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公开(公告)号：CN100454520C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510091376.9
申请日：2005-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/13 , H01L27/28 , H01L29/78603 , H01L2924/3511
Abstract: 对于使用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求有望增加，需要进一步地减小成本。本发明的目的是提供一种能以更低成本生产的IC芯片的结构和工艺。本发明的一个特征是使用金属膜和具有金属膜的反应物作为分离层。金属膜或具有金属的反应物的蚀刻速率高，且在本发明中除了使用蚀刻金属膜或具有金属的反应物的化学方法之外，还可以使用物理方法。由此，IDF芯片可以在短时间内简单且容易地制造。
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公开(公告)号：CN1976005A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163794.9
申请日：2006-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/78 , H01L27/1214
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法。在第一衬底之上形成多个第一半导体集成电路、多个第二半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个相邻、多个第三半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个和该多个第二半导体集成电路的一个相邻、以及多个第四半导体集成电路，其每一个被设置为与该多个第一半导体集成电路的一个、该多个第二半导体集成电路的一个、和该多个第三半导体集成电路的一个相邻。形成第一保护层以覆盖第一半导体集成电路和第一半导体集成电路外围的第二衬底的表面。分割第二衬底和保护层以便该多个第一半导体集成电路被分成单独的块并且部分第二衬底留在第一半导体集成电路的外围。
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公开(公告)号：CN1914735A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580004073.7
申请日：2005-01-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336 , G06K19/00
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , G06K19/07758 , H01L21/02667 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求预计会增加，且需要进一步降低成本。本发明的一个目的在于提供一种能以更低成本生产的IC芯片结构和过程。考虑到上述目的，本发明的一项特点在于提供在绝缘基片上形成分离层、并在分离层上形成具有半导体膜作为反应区的薄膜集成电路的步骤，其中不分离上述薄膜集成电路。与将芯片去除圆形硅晶片的情况相比，在使用绝缘基片的情况中对母基片的形状的限制较少。因此，可以实现IC芯片成本的降低。
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公开(公告)号：CN1832179A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610051420.8
申请日：2006-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/283 , H01L29/78603 , H01L51/0097 , H01L2224/16225 , H01L2924/12044 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件具有挠性和抗物理变化(诸如弯曲)的特性。本发明的半导体器件包括设置在挠性衬底上的多个晶体管、设在所述多个晶体管之间的弯曲部分，以及被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，每个所述晶体管都具有半导体膜、以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极，其中所述弯曲部分是通过用具有比层间绝缘膜更低弹性模数的材料、比层间绝缘膜更低玻璃转化点的材料或者比层间绝缘膜更高可塑性的材料填充形成在层间绝缘膜中的开口而提供的。
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公开(公告)号：CN112286436A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011162772.7
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F3/0488 , G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种耗电量少的数据处理装置的驱动方法。数据处理装置包括检测出与其接近或接触的物体诸如手指或手掌的柔性位置输入部。该柔性位置输入部与显示部重叠，并包括第一区域、与第一区域对置的第二区域、以及第一区域和第二区域之间的第三区域。在使用者握持第一区域或第二区域的一部分一定时间的情况下，选择性地停止对该部分供应图像信号。或者，选择性地停止该部分中的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104485362B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410649540.2
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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公开(公告)号：CN104485362A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410649540.2
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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公开(公告)号：CN102007585B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200980113806.9
申请日：2009-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/205 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 一种薄膜晶体管包括：在具有绝缘表面的衬底上的覆盖栅电极的栅极绝缘层；与该栅极绝缘层接触并在非晶结构中包含多个晶体区域的构成沟道形成区域的半导体层；形成源区及漏区的包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层；以及由位于该半导体层和包含赋予一种导电类型的该杂质元素的半导体层之间的包括非晶半导体的缓冲层。上述晶体区域具有倒锥形或倒金字塔形的晶粒，这些晶粒从远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面的位置沿半导体层被沉积的方向大致放射状地生长。
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公开(公告)号：CN102820263A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210241697.2
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明的一个目的在于提供制造半导体器件的方法，该方法消除了在将半导体元件形成在基片上后基片变薄或者除去基片的情形中，由于杂质元素或者水分等从外界进入而对半导体元件产生的影响。其一个特征是通过对基片进行表面处理在基片的至少一个侧面上形成起防护膜作用的绝缘薄膜，将半导体元件(比如薄膜晶体管)形成在所述绝缘薄膜上，和薄化所述基片。作为表面处理，对基片进行杂质元素的加入或者等离子处理。作为薄化基片的方法，通过对基片另一侧面进行研磨处理或者抛光处理等可以使基片被部分除去。
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公开(公告)号：CN102077331A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124705.1
申请日：2009-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括作为缓冲层的半导体层，该半导体层包含氮，且在栅极绝缘层和源区及漏区之间的至少源区及漏区一侧的非晶结构中包括晶体区域。与在沟道形成区中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，可以提高薄膜晶体管的导通电流。并且，与在沟道形成区中具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，可以降低薄膜晶体管的截止电流。
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