公开(公告)号：CN1236760A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99108022.X

申请日：1999-05-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊 ,  新见秀明

IPC: C04B35/468 ,  H01B1/08

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  H01C7/025 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有800V/mm或更多的绝缘强度和室温下电阻率为100Ω·cm或更小,在室温下电阻率基本上不随时间而变化的钛酸钡粉末。本发明的钛酸钡粉末假定为立方晶系。该粉末颗粒大小为0.1μm或更小,通过XPS获得的以BaCO3/BaO表示的比率为0.42或更小、晶格常数为0.4020nm或更多和以Ba/Ti表示的比率为0.988—0.995。

公开(公告)号：CN103608881A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280028203.0

申请日：2012-06-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊 ,  佐野笃史 ,  石川达也 ,  小林靖知 ,  藤田吉宏 ,  木村祐树 ,  草野雄一

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/47 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01L28/55 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6586 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供一种ESD耐压出色的晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末、利用其的半导体陶瓷电容器及其制造方法。一种SrTiO3系晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积在4.0m2／g以上、8.0m2／g以下，累积90％粒径D90在1.2μm以下。

公开(公告)号：CN103370754A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280007587.8

申请日：2012-01-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊

IPC: H01G4/12 ,  H01C7/10 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1281 ,  H01C7/10 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器，其具有部件素体(4)和外部电极(3a)、(3b)，所述部件素体(4)是将由SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层(1a)～(1g)和以Ni为主成分的多个内部电极层(2a)～(2f)交替层叠并烧结而成，所述外部电极(3a)、(3b)在该部件素体(4)的两端部与所述内部电极层(2a)～(2f)电连接，除外装用半导体陶瓷层(1a)、(1g)外的半导体陶瓷层(1b)～(1f)的各厚度为20μm以上，所述半导体陶瓷层(1a)～(1g)中的晶粒的平均粒径为1.5μm以下。在用WDX法对半导体陶瓷层的层叠方向的中央部或该中央部附近进行分析时，Ni元素的强度x与Ti元素的强度y的比率x/y为0.06以下。由此，实现制品间的特性偏差小、能够稳定获得良好电特性和绝缘性、且具有良好的可靠性的带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN103270564A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201280003757.5

申请日：2012-01-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊

IPC: H01G4/12 ,  C01G23/00 ,  C04B35/47 ,  H01C7/10 ,  H01G4/40

CPC classification number: H01L28/60 ,  B28B11/24 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 半导体陶瓷的主成分由SrTiO3系化合物形成，并且施主元素固溶于结晶粒子中，且受主元素存在于晶界层中。受主元素中的4价的受主元素的个数为1×1017个/g以上。该受主元素的个数根据电子自旋共振吸收谱来算出。在混合粘合剂前将预烧粉末和受主化合物的混合物混合粉碎至比表面积成为5.0～7.5m2/g。具有变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷层（1a～1g）使用该半导体陶瓷来形成。由此抑制了在产品间的特性偏差，实现了能稳定得到良好的电气特性的可靠性优越的层叠型半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN103098157A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180041685.9

申请日：2011-12-16

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C01G23/003 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/47 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法具有：预烧粉末制作工序，称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及施主化合物进行混合粉碎后，进行预烧处理来制作预烧粉末；热处理粉末制作工序，将受主化合物与预烧粉末混合，进行热处理来制作热处理粉末；层叠体形成工序，对所述热处理粉末实施成型加工来制作陶瓷生片，此后将内部电极层与陶瓷生片交替地层叠来形成层叠体；以及煅烧工序，在还原气氛下，对所述层叠体进行了一次煅烧处理，其后在大气气氛下进行二次煅烧处理，其中，在450℃～580℃的温度气氛下进行所述二次煅烧处理。由此，即使静电电容是1nF左右的低电容，也能够实现ESD的吸收性能良好的SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN101687663B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880021669.1

申请日：2008-06-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊

IPC: H01B3/12 ,  C01G23/00 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明涉及SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷。该半导体陶瓷中施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，且晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。将其烧成，得到半导体陶瓷。另外，使用该半导体陶瓷，得到层叠型半导体陶瓷电容器。由此，实现即使晶粒的平均陶瓷粒径为1.0μm以下，也具有5000以上的大表观相对介电常数εrAPP，且绝缘性也优越的SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末、烧结该半导体陶瓷粉末而成的半导体陶瓷、及使用该半导体陶瓷，能够实现基于薄层化·多层化的大电容的层叠型半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN102347132A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110205208.3

申请日：2011-07-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊

IPC: H01G4/12 ,  H01C7/10 ,  C04B35/47

CPC classification number: C04B37/006 ,  C01G23/00 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/346 ,  H01C7/115 ,  H01C7/18 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明可以确保能耐受实用性的绝缘性能且谋求制品成品率的提高，且可以实现具有良好的ESD耐压的适于量产性的带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器。本发明中，形成半导体陶瓷层1a～1g的半导体陶瓷中，Sr位和Ti位的配合摩尔比m为0.990≤m＜1.000，La等施主元素固溶于结晶粒子中，且Mn等受主元素相对于上述Ti元素100摩尔以0.5摩尔以下(优选0.3～0.5摩尔)的范围的含量存在于晶界层中，并且结晶粒子的平均粒径为1.5μm以下。

公开(公告)号：CN101341558B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200780000848.2

申请日：2007-05-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 谷晋辅 ,  川本光俊

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/46 ,  H01C7/10

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01C7/115 ,  H01C7/18 ,  H01G4/1281 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。由此，可实现具有良好电气特性、比电阻与电气耐压良好、可靠性也出色且能够薄层化和小型化的带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1155013C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99124805.8

申请日：1999-11-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊

IPC: H01C7/02 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01C1/1406 ,  H01C7/025 ,  Y10S257/924

Abstract: 本发明提供了一种单片半导体陶瓷电子元件，它包含交替设置的钛酸钡基半导体陶瓷层和内部电极、电气连接到内部电极层的外部电极。半导体陶瓷层包含陶瓷微粒，其平均微粒尺寸大约1μm或更小，每一层陶瓷微粒沿垂直于半导体层方向上的平均数量为大约10或更大。内部电极层最好由镍基金属制成。

公开(公告)号：CN1236759A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99104910.1

申请日：1999-03-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊 ,  新见秀明

IPC: C04B35/468 ,  H01L41/16

CPC classification number: C04B35/468 ,  H01C7/025 ,  H01C17/06533 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明提供了一种半导电陶瓷,其绝缘强度为800V/mm或更大,并且室温的电阻率为100Ω·cm或更小,室温的电阻率大致上没有历时变化。半导电陶瓷由经烧结的含钛酸钡的半导体材料制成,其中半导电陶瓷的平均颗粒尺寸为1.0μm或更小,在陶瓷的表面处由XPS确定由BaCO3/BaO表示的相对光谱强度比,为0.50或更小。