公开(公告)号：CN109792237B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201780059394.X

申请日：2017-07-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中桥宪彦

IPC: H03H9/64

Abstract: 本发明提供一种能够降低阻抗匹配用元件的数量、能够减小由阻抗匹配用元件造成的损耗、且能够降低安装面积的梯型滤波器。梯型滤波器(1)具备设置于串联臂的多个串联臂谐振器(101～107)和分别设置于多个并联臂的多个并联臂谐振器(201～207)，从作为一端的输入端子(901)朝向作为另一端的输出端子(902)设置有n个(n为2以上的整数)具有一个串联臂谐振器和一个并联臂谐振器的梯型电路部，n个梯型电路部被镜像连接，一端的阻抗与另一端的阻抗不同。

公开(公告)号：CN110932695A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910873501.3

申请日：2019-09-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中桥宪彦

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

Abstract: 提供一种带阻滤波器的插入损耗被降低的提取器。提取器(1A)具备：带阻滤波器(10A)，连接在公共端子(300)与输入输出端子(310)之间，将第一频带作为阻带；和带通滤波器(20A)，连接在公共端子(300)与输入输出端子(320)之间，将与第一频带重复的第二频带作为通带，带通滤波器(20A)具有多个串联臂谐振器(201～204)、三个以上的并联臂谐振器(251～254)和连接在并联臂谐振器与接地之间的三个以上的电感器(21～23)，与公共端子(300)最近地连接的电感器(21)的L值小于电感器(23)的L值，且距公共端子(300)第二近地连接的电感器(22)的L值小于电感器(23)的L值。

公开(公告)号：CN106026962B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201610176412.X

申请日：2016-03-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中桥宪彦 ,  宫本幸治

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/145 ,  H03H9/64

Abstract: 本发明提供一种与通带的宽带化对应的低损耗的声表面波滤波器。本发明所涉及的梯型的声表面波滤波器(10)利用LiTaO3压电基板中传播的漏波，具备形成在该压电基板上的IDT电极，具有由该IDT电极构成的串联谐振器以及并联谐振器，表示通带的带宽的相对频带是2.5％以上，并联谐振器的体波辐射的截止频率比通带更处于高频侧。

公开(公告)号：CN102077465A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125563.0

申请日：2009-05-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中桥宪彦 ,  谷口康政

IPC: H03H9/64 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/14594 ,  H03H9/6409 ,  H03H9/6483 ,  H03H9/6486 ,  H03H2007/013

Abstract: 本发明提供一种带阻滤波器，其小型且廉价，通频带端部的滤波特性陡峭性高，且具有大的衰减量。带阻滤波器(1)中通过使多个弹性波谐振器中的有助于过渡频带的形成的至少一个弹性波谐振器的传播方位比其它弹性波谐振器的传播方位大，从而使多个弹性波谐振器中的有助于过渡频带的形成的至少一个弹性波谐振器的机电耦合系数比其它弹性波谐振器的机电耦合系数小。

公开(公告)号：CN101517893A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035382.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 三村昌和 ,  藤井裕久 ,  矢田优 ,  中桥宪彦

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/0222 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/14541

Abstract: 提供一种无论占空比的大小如何都能降低插入损耗的弹性边界波装置。一种弹性边界波装置(1)，其特征在于，包括：由以使Y轴旋转15°±10°的面为主面的LiNbO3构成的压电体(2)，层叠在上述压电体(2)上、由氧化硅构成的电介质(3)，及配置在上述压电体(2)和电介质(3)的边界、含IDT的电极结构(4)；在利用在该边界传播的弹性边界波的弹性边界波装置中，当设上述IDT的密度为ρ(kg/m3)、膜厚为H(μm)、由IDT的电极指的周期决定的波长为λ(μm)、占空比为x时，H/λ和ρ的乘积、与x满足下述式(1)的范围。(数1)(H/λ)× ρ＞70.7924(x+0.055)(－2.0884)+797.09…(式1)。

公开(公告)号：CN1536766A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410007844.5

申请日：2004-03-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大内峰文 ,  中桥宪彦

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H9/0061 ,  H03H9/0057 ,  H03H9/0085 ,  H03H9/14582 ,  H03H9/14588

Abstract: 一种表面声波器件，包括第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件，它们相互级联并设置在一个压电基板上。第一和第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个都设有至少3个沿表面声波传输方向排列的叉指式换能器。每个纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器都包括窄间距电极指部分。将第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距中的至少一个设定成与第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件不同。