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公开(公告)号：CN1249452C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02151855.6
申请日：2002-10-18
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14609
Abstract: 本发明公开了一种放射线探测器。其中，在适于形成大面积的放射线感应型非晶半导体厚膜与电压施加电极的端部边缘部分之间形成高耐压绝缘物质。从而，消除电压施加电极的端部边缘部分上电场的集中，并且不再引起穿透放电或放电击穿等前级现象。
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公开(公告)号：CN1530074A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028331.2
申请日：2004-03-01
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
CPC classification number: G01T1/2928 , A61B6/583
Abstract: 一发光机构为FPD中的半导体层和射线敏感型中间层的双头电极形成面提供光，不会发生有效敏感区域的变化，从而防止了FPD的探测灵敏度的波动。当放射线停止照射之后如果光源仍然保持，就可以防止残余输出的产生。更进一步地，一光强度控制部分控制光源部分，使得根据电信号处理电路增益设定值的减小或增加而增加或减小光源部分产生的光强度，同时缩小动态范围的暗电流分量不再大范围占有电信号处理电路的输出范围，所以动态范围也不会被大范围地缩小。
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公开(公告)号：CN1452938A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03110679.X
申请日：2003-04-22
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14676
Abstract: 一种用于探测X射线的X射线探测器，它包括X射线一入射而在其中生成电荷的一个半导体以及在该半导体相对侧上形成的用于施加某一预定偏压的电极。这种半导体是掺入了预定量的某种碱金属的非晶硒(a－Se)。
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公开(公告)号：CN113155876B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110373638.X
申请日：2016-12-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/207
Abstract: 本发明涉及一种元素分析方法。所述方法包括：利用激发束来照射预定照射区域以生成特征X射线；使特征X射线部分地经过狭缝；使通过所述狭缝的X射线进入平板状分光晶体以基于布拉格反射定律而选择性地被反射；检测X射线的强度来获得波长谱；以及基于波长谱中的峰的能量来识别试样中的元素和/或基于峰的强度来确定所述元素的量。
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公开(公告)号：CN113758954A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110014853.0
申请日：2021-01-06
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
IPC: G01N23/223 , G01N23/2204
Abstract: 本发明的分析装置能够以小型的装置检测试样的对象元素的价数以及该试样的结晶性。分析装置(100)具备配置试样S的试样支架(110)、对试样S照射X射线的X射线源(11)、检测因X射线的照射而从试样S发出的特征X射线的第1检测器(141)、检测由试样衍射的X射线的第2检测器(142)和信号处理装置(20)，信号处理装置(20)基于由第1检测器(141)检测的特征X射线，检测试样的对象元素的价数；基于由第2检测器(142)检测的X射线，检测所述试样的晶体信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110678743A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201780090533.5
申请日：2017-05-18
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/223 , G01N23/207
Abstract: 一种X射线分光分析装置，具备：激发源(12)，向试样(S)的照射区域(A)照射激发线；衍射部件(14)，设置为面向照射区域(A)；狭缝部件(13)，设置在照射区域(A)和衍射部件(13)之间，具有与照射区域(A)及衍射部件(14)的规定的面平行的狭缝；X射线线性传感器(15)，具有在与狭缝的长度方向垂直的方向上排列有多个检测元件而形成的光入射面；第1移动机构，在与所述长度方向垂直的面内使所述衍射部件移动，从而变更所述试样表面与所述规定的面所成的角度、或/和所述试样表面与所述规定的面之间的距离；第2移动机构，在与所述长度方向垂直的面内使所述X射线线性传感器移动，从而使该X射线线性传感器位于通过所述狭缝而在所述规定的面衍射的特征X射线的路径上。
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公开(公告)号：CN100339743C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410002799.4
申请日：2004-01-21
Abstract: 本发明是在有源矩阵基板上，像素电极与信号线及扫描线在平面上不重叠，并在设所述像素电极和所述信号线之间的间隙为X1、所述像素电极和所述扫描线之间的间隙为Y1时，满足X1＞Y1的关系。由此，能够提供采用能确保电荷收集电极的面积占有率尽量大的有源矩阵基板、并且S/N好、面积大、清晰度高的电磁波检测器。
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公开(公告)号：CN1318860C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410077119.5
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L27/14678 , H01L27/14658
Abstract: 本发明的放射线检测器具有位于放射线感应半导体的前表面上放射线检测有效区域外侧位置的电绝缘缓冲器座。用于施加偏置电压的公共电极覆盖缓冲器座。用于提供偏置电压的导线与该公共电极表面上位于缓冲器座上的导线连接区域连接。缓冲器座减小当导线与公共电极连接时产生的冲击。这样，就可以保护半导体和中间层免受损坏，从而避免性能降低。该缓冲器座位于放射线检测有效区域以外。因此，该缓冲器座不会削弱放射线检测功能。
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公开(公告)号：CN1256065C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03110679.X
申请日：2003-04-22
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社
IPC: A61B6/00 , H05G1/02 , H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14676
Abstract: 一种用于探测X射线的X射线探测器，它包括X射线一入射而在其中生成电荷的一个半导体以及在该半导体相对侧上形成的用于施加某一预定偏压的电极。这种半导体是掺入了预定量的某种碱金属的非晶硒(a-Se)。
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公开(公告)号：CN1601760A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410011867.3
申请日：2004-09-24
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 山梨电子工业株式会社 , 新电元工业株式会社
CPC classification number: H01L27/14676
Abstract: 根据本发明的辐射检测器具有用于偏置电压施加的公共电极，形成在对辐射敏感的无定形硒半导体膜(a－Se半导体膜)的表面上。公共电极是具有100到1,000厚度的金薄膜。可以在相对较低的气相沉积温度，在较短的气相沉积时间内，在a－Se半导体膜的表面上形成充当公共电极的金薄膜。该特征抑制了由于公共电极的形成而在a－Se半导体膜中产生缺陷。用于公共电极的金薄膜没有现有技术中的厚，而是1,000或更薄。利用减小的厚度，公共电极具有对a－Se半导体膜改进的粘结性能。
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