公开(公告)号：CN102779854B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210138067.2

申请日：2012-05-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  吉冈杏子 ,  佐藤裕平 ,  寺岛真理

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其包括：具有包含超过化学计量组成比的氧的区域的非晶氧化物半导体层，以及设置在该非晶氧化物半导体层上的氧化铝膜。该非晶氧化物半导体层通过如下步骤形成：对进行了脱水或脱氢处理的结晶或非晶氧化物半导体层进行氧注入处理，然后在设置有氧化铝膜的状态下进行450℃以下的热处理。

公开(公告)号：CN1620215B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200410085982.5

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  山道亚希 ,  山出直人

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/552

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及高成品率地制作该显示器件的制作方法。本发明的显示器件是一种包括显示区域的显示器件，该显示区域包括第一电极；覆盖该第一电极周围边缘的绝缘层；形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层；以及第二电极，其中，给所述第一电极和所述绝缘层中掺杂赋予一个导电型的杂质元素。