用,产生具有陡的非对称的响应谱线型,从而设计出具有法诺共振现象透射谱的三孔缝结构的传感器。在相同的开关对比度情况下,非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小,可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。通过调控结构的几何参数,透射谱中出现了法诺峰的不同程度的红移,可实现法诺谐振的调谐,由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能实现传感器中谐振频率频段的变化,即工作频段不限于THz频段,本传感器可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。
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公开(公告)号:CN116923288B
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202310760857.2
申请日:2023-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B60R16/023 , B60Q9/00 , G08C17/02
Abstract: 本申请适用于汽车辅助驾驶领域,提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法,所述行车鬼探头智能探测系统包括:超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块;所述系统可工作在模式1和模式2,当系统工作在模式2时,所述超声波模块不工作,所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息,并传输至所述报警模块,用于安全判定。安装有上述系统的车辆,可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定,从而在本车辆的超声波模块不工作时,同样能够探测到车辆盲区内的路况,并及时报警,极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。
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公开(公告)号:CN107742606B
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN201711030930.1
申请日:2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法,主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al,在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影,刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构,该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层,以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行,使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案,该键合晶圆的结构及其制备方法,实现了晶圆之间空隙小、键合强度高,以及基于SOI结构制造的器件散热性好;能够用于晶圆的低温键合。
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