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公开(公告)号：CN116349017A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180072568.2
申请日：2021-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种包括通态电流高的晶体管的半导体装置及其制造方法。提供一种电特性良好的半导体装置及其制造方法。本发明是一种包括衬底、衬底上的岛状绝缘层以及衬底及绝缘层上的晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层及一对导电层。一对导电层的一方具有与绝缘层重叠的区域，一对导电层的另一方具有不与绝缘层重叠的区域。一对导电层的另一方的顶面的高度低于一对导电层的一方的顶面的高度。一对导电层分别与半导体层接触。半导体层具有隔着栅极绝缘层与栅电极重叠的区域。
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公开(公告)号：CN103238240B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180058641.7
申请日：2011-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/366 , H01G11/06 , H01G11/50 , H01G11/68 , H01G11/72 , H01M4/382 , H01M4/386 , H01M4/661 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明提供一种蓄电装置，该蓄电装置具有改善了的性能如高放电容量，并不容易发生由活性材料层的剥落等导致的劣化。在用于蓄电装置的电极中，在集流体上的活性材料层中使用掺杂有磷的非晶硅作为能够与锂合金化的材料，并且在该活性材料层上作为包含铌的层形成氧化铌。从而可以提高蓄电装置的容量，还可以改善循环特性及充放电效率。
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公开(公告)号：CN103283077A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180059558.1
申请日：2011-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/058 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0565
CPC classification number: H01G11/06 , H01G11/56 , H01M10/052 , H01M10/0566 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M10/058 , H01M2300/0025 , Y02E60/13 , Y10T29/417 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种能够提高充放电容量的具有固体电解质的蓄电装置以及该蓄电装置的制造方法。该蓄电装置包括：正极；负极；以及设置在正极与负极之间的电解质，该电解质包含离子导电高分子化合物、无机氧化物以及锂盐，并且，相对于离子导电高分子化合物与无机氧化物的总和，包含于电解质中的无机氧化物为高于30wt%且50wt%以下。
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公开(公告)号：CN102576608A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044992.8
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01G9/00 , H01G9/038 , H01G9/058 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01G11/02 , H01G9/038 , H01G9/22 , H01G11/28 , H01G11/56 , H01G11/68 , H01G11/70 , H01G11/84 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L28/40 , Y02E60/13
Abstract: 提供可在室温被制造的氧化还原电容器以及其制造方法。含有氢的非晶半导体被用作氧化还原电容器的电解质。可使用含有诸如非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗之类的半导体元素的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的典型示例。可使用含有氢的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。可给出含有诸如氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、以及氧化铟之类的单组分氧化物半导体的非晶半导体作为含有氢的氧化物半导体的典型示例。可使用诸如In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)之类的多组分氧化物半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。
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