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公开(公告)号：CN102034122A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010513767.6
申请日：2010-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K17/00
CPC classification number: G06K19/07 , G06K19/0701 , G11C5/142
Abstract: 半导体器件包括存储部分、逻辑部分和用于电连接该存储部分与该逻辑部分的多个信号线。在半导体器件和通信装置之间的传送率是α[bps]的情况下，在该逻辑部分中产生的第一时钟频率是Kα[Hz](K是1或更大的整数)，该多个信号线的读信号线的数量是n(n是2或更大的整数)，并且在该逻辑部分中产生的第二时钟频率是Lα/n[Hz](L是满足L/n＜K的任意整数)，存储在存储部分中的数据用该第二时钟频率Lα/n[Hz]通过该n个读信号线读取到逻辑部分。
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公开(公告)号：CN116018818A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180043372.0
申请日：2021-07-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N25/70 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 提供一种具有图像处理功能并可以进行高速工作的摄像装置。本发明是一种具有图像处理等附加功能的摄像装置，在像素部中对通过摄像工作取得的图像数据进行二值化，使用该二值化数据进行积和运算。像素部中设置有存储电路，保持用于积和运算的权系数。因此，可以进行运算而无需随时从外部读取权系数，可以降低功耗。另外，通过层叠形成像素电路及存储电路等与积和运算电路等，可以缩短电路间的布线长度，可以进行低功耗工作及高速工作。
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公开(公告)号：CN115428437A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180029689.9
申请日：2021-04-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/369
Abstract: 提供一种具有图像处理功能并可以进行高速工作的摄像装置。摄像装置具有图像处理等附加功能，可以将在摄像工作中获取的模拟数据保持在像素中而取出该模拟数据乘任意权重系数而得的数据。另外，在该摄像装置中，该数据容纳在存储单元中，可以对容纳在多个存储单元中的数据进行池化处理。以具有彼此重叠的区域的方式配置该存储单元、池化处理电路及像素的读出电路中的一个以上与像素，因此可以在具有附加功能的同时抑制摄像装置的面积增大。
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公开(公告)号：CN115211101A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180018074.6
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/3745 , H01L29/786 , H04N5/369
Abstract: 提供一种可以进行图像处理的摄像装置。提供一种具备图像识别功能等附加功能的摄像装置。该摄像装置具有排列为矩阵状的单元(像素)取得摄像数据的功能及保持权重数据的功能。排列为矩阵状的单元中的一部分的单元取得摄像数据，其他单元保持权重数据。并且，进行使用摄像数据及权重数据的运算。例如，对所有的摄像数据算出摄像数据与权重数据之积，可以进行总计该算出的积的运算。就是说，可以进行积和运算。通过将运算结果引入卷积神经网络(CNN)等神经网络等，可以对摄像数据进行图像处理，由此可以使用附加功能。
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公开(公告)号：CN115136311A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015588.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/786 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 提供一种小型且高功能的摄像装置。本发明是一种摄像装置，包括设置在硅衬底上的光电转换器件以及在设置在该硅衬底上的硅外延生长层中具有沟道形成区域的晶体管。设置在外延生长层中的晶体管的电特性良好，所以可以形成噪声较少的摄像装置。另外，该晶体管可以以具有与光电转换器件重叠的区域的方式形成，所以可以使摄像装置小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114008784A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080045952.9
申请日：2020-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种可以以较少工序制造的高功能的摄像装置。形成在包括Si晶体管的电路上层叠有包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管(以下，称为OS晶体管)的电路的第一叠层体，形成在Si光电二极管上设置有OS晶体管的第二叠层体，将第一叠层体及第二叠层体的设置有OS晶体管的层彼此贴合而得到电路间的电连接。通过采用上述结构，即使使用层叠多个功能不同的电路等的结构也减少抛光工序、贴合工序，而可以提高成品率。
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公开(公告)号：CN113924649A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080040844.2
申请日：2020-06-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。可以将通过摄像工作取得的模拟数据(图像数据)保持在像素中，在该像素中可以取出将该模拟数据乘以任意权系数而得的数据。通过将该数据导入到神经网络等中，可以进行图像识别等处理。可以将庞大的图像数据以模拟数据状态保持在像素中，因此可以高效地进行处理。
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公开(公告)号：CN110692099A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880033233.8
申请日：2018-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 米田诚一
IPC: G11C11/405 , G11C11/56 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。或者，提供一种能够保持更多的多值信息的存储装置。写入晶体管的源极和漏极中的一个与位线电连接，另一个与信息保持部电连接。写入到信息保持部中的信息通过写入位线及写入晶体管供应给信息保持部。通过写入晶体管的背栅极与写入位线电连接，可以抑制写入工作时产生的阈值电压的上升，可以保持(储存)更多的多值信息。
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公开(公告)号：CN110088823B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201780077435.8
申请日：2017-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G09G3/3225 , G09G3/36
Abstract: 高速且低功耗地进行按照显示装置的形状的图像处理，而不使用大规模帧存储器或高处理量GPU。使用一种数据转换电路，包括：锁存电路，该锁存电路与写入时钟信号同步地从输入数据提取数据，并储存该数据作为写入数据；存储电路，该存储电路储存写入数据，并与读出时钟信号同步地将写入数据作为读出数据输出到外部电路；以及时钟选择控制电路。根据时钟选择控制电路的控制而输出的写入时钟信号为具有不同频率的多个时钟信号中的一个。
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公开(公告)号：CN114641987A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080077151.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/378
Abstract: 提供一种低功耗的摄像装置。像素包括第一电路及第二电路。第一电路可以生成摄像数据并保持与在起始帧获取的数据的差异数据。在第二电路中设置有比较该差异数据与任意设定的电压范围的比较电路。第二电路将根据该比较结果的读出信号供应到第一电路。借助于这种结构，在差异数据被判定为在所设定的电压范围时不从像素读出数据而只在差异数据被判定为不在所设定的电压范围时从像素读出数据。
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